【技术实现步骤摘要】
一种N型碳化硅肖特基二极管结构
[0001]本技术涉及一种N型碳化硅肖特基二极管结构。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)材料凭借其优良的性能成为了国际上功率半导体器件的研究热点。碳化硅(SiC)相比传统的硅材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等优势。禁带宽度大使碳化硅的本征载流子浓度低,从而减小了器件的反向电流;高的击穿场强可以大大提高功率器件的反向击穿电压,并且可以降低器件导通时的电阻;高热导率可以大大提高器件可以工作的最高工作温度;并且在众多高功率应用场合,比如:高速铁路、混合动力汽车、智能高压直流输电等领域,碳化硅基器件均被赋予了很高的期望。同时,碳化硅功率器件能够有效降低功率损耗,故此被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。如何提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压是本领域目前关注的一方面。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种N型碳化硅肖特基二极管结构,在二极管反向偏置时由于沟槽的设置可以将耗尽层扩展,得到较大的击穿电压,而沟槽内横纵设置的N型阱区和P型阱区具有横向耗尽和纵向耗尽,进一步使反向电压仅有极小部份落在肖特基势垒上,击穿电压得到极大提高。
[0004]为实现上述目的,本技术的技术方案是设计一种N型碳化硅肖特基二极管结构,包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+碳化硅衬底、N
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外延层及阳极金属层,N
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外延层其上端面设有若干个沟槽,沟槽的槽口与N
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外延层的上端面齐平,沟槽的槽 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种N型碳化硅肖特基二极管结构,其特征在于,包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+碳化硅衬底、N
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外延层及阳极金属层,N
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外延层其上端面设有若干个沟槽,沟槽的槽口与N
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外延层的上端面齐平,沟槽的槽底壁和槽侧壁上设有一层绝缘层;沟槽内由下至上设有两层多晶硅层且每层多晶硅层均包括交替设置且互相固定连接的条状N型阱区和条状P型阱区;上层中的阱区与下层中的阱区垂直设置。2.根据权利要求1所述的一种N型碳化硅肖特基二极管结构,其特征在于,所述绝缘层为二氧化硅层;沟槽的...
【专利技术属性】
技术研发人员:何海洋,胡健峰,梁金,
申请(专利权)人:无锡市查奥微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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