一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器技术

本申请公开一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器，涉及传感器技术领域。该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口；在SOI晶圆的第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构，第二区域获得第二硅悬梁结构。构。构。

【技术实现步骤摘要】
一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器


[0001]本公开涉及传感器
，尤其涉及一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器。

技术介绍

[0002]随着自动化趋势的发展，系统需要获取更多的外界信息，需要更多的传感器件。相关技术中，组合传感器一般是将多个传感器分别制造后，并利用多芯片组装技术集成到同一基板，这种组合传感器往往存在集成度较低，占用面积大、互联线路较长、可靠性较低的问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器，该多传感器组合结构的加工方法能够采用用一套加工工艺，将多种不同敏感原理的传感器结构加工在同一芯片上，从而可大幅度提升传感器的集成度，缩小传感器件的体积。
[0004]本申请提供一种多传感器组合结构的加工方法，包括：提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆顶硅层和单晶硅晶圆的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，包括：提供一个单晶硅晶圆，在所述单晶硅晶圆上形成深腔，在所述深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在所述SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使所述四个压敏电阻条和所述深腔对应，将所述SOI晶圆的顶硅层和所述单晶硅晶圆的所述第一绝缘层键合，所述深腔被封闭并处于预设压力值；将所述SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在所述SOI晶圆衬底层的与所述压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与所述四个压敏电阻条电连接的第一引线接口；在所述SOI晶圆背面划定间隔的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域均与所述四个压敏电阻条间隔分布，在所述第一区域和所述第二区域同时进行深硅刻蚀和埋氧层的释放，以在所述第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构，在所述第二区域获得第二硅悬梁结构。2.根据权利要求1所述的多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，在所述深腔所在一侧的表面沉积氧化硅以形成所述第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，所述键合的方法为热压熔融键合。4.根据权利要求1所述的多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，进行所述减薄后，所述SOI晶圆的厚度小于50μm。5.根据权利要求1所述的多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，在形成四个所述压敏电阻条的步骤中，包括：在所述SOI晶圆的顶硅层注入形成压敏电阻区，对所述压敏电阻区刻蚀形成四个浮雕型所述压敏电阻条。6.根据权利要求1所述的多传感器组合结构的加工方法，其特征在于，在所述SOI晶圆衬底层的与所述压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与所述四个压敏电阻条电连接的第一引线接口的步骤中，包括：对所述SOI晶圆衬底层的与所述压敏电阻条对应的区域进行开孔，以裸露所述压敏电阻条；在所述SOI晶圆背面沉积第二绝缘层，在所述第二绝缘层的与所述压敏电阻条对应的区域开孔以裸露所述压敏电阻条，在所述SOI晶圆背面进行金属沉积和图形化以形成所述第一引线接口...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦斌斌，刘瑞文，云世昌，孔延梅，叶雨欣，杜向斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：