本实用新型专利技术提供一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，包括一清洗槽、一泵、一电磁三通和一万向水管；所述清洗槽通过一隔板分隔形成一水槽和一清洗液槽；所述水槽和所述清洗液槽分别通过一第一连接管连接所述电磁三通的两入口，所述电磁三通的出口通过一第二连接管连接所述万向水管；所述第二连接管上安装有所述泵。本实用新型专利技术的一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，可在清洗液和清水两种模式中切换，自由控制清洗步骤，不仅可以用于清洗碳化硅抛光液，还可以用于一般抛光液的清洗。还可以用于一般抛光液的清洗。还可以用于一般抛光液的清洗。
【技术实现步骤摘要】
清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置
[0001]本技术涉及碳化硅晶圆的化学机械抛光领域，尤其涉及一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置。
技术介绍
[0002]碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，是当前半导体材料研究前沿和产业竞争焦点。碳化硅衬底制作的关键工序之一，就是衬底的全局平坦化，而化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)是目前实现大规模生产的全局平坦化的唯一方法。
[0003]CMP技术是将抛光工件在一定的压力下相对抛光垫做旋转运动，在抛光液的(由磨粒、各种化学添加剂和溶剂组成的混合液)作用下，利用磨粒的机械磨削和化学添加剂的化学腐蚀作用来实现对工件表面的材料去除，从而获得工件表面全局平坦化的技术。
[0004]在加工过程中，每一次抛光完后，都需要清洗抛光垫和机台，一般的做法是放置毛刷盘后，用清水清洗。
[0005]为了提高加工效率，碳化硅抛光液一般为酸性，并添加高锰酸钾，利用酸性环境下高锰酸钾的强氧化性，达到腐蚀碳化硅晶圆的目的。
[0006]现有的清洗装置是连接水管，用自来水清洗抛光垫和抛光机，这种清洗方法只适合清洗不含高锰酸钾的抛光液。因为用清水无法将高锰酸钾清洗干净，需要先将高锰酸钾还原后再进行清洗。
[0007]而所用的抛光垫绝大部分为无纺布聚氨酯抛光垫，在抛光液和压力的作用下，一方面受到酸性和高锰酸钾的腐蚀作用，另一方面高锰酸钾在抛光垫中的残留很难利用常规清水洗盘去除，大大增加了碳化硅抛光垫的磨损，导致加工效率降低、使用寿命减少，直接增加了加工成本。
技术实现思路
[0008]针对上述现有技术中的不足，本技术提供一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，可在清洗液和清水两种模式中切换，自由控制清洗步骤，不仅可以用于清洗碳化硅抛光液，还可以用于一般抛光液的清洗。
[0009]为了实现上述目的，本技术提供一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，包括一清洗槽、一泵、一电磁三通和一万向水管；所述清洗槽通过一隔板分隔形成一水槽和一清洗液槽；所述水槽和所述清洗液槽分别通过一第一连接管连接所述电磁三通的两入口，所述电磁三通的出口通过一第二连接管连接所述万向水管；所述第二连接管上安装有所述泵。
[0010]优选地，所述泵采用蠕动泵、气动隔膜泵或自吸泵。
[0011]优选地，所述万向水管的出水口采用扁嘴、圆嘴或直角圆嘴。
[0012]优选地，所述第二连接管采用PU管。
[0013]本技术由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：
[0014]通过包括水槽和清洗液槽的清洗槽、泵、电磁三通和万向水管配合，可在清洗液和清水两种模式中切换，自由控制清洗步骤，因此，该装置不仅可以用于清洗碳化硅抛光液，还可以用于一般抛光液的清洗。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例的清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置的结构示意图。
具体实施方式
[0016]下面根据附图图1，给出本技术的较佳实施例，并予以详细描述，使能更好地理解本技术的功能、特点。
[0017]请参阅图1，本技术实施例的一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，包括一清洗槽1、一泵2、一电磁三通3和一万向水管4；清洗槽1通过一隔板分隔形成一水槽11和一清洗液槽12；水槽11和清洗液槽12分别通过一第一连接管连接电磁三通3的两入口，电磁三通3的出口通过一第二连接管连接万向水管4；第二连接管上安装有泵2。
[0018]泵2采用蠕动泵、气动隔膜泵或自吸泵。
[0019]万向水管4的出水口采用扁嘴、圆嘴或直角圆嘴。
[0020]第二连接管采用PU管。
[0021]当抛光完成后，在清洗槽1的水槽11部分注入清水，清洗液槽12部分加入清洗液，启动泵2，电磁三通3通电，当电磁三通3的线圈通电时，电磁三通3的出口与与清洗液槽12相连的一入口相通，此时清洗液槽12部分的清洗液就经由电磁三通3和泵2由万向水管4流向抛光垫，此时开启抛光机的清洗模式，开始清洗。
[0022]待抛光垫上的高锰酸钾清洗完毕后，关闭电磁三通3，电磁三通3的出口与与水槽11相连的一入口相通，此时水槽11部分的清水就经由电磁三通3和泵2由万向水管4流向抛光垫，开始第二道清洗。
[0023]具体清洗过程如下：
[0024]1、抛光完成后，放上清洗盘，按照柠檬酸：硫代硫酸钠＝1：1的比例，配制40kg清洗液倒入清洗槽1的清洗液槽12部分中，清水倒入清洗槽1的水槽11部分中；
[0025]2、开启泵2，电磁三通3通电，电磁三通3的出口与与清洗液槽12相连的一入口相通，此时清洗液槽12部分的清洗液就经由电磁三通3、泵2及之间的管道由万向水管4流出，流向抛光垫，此时开启抛光机的清洗模式，开始清洗；
[0026]3、10分钟后或清洗后的液体为澄清液体后，关闭电磁三通3，电磁三通3的出口与与水槽11相连的一入口相通，此时水槽11部分的清水就经由电磁三通3、泵2及之间的管道由万向水管4流出，流向抛光垫，开始第二道清洗。
[0027]4、清洗10分钟，关闭泵2、关闭抛光机。
[0028]以上结合附图实施例对本技术进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本技术做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本技术的限定，本技术将以所附权利要求书界定的范围作为本技术的保护范围。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清洗抛光垫上碳化硅抛光液的装置，其特征在于，包括一清洗槽、一泵、一电磁三通和一万向水管；所述清洗槽通过一隔板分隔形成一水槽和一清洗液槽；所述水槽和所述清洗液槽分别通过一第一连接管连接所述电磁三通的两入口，所述电磁三通的出口通过一第二连接管连接所述万向水管；所述第二连接管上安装有所述泵。2.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：张泽芳，彭诗月，
申请(专利权)人：苏州博来纳润电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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