一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，孔洞在600℃高温条件下可以消除孔洞的环形边缘，但孔洞本身依然存在，使抛光效果达不到预期。本发明专利技术提供的方法在团簇离子束轰击靶材的过程中将靶材温度控制在400℃～800℃，加快靶材原子运动，从根源上消除孔洞；设备上采用导热性优良金属材质的样品台，通过连接电源的电阻式加热丝给样品台加热，样品台将热量传递给放置在样品台上的靶材，通过调节电源电压的大小控制流经电阻式加热丝上的电流来控制样品台、靶材的温度，装置温度可控范围广，且简便灵活、易于实现。易于实现。易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置


[0001]本专利技术涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置。

技术介绍

[0002]抛光技术是利用机械、化学或电化学的作用，降低工件表面粗糙度，以获得光洁、平整表面的加工方法。
[0003]传统的抛光工艺(机械抛光、化学抛光、电解抛光、激光抛光)技术成熟，在国内也早已实现了商业化，但都存在难以解决的弊端——抛光效果差，粗糙度只能降低至10nm，不适用于光学元件的超高精密抛光。而磁流变抛光技术、精密曲面气囊抛光技术、计算机数控研磨精度高，技术要求也高，需要经验丰富的技师操作。
[0004]气体团簇离子的单体与样品原子之间的相互作用呈高度的非线性关系，团簇离子轰击材料表面时，材料凸起处溅射率远高于下凹处，使得凸起处被侵蚀，从凸起处溅射出的靶材料遵循次余弦定律，几乎平行靶材表面飞溅出去，最后回落至下凹处，使得凸起与下凹处高度差逐渐减小，达到平坦化效果。同时由于团簇尺寸大，包含成百上千个原子，平均每个原子的能量只有几eV，团簇离子难以实现注入，对靶材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光的装置，至少包括设有靶材的样品台，其特征在于：样品台位于绝缘陶瓷管中，绝缘陶瓷管的一端开有通孔，靶材设于样品台朝向通孔的一端，样品台外表面包覆有云母片，云母片外设有与电源连接加热丝。2.根据权利要求1所述的靶材温度可控范围广的团簇离子束高温抛光装置，其特征在于：团簇离子束产生后从通孔处进入并轰击靶材。3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓梅，瓦西里，
申请(专利权)人：武汉大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：