【技术实现步骤摘要】
一种催化剂掺杂铜烧结膏及其制备方法和使用方法
[0001]本专利技术涉及半导体芯片封装
,尤其是涉及一种催化剂掺杂铜烧结膏及其制备方法和使用方法。
技术介绍
[0002]功率电子器件已经被广泛的应用在现代社会的各个领域,包括电力电子,电动汽车,自动化系统及能源转换等。对于新型互连材料及先进封装的要求也不断提高。其中,高压高电流高温下的互连材料的稳定性对可靠性极为重要,互连材料如何实现高导电率、高导热率、高机械强度,以及实现低温烧结,成为急需解决的问题。
[0003]现有的铜烧结技术,基于铜的金属非常容易氧化,烧结后容易生产氧化物,易导致孔隙率较高,降低连接强度,且热导率较低。
技术实现思路
[0004]为解决现有的铜膏体烧结后容易生产氧化物、易导致孔隙率较高、降低连接强度、且热导率较低的技术问题,本专利技术提供一种催化剂掺杂铜烧结膏及其制备方法和使用方法。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现:
[0006]本专利技术提供一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,包括以 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:准备催化剂颗粒;S2:配置含铜粒子的分散浆料;S3:将催化剂颗粒加入含铜粒子的分散浆料,获得催化剂掺杂的铜烧结膏;S4:采用混合器对催化剂掺杂铜烧结膏做均匀混合处理,获得最终的催化剂掺杂铜烧结膏。2.根据权利要求1所述的一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,其特征在于,所述催化剂包括金属催化剂或非金属催化剂,金属催化剂包含金属金、银、铟、镍、锡、锑、铋、钛、钴的单质或合金,非金属催化剂包括石墨、石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管、氮化铝、碳化硅、金刚石的纳米颗粒。3.根据权利要求1所述的一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,其特征在于,所述催化剂的形状为片状或球形的纳米颗粒,所述催化剂的颗粒小于300nm;所述催化剂的质量占金属或非金属催化剂掺杂铜烧结膏总质量比范围为0.5%
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15%。4.根据权利要求1所述的一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,其特征在于,所述含铜粒子的分散浆料包括含铜离子的醇基体系溶剂或含铜离子的树脂基体系溶剂;所述醇基体系溶剂由松油醇、异丁醇、聚乙烯醇、聚乙二醇、抗坏血酸或乙二醇胺中的两种或以上物质组成;所述树脂基体系溶剂由松油醇、异丁醇、环氧树脂或其固化剂、抗坏血酸或乙二醇胺中的两种或以上物质组成;所述含铜粒子的分散浆料中,铜粒径小于2微米。5.根据权利要求1所述的一种催化剂掺杂铜烧结膏的制备方法,其特征在于,所述步骤S3涉及的将催化剂颗粒加入含铜粒子的分散浆料,获得催化剂掺杂的铜烧结膏的方法为:将催化剂颗粒加入铜粒子的分散浆...
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