阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板的制备方法包括，在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线。在基板上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成待处理有源层。在待处理有源层上形成第一光阻层。刻蚀待处理有源层，形成有源层，第一光阻层位于有源层远离栅极绝缘层的一侧。在栅极绝缘层上形成第二光阻层。刻蚀栅极绝缘层，在栅极绝缘层形成通孔，通孔正对信号走线。去除第一光阻层和第二光阻层。在栅极绝缘层上形成源极和漏极，源极和漏极中的一者经通孔连接信号走线。在制备过程中，保留有源层上的第一光阻层，可以后续的制程中，保护有源层，避免有源层氧化或者损坏。保障阵列基板的电学性能，显示面板的显示性能良好。良好。良好。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示设备
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]随着有源显示面板驱动形式越来越多元化，在图案化有源层之后，还需要再次图案化栅极绝缘层。然而，由于额外多了一道栅极绝缘层的图案化制程，有源层的表面会经历两次黄光、剥离等制程，使得有源层表面氧化程度加重或者损坏，影响薄膜晶体管的电学性能，从而影响阵列基板的性能，降低显示面板的显示性能。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种有源层不易氧化的阵列基板的制备方法。
[0004]第一方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法。阵列基板的制备方法包括：
[0005]在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线。
[0006]在基板上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极和信号走线。
[0007]在栅极绝缘层上形成待处理有源层。
[0008]在待处理有源层上形成待处理第一光阻层，并经过曝光和显影形成第一光阻层。
[0009]刻蚀待处理有源层，形成有源层，第一光阻层位于有源层远离栅极绝缘层的一侧。
[0010]在栅极绝缘层上形成待处理第二光阻层，且待处理第二光阻层连接第一光阻层。
[0011]曝光和显影待处理第二光阻层，形成第二光阻层。
[0012]刻蚀栅极绝缘层，在栅极绝缘层形成通孔，通孔正对信号走线。
[0013]去除第一光阻层和第二光阻层。
[0014]在栅极绝缘层上形成源极和漏极。源极和漏极中的一者经通孔连接信号走线。
[0015]在一种可能实现的方式中，在栅极绝缘层上通过涂布工艺形成待处理第二光阻层。其中，涂布待处理第二光阻层的速度小于等于180毫米每秒。
[0016]在一种可能实现的方式中，“在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线”的步骤包括：
[0017]在基板上形成待处理第一金属层。
[0018]在待处理第一金属层上形成待处理光阻层，并经过曝光和显影形成光阻层。
[0019]刻蚀待处理第一金属层，形成第一金属层，部分第一金属层作为薄膜晶体管的栅极，部分第一金属层作为信号走线。
[0020]去除光阻层。
[0021]在一种可能实现的方式中，“在栅极绝缘层和有源层上形成源极和漏极”的步骤包括：
[0022]于栅极绝缘层上，形成待处理第二金属层，待处理第二金属层覆盖有源层。
[0023]在待处理第二金属层上形成待处理光阻层，并经过曝光和显影形成光阻层。
[0024]刻蚀待处理第二金属层，形成第二金属层，部分第二金属层作为源极，部分第二金
属层作为漏极。
[0025]去除光阻层。
[0026]在一种可能实现的方式中，在“在栅极绝缘层上形成源极和漏极，源极和漏极中的一者经通孔连接信号走线”的步骤之后还包括：
[0027]在栅极绝缘层上形成钝化保护层，钝化保护层覆盖有源层、源极和漏极。
[0028]第二方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法。阵列基板的制备方法包括：
[0029]在基板上形成间隔设置的第一栅极和第二栅极。
[0030]在基板上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖第一栅极和第二栅极。
[0031]在栅极绝缘层上形成待处理有源层。
[0032]在待处理有源层上形成待处理第一光阻层，并经过曝光和显影形成第一光阻层。
[0033]刻蚀待处理有源层，形成第一有源层和第二有源层，所述第一光阻层的一部分位于所述第一有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，一部分位于所述第二有源层远离所述栅极绝缘层的一侧。
[0034]在栅极绝缘层上形成待处理第二光阻层，且待处理第二光阻层连接第一光阻层。
[0035]曝光和显影待处理第二光阻层，形成第二光阻层。
[0036]刻蚀栅极绝缘层，在栅极绝缘层形成通孔，通孔正对第二栅极。
[0037]去除第一光阻层和第二光阻层。
[0038]在栅极绝缘层上形成第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，第一源极和第一漏极中的一者经通孔连接第二栅极。
[0039]在一种可能实现的方式中，待处理第二光阻层覆盖第一光阻层。
[0040]在一种可能实现的方式中，在栅极绝缘层上通过涂布工艺形成待处理第二光阻层，其中，涂布待处理第二光阻层的速度小于等于180毫米每秒。
[0041]第三方面，本申请提供一种阵列基板。阵列基板根据前面的方法制备而成。
[0042]第四方面，本申请提供一种显示面板。显示面板包括阵列基板。
[0043]可以理解的是，形成有源层之后，保留有源层上的第一光阻层，直接形成第二光阻层，对栅极绝缘层进行刻蚀，进而形成通孔。最后将第一光阻层与第二光阻层一起进行剥离，而不是先去除第一光阻层，再涂布第二光阻层，再去除第二光阻层。这样，一方面，有源层上被保留的第一光阻层可以保护有源层，避免有源层更长时间暴露在空气、剥离液、水等环境中，导致有源层表面氧化或有源层结构被破坏，与源极、漏极搭接处阻抗变大，进而影响薄膜晶体管的电性。另一方面，这样有源层表面仅经历一次光阻层的去除(即第一光阻层从有源层表面去除)，避免有源层表面经历两次光阻去除过程，而导致有源层表面受到过度损伤。
[0044]同时，还减少了一次去除光阻制程，加快了阵列基板的生产进程，且没有增加制程难度。此外，去除第一光阻层和第二光阻层之后，使得有源层和信号走线同时露出后，连接源极和漏极，避免中间将有源层和信号走线长时间暴露在空气中，导致氧化。
附图说明
[0045]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本
Film Transistor，TFT)阵列基板。彩膜基板200为彩色滤光片(color filter，CF)基板。液晶层300位于阵列基板100和彩膜基板200之间。
[0061]请再次参阅图1，显示面板1000包括显示区域400和非显示区域500，显示区域400用于显示图像。非显示区域500位于显示区域400周边。阵列基板100在显示区域400中的部分能够控制液晶层300的位于显示区域400的液晶的偏转方向，彩膜基板200在显示区域400中的部分能够过滤光线。阵列基板100、彩膜基板200及液晶层300相配合，使得显示区域400能够实现显示图像。
[0062]实施例一：请参阅图3至图17，图3是实施例一提供的阵列基板100的制备方法流程图，图4至图17是实施例一提供的阵列基板100的制备方法对应的各个制备步骤中的阵列基板100的部分剖面结构示意图。本申请公开了一种阵列基板100的制备方法，包括如下步骤：
[0063]S101：请参阅图4和图5，在基板10上形成间隔设置的栅极21和信号走线30。
[0064]在一种实施方式中，在基板10上形成待处理第一金属层40。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线；在基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极和所述信号走线；在所述栅极绝缘层上形成待处理有源层；在所述待处理有源层上形成待处理第一光阻层，并经过曝光和显影形成第一光阻层；刻蚀所述待处理有源层，形成有源层，所述第一光阻层位于所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧；在所述栅极绝缘层上形成待处理第二光阻层，且所述待处理第二光阻层连接所述第一光阻层；曝光和显影所述待处理第二光阻层，形成第二光阻层；刻蚀所述栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层形成通孔，所述通孔正对所述信号走线；去除所述第一光阻层和所述第二光阻层；在所述栅极绝缘层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极中的一者经所述通孔连接所述信号走线。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上通过涂布工艺形成所述待处理第二光阻层，其中，涂布所述待处理第二光阻层的速度小于等于180毫米每秒。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述“在基板上形成间隔设置的栅极和信号走线”的步骤包括：在基板上形成待处理第一金属层；在所述待处理第一金属层上形成待处理光阻层，并经过曝光和显影形成光阻层；刻蚀所述待处理第一金属层，形成第一金属层，部分所述第一金属层作为薄膜晶体管的栅极，部分所述第一金属层作为信号走线；去除所述光阻层。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述“在所述栅极绝缘层和所述有源层上形成源极和漏极”的步骤包括：于所述栅极绝缘层上，形成待处理第二金属层，所述待处理第二金属层覆盖所述有源层；在所述待处理第二金属层上形成待处理光阻层，并经过曝光和显影形成光阻层；刻蚀所述待处理第二金属层，形成第二金属层，部分所述第二金属层作为源极，部分所述第二金属层作为漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，刘振，张捷，许哲豪，郑浩旋，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：