【技术实现步骤摘要】
一种阻变存储器及其制备方法
[0001]本专利技术属于二维材料器件
，涉及一种基于材料MoS2‑
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的阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着半导体存储器的不断进展，器件越做越小，主流的flash存储器也不可避免的出现漏电流、浮栅耦合、相邻单元串扰问题等。阻变存储器作为一种新型的非易失性存储技术有望成为下一代高密度、低能耗、高速度的存储器件。阻变存储器本质上是电开关，原理是一些薄膜材料在电激励的作用下会呈现高低阻态的差别，通过高低阻值的变化来代替二进制中的“0”和“1”从而进行数据的存储。
[0003]自2004年第一个二维材料石墨烯剥离至今，二维材料已经取得了巨大发展。二维材料具有强的面内化学键和层间弱耦合的特性，也正是这种特性，二维材料可以轻易的分离成几个原子层厚度。其厚度通常也只有单层或者几个原子层厚，这就意味着它具有超高的表面积比，这种特性使得他们能带结构对外届扰动很敏感，与块体材料性质形成鲜明对比。
[0004]即使目前已经有不少二维材料被...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1、制备底电极采用SiO2/Si硅片作为衬底，将SiO2/Si硅片吸附在匀胶机上，旋涂甲基丙烯酸甲酯MMA EL6胶并烘干，再旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA A5电子束光刻胶并烘干；在上述涂胶后的硅片上绘制底电极图案和用于定位顶电极的标记，并依次进行曝光、显影定影、电子束蒸镀和剥离得到带有底电极的硅片，其中电子束蒸镀包括：在电子束蒸镀系统的电子束腔体中，并将腔体真空抽至10
‑4Pa量级以下，首先蒸镀金属钛Ti作为黏附层，之后蒸镀金Au；步骤S2、制备MoS2‑
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层，其中x大于0且小于2；制备二维材料MoS2层，将MoS2层利用转移平台转移到制备好的步骤S1得到的底电极上，得到带有底电极和MoS2的硅片；将带有底电极和MoS2的硅片放入管式炉中进行氧化退火处理，得到带有底电极和MoS2‑
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的硅片；步骤S3、制备顶电极将步骤S2得到带有底电极和MoS2‑
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的硅片吸附在匀胶机上，旋涂甲基丙烯酸甲酯MMA EL6胶并烘干，再旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA A5电子束光刻胶并烘干；根据标记和MoS2‑
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层的位置，在上述涂胶后的硅片上绘制顶电极图案，并依次进行曝光、显影定影、电子束蒸镀和剥离即得，其中电子束蒸镀包括：在电子束蒸镀系统的电子束腔体中，并将腔体真空抽至10
‑4Pa量级以下，首先蒸镀金属钛Ti作为黏附层，之后蒸镀金Au。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1/ S3中，旋涂甲基丙烯酸甲酯MMA EL6胶，包括：将甲基丙烯酸甲酯MMA EL6胶滴在硅片衬底...
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