【技术实现步骤摘要】
一种像素结构的内部补偿电路
[0001]本实用新涉及显示
,尤其涉及一种像素结构的内部补偿电路。
技术介绍
[0002]由于每个画素中的薄膜晶体管(TFT)会随着工作时间增加而慢慢老化,导致阈值电压(V
TH
)改变,同时每个TFT在制成的V
TH
就各不相同,而AMOLED的工作原理是电流驱动,而电流又主要受到V
TH
的影响,进而导致AMOLED面板亮度不均的问题,因此消除V
TH
的影响是一个重要的研究课题。同时面板的解析度又受到画素大小的影响,而画素大小则受每个子像素大小的影响,因此减少每个子像素中TFT的数量也是一个重要的研究课题。
技术实现思路
[0003]本实用新的目的在于提供一种像素结构的内部补偿电路,解决VTH 漂移引起的亮度不均匀问题。
[0004]本实用新采用的技术方案是:
[0005]一种像素结构的内部补偿电路,像素结构的每个像素单元包括相邻的至少两个子像素;每个子像素包括4T2C像素驱动电路,像素单 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素结构的内部补偿电路,其特征在于:像素结构的每个像素单元包括相邻的至少两个子像素;每个子像素包括4T2C像素驱动电路,像素单元包括设在外围的第一开关管,所述4T2C像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管,所述第一晶体管的一端与数据信号Data连接,第一晶体管的控制端与扫描信号Scan1连接,第一晶体管的另一端分别与第一电容的一端、第二晶体管的控制端连接;第二晶体管的一端与第三晶体管的一端连接,第三晶体管的控制端与EM信号连接,第三晶体管的另一端连接电源电压OVDD;第二晶体管的另一端连接有机发光二极管的阳极,第一电容的另一端分别连接第四晶体管的一端、第二电容的一端和有机发光二极管的阳极;第四晶体管的另一端连接高电压Vsus,第四晶体管的控制端连接重置信号Reset;第二电容的另一端以及有机发光二极...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘焱鑫,罗敬凯,贾浩,杨远直,林梦玲,
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司,
类型:新型
国别省市:
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