【技术实现步骤摘要】
显示面板
[0001]本专利技术涉及显示
,特别涉及一种显示面板。
技术介绍
[0002]Micro
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LED技术为LED微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术,以将像素点的距离从毫米级降低至微米级,甚至是纳米级。具体地,阵列基板上设置有多个Micro
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LED芯片,由于阵列基板上排布的Micro
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LED芯片的芯片数量巨大,每个Micro
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LED芯片的引脚与阵列基板上焊盘之间采用表面点焊连接,可单独控制,因此Micro
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LED显示面板具有亮度更高、动态调节、功耗更低的优点。
[0003]但是Micro LED显示器中,红色Micro LED芯片和蓝色Micro LED芯片的效率以及稳定性远不及红色量子点发光器件和绿色量子点发光器件,提出了Micro
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LED芯片与量子点发光器件混合显示;常规Micro
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LED芯片为倒装结构的LED芯片,而量子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括驱动电路层以及位于所述驱动电路层之上的微型LED芯片和量子点发光器件,所述量子点发光器件位于所述微型LED芯片的一侧;所述微型LED芯片包括位于同层的第一阳极和第一阴极,所述第一阳极与所述第一阴极绝缘设置;所述量子点发光器件包括第二阳极、位于所述第二阳极之上的量子点发光材料层、以及位于所述量子点发光材料层之上的第二阴极,所述第二阴极与所述第一阴极电性连接;以及,垫高层,用于承载所述微型LED芯片以及所述量子点发光器件;其中,所述垫高层对应所述第一阳极与所述第一阴极之间的位置设置有底切结构,以在空间上使所述第一阳极与所述第一阴极断开。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层表面设置有平坦化层,所述平坦化层上设置有所述垫高层,所述垫高层包括间隔设置的第一子垫高层和第二子垫高层,所述第一子垫高层位于所述第一阳极的正下方,所述第二子垫高层位于所述第一阴极和所述第二阳极的正下方;其中,所述底切结构包括第一镂空结构和第二镂空结构,所述第一镂空结构位于所述第一子垫高层和所述第二子垫高层之间,所述第二镂空结构位于所述第一子垫高层远离所述第二子垫高层的一侧。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述量子点发光器件还包括位于所述第二子垫高层之上的像素定义层,所述第二阴极贴...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨荣娟,刘林峰,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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