一种片上SRAM阵列存储装置及AI神经网络图像数据存储方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种片上SRAM阵列存储装置，所述装置包括多个并列的bank块，每个bank块包括数量相同的连续的多个SRAM单元，每个SRAM单元包括连续的多行存储空间，不同bank块中的同一位置的SRAM单元组成一个SRAM单元行,其中，各个bank块中的各个SRAM单元按照如下方式进行编址：以第一个SRAM单元行中的第一个SRAM单元为起点进行顺序编址，以使相邻地址分散在不同bank块中；相邻SRAM单元行中，后一个SRAM单元行的第一个SRAM单元在前一个SRAM单元行的最后一个SRAM单元的地址的基础上顺序编址。后一个SRAM单元的地址的基础上顺序编址。后一个SRAM单元的地址的基础上顺序编址。

【技术实现步骤摘要】
一种片上SRAM阵列存储装置及AI神经网络图像数据存储方法


[0001]本专利技术涉及计算机系统结构设计领域，具体来说，涉及加速器片上存储设计，更具体地说，涉及一种片上SRAM阵列存储装置以及基于该装置的AI神经网络图像数据存储方法。

技术介绍

[0002]片上缓存是SoC芯片结构中，介于处理器CPU和内存DDR(也叫主存)之间，用于缓冲存放热点数据的容量较小的存储结构，数据存储的载体是SRAM单元。CPU的速度远高于内存，当CPU直接从内存中存取数据时要等待一定时间周期，而缓存则可以保存CPU刚用过或循环使用的一部分数据，若CPU需要再次使用该部分数据时可从缓存中直接调用，这样就避免了重复存取数据，减少了CPU的等待时间，提高了系统的运行效率。其中，片上缓存使用较多的结构是便笺式缓存器SPM(Scratch Pad Memory)和高速缓冲存储器Cache。
[0003]对计算速度要求高且计算密集的AI神经网络图像数据是一种阵列数据，其在内存DDR中的存储方式是逐行、行内逐个数据分量按照存储单元编址顺序存放。如图1所示的示例为包含3个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上SRAM阵列存储装置，其特征在于，所述装置包括多个并列的bank块，每个bank块包括数量相同的连续的多个SRAM单元，每个SRAM单元包括连续的多行存储空间，不同bank块中的同一位置的SRAM单元组成一个SRAM单元行,其中，各个bank块中的各个SRAM单元按照如下方式进行编址：以第一个SRAM单元行中的第一个SRAM单元为起点进行顺序编址，以使相邻地址分散在不同bank块中；相邻SRAM单元行中，后一个SRAM单元行的第一个SRAM单元在前一个SRAM单元行的最后一个SRAM单元的地址的基础上顺序编址。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述每个SRAM单元包括多行连续存储空间，每个SRAM单元行中位于不同bank块中的同一位置的存储空间组成一个存储行，每个存储行内的存储空间编址连续，相邻存储行中，后一个存储行的第一个存储空间在前一存储行的最后一个存储空间的基础上顺序编址。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述每个bank块包括64个或32个SRAM单元。4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述每个SRAM单元包括32行存储空间。5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海彬，刘艳欢，李文明，叶笑春，张浩，范东睿，
申请(专利权)人：中国科学院计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：