带纳米线的膜及纳米线的制造方法技术

本发明专利技术提供在基材上直接生长有纳米线的带纳米线的膜、以及使纳米线在基材上直接生长的纳米线的制造方法。具体而言，带纳米线的膜具备由结晶性树脂构成的基材和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。另外，具备由非晶态的树脂构成的基材、和在基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，在基材的表面形成间距为2～100nm、深度为5～30nm的微细的凹凸结构，使纳米线从该凹凸结构直接生长。凹凸结构直接生长。凹凸结构直接生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带纳米线的膜及纳米线的制造方法


[0001]本专利技术涉及在基材上生长有纳米线的带纳米线的膜、以及在基材上制造纳米线的方法。

技术介绍

[0002]作为由氧化锌等金属氧化物构成的纳米线(纳米棒)的制造方法，已知有化学气相法、激光沉积法、水热合成法等各种方法。
[0003]其中，水热合成法能够比较简单地制造纳米线。例如，在专利文献1中公开了如下方法：将在表面形成有晶种层的基材浸渍于混合有硝酸锌和六亚甲基四胺的水溶液中，在30℃～100℃的温度下使氧化锌纳米线生长。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2011
‑
36995号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]以往的纳米线的制造方法无例外地需要在基材上预先形成用于使纳米线生长的晶种层。因此，存在制造成本高的问题。另外，对在晶种层上生长的纳米线进行剥离回收时，存在晶种层的杂质混入纳米线的问题。
[0009]然而，迄今为止，没有不在基材上形成晶种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种带纳米线的膜，其具备由结晶性树脂构成的基材、和在所述基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，其中，在所述基材的表面形成有微细的凹凸结构、且所述纳米线从该凹凸结构直接生长。2.根据权利要求1所述的带纳米线的膜，其中，所述凹凸结构形成为尺寸为微米以下、深度为纳米级的形状。3.根据权利要求1或2所述的带纳米线的膜，其中，所述结晶性树脂由聚酰亚胺或聚酯构成。4.一种带纳米线的膜，其具备由非晶态的树脂构成的基材、和在所述基材上直接生长的由金属氧化物构成的纳米线，其中，在所述基材的表面形成间距为2nm～100nm、深度为5nm～30nm的微细的凹凸结构，所述纳米线从该凹凸结构直接生长。5.根据权利要求4所述的带纳米线的膜，其中，所述非晶态的树脂由聚碳酸酯或聚苯乙烯构成。6.根据权利要求1～5中任一项所述的带纳米线的膜，其中，所述纳米线由氧化锌或氧化钛构成。7.一种纳米线的制造方法，其中，所述制造方法包括：工序(a)，准备由结晶性树脂构成的基材；工序(b)，在所述基材的表面形成微细的凹凸结构；和工序(c)，使所述基材浸渍于水热合成溶液，使由金属氧化物构成的纳米线在形成于所述基材的表面的所述凹凸结构上直接生长。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田宗和，平田肇，
申请(专利权)人：东丽工程株式会社，
类型：发明
国别省市：