【技术实现步骤摘要】
一种晶圆磨削监测方法及监测系统
[0001]本专利技术属于晶圆制造
，具体而言，涉及一种晶圆磨削监测方法及监测系统。
技术介绍
[0002]在集成电路/半导体(Integrated Circuit,IC)制造的后道制程阶段，为了降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能，晶圆在后续封装之前需要进行晶圆磨削，磨削后的芯片厚度甚至可以达到初始厚度的5％以下。
[0003]晶圆磨削技术主要应用于晶圆的背面磨削，所谓背面是指晶圆未铺设置有器件的一面，一般为衬底，衬底材料可以为硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等。
[0004]然而，现有技术在晶圆磨削后，主要是依赖于设备操作人员的加工经验来确定磨削模块的主轴与吸盘工作台(chuck table)的位置及姿态，主轴与吸盘工作台之间的空间角度直接与晶圆磨削后的平整度有关。
[0005]由于结构间隙、应力变形等因素的影响，晶圆磨削系统长时间运行后，主轴与吸盘工作台的空间角度往往偏离初始的设定值，进而影响晶圆的加工质量。再者，在进行超硬...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆磨削监测方法，其特征在于，包括以下步骤：位移测量，使用位移测量部实时测量吸盘工作台的位移；倾斜度计算，根据吸盘工作台的位移计算吸盘工作台的倾斜度；分析判定，若磨削过程中实时获得的倾斜度的计算值与设定值之差的绝对值大于阈值，则停止晶圆磨削并发出报警信号。2.如权利要求1所述的晶圆磨削监测方法，其特征在于，所述位移测量部设置于吸盘工作台的上侧，且所述位移测量部的测量点与设置于吸盘工作台底部的调节柱的位置相对应。3.如权利要求2所述的晶圆磨削监测方法，其特征在于，所述吸盘工作台的倾斜度使用凸凹度关联量α和饱满度关联量β表示，所述凸凹度关联量α是相对于x轴的偏转角度，所述x轴垂直于磨削区域；所述饱满度关联量β是相对于y轴的偏转角度，所述y轴平行于磨削区域端点的连线。4.如权利要求3所述的晶圆磨削监测方法，其特征在于，所述凸凹度关联量α：所述饱满度关联量β：其中，R是与吸盘工作台同心且经由测量点的圆的半径；H1是与一个调节柱对应测量点的位移量；H2是与另一个调节柱对应测量点的位移量。5.如权利要求3所述的晶圆磨削监测方法，其特征在于，所述凸凹度关联量α与凸凹度关联阈值δ
α
的关系为：|α1‑
α0|≤δ
α...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，路新春，王江涛，刘远航，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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