基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法，包括：使用第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，以使上述基底的背面呈现为磨砂面，上述磨砂面的表面具有麻点；使用第二酸洗溶液对上述基底的背面进行第二次酸洗，以去除上述麻点。上述半导体器件结构的制备方法中，在对基底进行处理时，先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；由于基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。

【技术实现步骤摘要】
基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，很多工艺步骤之后需要对所得基底进行酸洗，然而，现有的酸洗工艺会使得酸洗后基底的背面呈现镜面；基底的镜面外观对于任何微小的缺陷(defect)都比较明显，譬如，对于颗粒缺陷(particle)、沾污或划伤，都会比较明显，从而影响基底的外观。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中酸洗后基底背面会呈现镜面的问题，提供一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法。
[0004]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种基底的处理方法，所述处理方法包括：
[0005]使用第一酸洗溶液对所述基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；
[0006]使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点。
[0007]在其中一个实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基底的处理方法，其特征在于，所述的处理方法包括：使用第一酸洗溶液对所述基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF。3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述第一次酸洗的时间包括100s～300s；所述第一次酸洗的温度包括10℃～50℃。4.根据权利要求1
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3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第二酸洗溶液包括HNO3、H2SO4、HF及H3PO4，或所述第二酸洗溶液包括CH3COOH、HNO3及HF。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述第二次酸洗的时间包括1s～10s；所述第二次酸洗的温度包括10℃～50℃。6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述基底包括硅晶圆，所述基底内形成有P型晶体管。7.一种半导体器件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄春梅，魏琪，王鑫垚，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：