一种Si衬底上的InN-制造技术

本发明专利技术公开了一种Si衬底上的InN

【技术实现步骤摘要】
一种Si衬底上的InN
‑Ⅵ
A族异质结及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及InN纳米柱领域，特别涉及一种Si衬底上的InN
‑Ⅵ
A族异质结及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]随着时代进步与科技发展，能源已经成为影响人类社会的一个重要因素。目前，煤炭、石油、天然气等传统能源在世界的经济发展中依然占有举足轻重的作用，但是这些资源在地球上的储量却很有限。面对这些问题与挑战，光电化学(Photoelectrochemical，PEC)分解水制氢能够将太阳能有效地转换和存储为清洁的、可再生的氢能。但目前制氢效率并不高，产量有待提高，离工业化生产仍存在着一定距离，主要原因是半导体研制在光生载流子、能带结构、光响应等难点上难以突破。
[0003]近年来，
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物纳米柱在PEC分解水领域具有广阔的应用前景，其中InN表现出非凡的电荷载流子迁移率，吸光性良好(带隙为0.7eV,吸收带边位于1771nm)，很适合用于PEC光电极。然而InN只有价带位置(r/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Si衬底上的InN
‑Ⅵ
A族异质结，其特征在于，包括Si衬底、生长在所述Si衬底上的InN纳米柱和生长在所述InN纳米柱上的
Ⅵ
A族薄膜。2.根据权利要求1所述的一种Si衬底上的InN
‑Ⅵ
A族异质结，其特征在于，所述
Ⅵ
A族薄膜包括In2O3薄膜和In2Se3薄膜；所述In2O3薄膜附着在所述InN纳米柱上，所述In2Se3薄膜附着在所述In2O3薄膜上。3.根据权利要求2所述的一种Si衬底上的InN
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A族异质结，其特征在于，所述InN纳米柱的高度为250～300nm,直径为50～100nm。4.根据权利要求3所述的一种Si衬底上的InN
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A族异质结，其特征在于，所述Si衬底为超低阻硅，电阻率小于1Ω
·
cm。5.制备权利要求1
‑
4任一项所述的一种Si衬底上的InN
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A族异质结的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用分子束外延生长工艺在Si衬底上生长InN纳米柱；(2)将步骤(1)中制备的InN纳米柱外延片在大气气氛下退火氧化，再甩上一层均匀的In2Se3薄膜，得到Si衬底上的InN
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A族异质结；所述退火氧化的温度为100
‑
500℃，退火氧化的时间为10min～15h。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火氧化的温度为470℃。7.根据权利要求5所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，梁杰辉，刘乾湖，谢少华，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：