一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及传感器技术领域，提供了一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器，包括一对安装件，其相对连接设置，且每一安装件均具有呈开口的容纳腔；磁芯，两个磁芯的两端部之间形成气隙；霍尔元件，对应气隙设置在安装件上，两个霍尔元件的磁灵敏度方向相反设置。通过将两个霍尔元件的磁灵敏度方向相反设置，当被测电流从两个磁芯之间流动时，将在两个磁芯之间产生一个逆时针方向或顺时针方向的磁场，当为逆时针方向的磁场时，两个霍尔元件均为正向输出，当为顺时针方向的磁场时，两个霍尔元件均为负向输出，两个反向设置的霍尔元件能够对因干扰磁场产生的电压进行抵消，使得霍尔传感器不会受到干扰磁场的干扰，进而保证了其测量精度，抗干扰效果好。抗干扰效果好。抗干扰效果好。

【技术实现步骤摘要】
一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器


[0001]本技术涉及传感器
，具体涉及一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器。

技术介绍

[0002]霍尔传感器中的霍尔元件本身为磁性敏感器件，会对穿过自身的磁场做出反应。在理想状态下，霍尔传感器应该是处于被测磁场当中，但往往环境中会存在其它干扰磁场，干扰磁场的存在会使得霍尔传感器的测量精度下降，甚至当干扰磁场大于被测磁场时，霍尔传感器将输出一个错误的值，因为存在外界磁场的干扰问题，就需要传感器能屏蔽外界磁场的干扰。
[0003]现有技术中，为了降低传感器的抗干扰，提高传感器的测量精度，通常采用以下方法：1、加大磁芯的截面积，使霍尔元件处在磁芯截面积中间。因为磁芯有聚磁的效果，能将环形磁芯中间的磁场聚拢到磁芯中，而对磁芯外的磁场则没有效果，但是该方法对干扰磁场的位置有限制。如果干扰磁场靠近磁芯气隙处，传感器依然会受到很大的影响；2、使用磁屏蔽材料包裹整个传感器，该种方法中，磁屏蔽材料本身也属于软磁材质，不仅会影响霍尔的测量精度，本身也会被环境磁场磁化，功能失效。

技术实现思路

[0004]因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的霍尔传感器因受到干扰磁场的影响而导致测量精度降低的缺陷，从而提供一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器。
[0005]一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器，包括：一对安装件，其相对连接设置，且每一所述安装件均具有呈开口的容纳腔；磁芯，适于在每一所述容纳腔内安装一所述磁芯，两个所述磁芯的两端部之间形成气隙，且两个磁芯之间具有供电流通过的通道；霍尔元件，对应所述气隙设置在所述安装件上，两个所述霍尔元件的磁灵敏度方向相反设置。
[0006]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，在所述安装件上设置基座，所述基座对应所述磁芯的两端部设置，在每一所述基座内适于安装至少一所述霍尔元件。
[0007]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，还包括电路板，所述电路板设置在所述容纳腔内，每一所述霍尔元件的引脚与所述电路板连接，
[0008]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，还包括呈开式的包覆件，所述包覆件对应所述磁芯设置在所述容纳腔内，适于将所述磁芯的外壁面进行包覆。
[0009]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，所述包覆件采用铜材质。
[0010]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，还包括屏蔽壳体，所述屏蔽壳体与所述安装件一一对应设置，其具有屏蔽腔，所述容纳腔对应安装在所述屏蔽腔内。
[0011]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，所述安装件包括第一部和第二部，所述第一部和所述第二部形成凹状的容纳腔，所述第一部位于所述屏蔽腔内；
[0012]所述屏蔽壳体的两侧面均开设一缺口，两个所述缺口与所述第二部对应设置。
[0013]可选地，上述抗外界磁场干扰的霍尔传感器中，所述屏蔽壳体的厚度为0.5mm，其
采用硅钢材料。
[0014]本技术技术方案，具有如下优点：
[0015]1.本技术提供一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器，包括：一对安装件，其相对连接设置，且每一所述安装件均具有呈开口的容纳腔；磁芯，适于在每一所述容纳腔内安装一所述磁芯，两个所述磁芯的两端部之间形成气隙，且两个磁芯之间具有供电流通过的通道；霍尔元件，对应所述气隙设置在所述安装件上，两个所述霍尔元件的磁灵敏度方向相反设置。
[0016]此结构中的霍尔传感器中，通过将霍尔元件对应设置在两个磁芯的两端部之间形成的气隙中，且安装在其中一个安装件上，两个霍尔元件的磁灵敏度方向相反设置，将在两个磁芯之间产生一个逆时针方向或顺时针方向的磁场，当为逆时针方向的磁场时，两个霍尔元件均为正向输出，当为顺时针方向的磁场时，两个霍尔元件均为负向输出，在外界磁场靠近该传感器并对其进行干扰时，两个反向设置的霍尔元件能够对因干扰磁场产生的电压进行抵消，使得霍尔传感器不会受到干扰磁场的干扰，进而保证了其测量精度，抗干扰效果好。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术的传感器外观结构示意图；
[0019]图2为图1所示的传感器的磁芯与安装件以及屏蔽壳体的位置示意图；
[0020]图3为传感器的爆炸结构示意图；
[0021]图4为霍尔元件与基座的位置结构示意图；
[0022]图5为传感器的电路原理示意图；
[0023]附图标记说明：
[0024]1、安装件；11、容纳腔；12、第一部；13、第二部；
[0025]2、磁芯；3、霍尔元件；4、基座；5、电路板；6、包覆件；
[0026]7、屏蔽壳体；71、屏蔽腔；72、缺口；
具体实施方式
[0027]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第
一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]实施例
[0031]本实施例记载了一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器，参见图1
‑
图4，该霍尔传感器包括一对安装件1、磁芯2以及霍尔元件3，其中一对安装件1相对连接设置，且每一个安装件1均具有呈开口的容纳腔11，在每一个容纳腔11内均安装一个磁芯2，两个磁芯2的两端部之间形成气隙，测量电流从两个磁芯2之间形成的供电流通过的通道之间通过，且对应气隙，将霍尔元件3设置在安装件1上，并对称设置在两个磁芯2的两侧端部的霍尔元件3的磁灵敏度方向相反设置。
[0032]传感器的电路原理如图5所示。其中H1为第一霍尔元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗外界磁场干扰的霍尔传感器，其特征在于，包括：一对安装件(1)，其相对连接设置，且每一所述安装件(1)均具有呈开口的容纳腔(11)；磁芯(2)，适于在每一所述容纳腔(11)内安装一所述磁芯(2)，两个所述磁芯(2)的两端部之间形成气隙，且两个磁芯(2)之间具有供电流通过的通道；霍尔元件(3)，对应所述气隙设置在所述安装件(1)上，两个所述霍尔元件(3)的磁灵敏度方向相反设置。2.根据权利要求1所述的抗外界磁场干扰的霍尔传感器，其特征在于，在所述安装件上设置基座(4)，所述基座(4)对应所述磁芯(2)的两端部设置，在每一所述基座(4)内适于安装至少一所述霍尔元件(3)。3.根据权利要求1或2所述的抗外界磁场干扰的霍尔传感器，其特征在于，还包括电路板(5)，所述电路板(5)设置在所述容纳腔(11)内，每一所述霍尔元件(3)的引脚与所述电路板(5)连接。4.根据权利要求3所述的抗外界磁场干扰的霍尔传感器，其特征在于，还包括呈开式的包覆件(6)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庭坚，朱海华，周耀，白建民，
申请(专利权)人：宁波希磁电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：