基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法，包括：使用第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，以使上述基底的背面呈现为磨砂面，上述磨砂面的表面具有麻点；使用第二酸洗溶液对上述基底的背面进行第二次酸洗，以去除上述麻点。上述半导体器件结构的制备方法中，在对基底进行处理时，先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；由于基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。

【技术实现步骤摘要】
基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，很多工艺步骤之后需要对所得基底进行酸洗，然而，现有的酸洗工艺会使得酸洗后基底的背面呈现镜面；基底的镜面外观对于任何微小的缺陷(defect)都比较明显，譬如，对于颗粒缺陷(particle)、沾污或划伤，都会比较明显，从而影响基底的外观。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中酸洗后基底背面会呈现镜面的问题，提供一种基底的处理方法、处理设备及半导体器件结构的制备方法。
[0004]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种基底的处理方法，所述处理方法包括：
[0005]使用第一酸洗溶液对所述基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；
[0006]使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一次酸洗的时间包括100s～300s；所述第一次酸洗的温度包括10℃～50℃。
[0009]在其中一个实施例中，所述第二酸洗溶液包括HNO3、H2SO4、HF及H3PO4，或所述第二酸洗溶液包括CH3COOH、HNO3及HF。
[0010]在其中一个实施例中，所述第二次酸洗的时间包括1s～10s；所述第二次酸洗的温度包括10℃～50℃。
[0011]在其中一个实施例中，述基底包括硅晶圆，所述基底内形成有P型晶体管。
[0012]上述基底的处理方法先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。
[0013]第二方面，本专利技术还提供了一种半导体器件结构的制备方法，所述的制备方法包括：
[0014]提供衬底；
[0015]于所述衬底的正面形成半导体器件；
[0016]于所述衬底的背面形成金属层，所述金属层与所述半导体器件相连接；所述衬底、所述半导体器件及所述金属层共同构成基底；
[0017]采用如上述任一项所述的基底的处理方法对所述基底进行处理。
[0018]上述半导体器件结构的制备方法中，在对基底进行处理时，先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；由于基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。
[0019]在其中一个实施例中，所述衬底包括硅衬底；于所述衬底的正面形成半导体器件，包括：于所述衬底的正面形成P型晶体管。
[0020]第三方面，本专利技术还提供了一种基底的处理设备，所述的处理设备包括：
[0021]第一酸洗装置，用于使用第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；
[0022]第二酸洗装置，用于使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点。
[0023]上述基底的处理设备，可以先通过第一酸洗溶液对基底的背面进行第一次酸洗，使得基底的背面呈现具有麻点的磨砂面，再使用第二酸洗溶液对基底的背面进行第二次酸洗，去除基底背面的麻点，从而可以使得基底的背面呈现磨砂面；由于基底背面呈现磨砂面，因此基底背面微小的缺陷不明显，从而在基底背面有微小缺陷时不会明显影响基底的外观。在其中一个实施例中，所述第一酸洗装置包括第一承载台及第一喷淋系统，所述第一承载台用于承载所述基底，所述第一喷淋系统用于向所述基底的背面喷淋所述第一酸洗溶液。
[0024]在其中一个实施例中，第一酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF；第二酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF及H3PO4，或第二酸洗溶液包括CH3COOH、HNO3及HF。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为一种酸洗后呈现镜面的基底的俯视结构示意图；
[0027]图2为一种酸洗后呈现磨砂面且具有麻点的基底的俯视结构示意图；
[0028]图3为本申请一实施例中提供的一种基底的处理方法的流程图；
[0029]图4为本申请一实施例中提供的一种基底的处理方法中步骤S30所得结构的俯视结构示意图；
[0030]图5为本申请一实施例中提供的一种基底的处理方法中步骤S31所得结构的俯视结构示意图；
[0031]图6为本申请一实施例中提供的对处理后的基底背面的进行AFM测试时选择测试点的俯视结构示意图；
[0032]图7为一种基底只使用D刻蚀液处理后的表面粗糙度示意图；其中，图7中的a图为图6中
①
位置只使用D刻蚀液处理后的表面粗糙度示意图，图7中的b图为图6中的
②
位置只
使用D刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图，图7中的c图为图6中的
③
位置只使用D刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图，图7中的d图为图6中
④
位置只使用D刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图；
[0033]图8为一种基底的只使用E刻蚀液处理后的表面粗糙度示意图；其中，图8中的a图为图6中
①
位置只使用E刻蚀液处理后的表面粗糙度示意图，图8中的b图为图6中的
②
位置只使用E刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图，图8中的c图为图6中的
③
位置只使用E刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图，图8中的d图为图6中
④
位置只使用E刻蚀液处理后的表面粗糙度的示意图；
[0034]图9为一种基底的使用本申请的基底的处理方法处理后的表面粗糙度示意图；其中，图9中的a图为图6中
①
位置使用本申请的基底的处理方法处理后的表面粗糙度示意图，图9中的b图为图6中的
②
位置使用本申请的基底的处理方法处理后的表面粗糙度的示意图，图9中的c图为图6中的
③
位置使用本申请的基底的处理方法处理后的表面粗糙度的示意图，图9中的d图为图6中
④
位置使用本申请的基底的处理方法处理后的表面粗糙度的示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基底的处理方法，其特征在于，所述的处理方法包括：使用第一酸洗溶液对所述基底的背面进行第一次酸洗，以使所述基底的背面呈现为磨砂面，所述磨砂面的表面具有麻点；使用第二酸洗溶液对所述基底的背面进行第二次酸洗，以去除所述麻点。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一酸洗溶液包括HNO3、H2SO4及HF。3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述第一次酸洗的时间包括100s～300s；所述第一次酸洗的温度包括10℃～50℃。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第二酸洗溶液包括HNO3、H2SO4、HF及H3PO4，或所述第二酸洗溶液包括CH3COOH、HNO3及HF。5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述第二次酸洗的时间包括1s～10s；所述第二次酸洗的温度包括10℃～50℃。6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述基底包括硅晶圆，所述基底内形成有P型晶体管。7.一种半导体器件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄春梅，魏琪，王鑫垚，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：