一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法技术

本发明专利技术公开一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法，像素结构的每个像素单元包括第一开关管和多个子像素；每个子像素包括4T2C驱动架构，第一晶体管一端连接Data，第一晶体管控制端连接Scan1，第一晶体管另一端连接第一电容一端和第二晶体管控制端；第二晶体管一端连接第三晶体管一端，第三晶体管控制端连接EM，第三晶体管另一端连接OVDD；第二晶体管另一端连接发光二极管，第一电容另一端连接第四晶体管一端、第二电容一端和发光二极管；第四晶体管另一端连接Vsus，第四晶体管控制端连接Reset；第二电容另一端、发光二极管的阴极连接OVSS；第一晶体管另一端均连接第一开关管一端，第一开关管另一端连接Verf，第一开关管控制端连接Scan2。本发明专利技术使面板亮度均匀。本发明专利技术使面板亮度均匀。本发明专利技术使面板亮度均匀。

An internal compensation circuit of pixel structure and its control method

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法。

技术介绍

[0002]由于每个画素中的薄膜晶体管（TFT）会随着工作时间增加而慢慢老化，导致阈值电压（V
TH
）改变，同时每个TFT在制成的V
TH
就各不相同，而AMOLED的工作原理是电流驱动，而电流又主要受到V
TH
的影响，进而导致AMOLED面板亮度不均的问题，因此消除V
TH
的影响是一个重要的研究课题。同时面板的解析度又受到画素大小的影响，而画素大小则受每个子像素大小的影响，因此减少每个子像素中TFT的数量也是一个重要的研究课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种像素结构的内部补偿电路及其控制方法，解决VTH 漂移引起的亮度不均匀问题。
[0004]本专利技术采用的技术方案是：一种像素结构的内部补偿电路，像素结构的每个像素单元包括相邻的至少两个子像素；每个子像素包括4T2C像素驱动电路，像素单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构的内部补偿电路，其特征在于：像素结构的每个像素单元包括相邻的至少两个子像素；每个子像素包括4T2C像素驱动电路，像素单元包括设在外围的第一开关管，所述4T2C像素驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管，所述第一晶体管的一端与数据信号Data连接，第一晶体管的控制端与扫描信号Scan1连接，第一晶体管的另一端分别与第一电容的一端、第二晶体管的控制端连接；第二晶体管的一端与第三晶体管的一端连接，第三晶体管的控制端与EM信号连接，第三晶体管的另一端连接电源电压OVDD；第二晶体管的另一端连接有机发光二极管的阳极，第一电容的另一端分别连接第四晶体管的一端、第二电容的一端和有机发光二极管的阳极；第四晶体管的另一端连接高电压Vsus，第四晶体管的控制端连接重置信号Reset；第二电容的另一端以及有机发光二极管的阴极连接至公共接地电压OVSS；每个子像素的第一晶体管的另一端分别连接至第一开关管的一端，第一开关管的另一端与基准电压Verf连接，第一开关管的控制端连接扫描信号Scan2。2.根据权利要求1所述的一种像素结构的内部补偿电路，其特征在于：第一开关管为晶体管。3.根据权利要求1所述的一种像素结构的内部补偿电路，其特征在于：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一开关管均为薄膜晶体管。4.根据权利要求1所述的一种像素结构的内部补偿电路，其特征在于：扫描信号Scan1和扫描信号Scan2由 GPIO电路产生。5.根据权利要求1所述的一种像素结构的内部补偿电路，其特征在于：补偿电路包括IC芯片，IC芯片产...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘焱鑫，罗敬凯，贾浩，杨远直，林梦玲，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：