基板的封装方法、显示面板及显示设备技术

技术编号:34442719 阅读:42 留言:0更新日期:2022-08-06 16:34
本申请涉及一种基板的封装方法、显示面板及显示设备。该基板的封装方法包括:在显示基板上形成第一无机层;在所述第一无机层上形成第二无机层;在所述第二无机层上形成第三无机层。本申请中方法先在显示基板上形成第一无机层,然后在所述第一无机层上形成第二无机层,最后在所述第二无机层上形成第三无机层;其中所述第二无机层与所述第三无机层之间的接触面为锯齿状表面。由于第二无机层与第三无机层之间的接触面为锯齿状表面,则第三无机层中的应力不会全部竖直向下作用在第二无机层上,因此通过第二无机层、第一无机层传导至显示基板上的应力更小,从而减轻对显示面板造成损伤。从而减轻对显示面板造成损伤。从而减轻对显示面板造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
基板的封装方法、显示面板及显示设备


[0001]本申请涉及显示
,特别是涉及基板的封装方法、显示面板及显示设备。

技术介绍

[0002]薄膜封装是近年比较热门的封装方法,即在已完成显示层的基板表面形成结构致密的薄膜,由于该薄膜的致密性及无间隙性,它能对封装区域的器件进行物理保护,来达到阻隔水汽和氧气的效果。采用化学气相沉积(CVD)得到的氮化硅(SiNx)薄膜是最常见的一种薄膜,制备该薄膜的过程中增加反应气体中氢气的含量有利于提高氮化硅薄膜的致密性,但提高氢气含量也会导致薄膜中应力增加;其中氢气会阻止薄膜中Si与N的相互交链,使薄膜体积膨胀,产生压应力,进而削弱氮化硅薄膜原有的密封、绝缘效果,应力作用在基板表面也会影响显示器件的性能。因此,氮化硅薄膜一方面需要具有良好的致密性,另一方面氮化硅薄膜也需具有较低的应力,以减小应力对显示器件的性能的影响。
[0003]现有的薄膜封装方法是将多层无机层及有机层交错成膜来达到致密封装的效果,相邻两层膜之间的接触面为平面;故相邻两层中上层膜的应力会竖直向下作用在下层膜,该应力在通过下层膜的传导也间接作用在显示基板表面上,从而影响显示器件成品的性能。

技术实现思路

[0004]基于此,本申请实施例提供一种基板的封装方法、显示面板及显示设备,用于降低装膜层传导至显示基板上的应力,从而减轻对显示面板造成损伤。
[0005]为了实现上述目的,本申请实施例提供了一种基板的封装方法,所述基板的封装方法包括:
[0006]在显示基板上形成第一无机层
[0007]在所述第一无机层上形成第二无机层;
[0008]在所述第二无机层上形成第三无机层;
[0009]其中,所述第二无机层与所述第三无机层之间的接触面为锯齿状表面。
[0010]可选的,形成所述第一无机层的过程中通入第一反应气体,形成所述第二无机层的过程中通入第二反应气体,形成所述第三无机层的过程中通入第三反应气体;
[0011]其中,所述第一反应气体中氢气的含量低于所述第二反应气体中氢气的含量,所述第二反应气体中氢气的含量低于所述第三反应气体中氢气的含量。
[0012]可选的,所述第二反应气体中氢气的含量与所述第一反应气体中氢气的含量之差为预设值;所述第三反应气体中氢气的含量与所述第二反应气体中氢气的含量之差为所述预设值。
[0013]可选的,所述第二无机层与第三无机层之间的接触面为矩形锯齿状表面。
[0014]可选的,所述基板的封装方法还包括:
[0015]在所述第三无机层上形成第四无机层;
[0016]在所述第四无机层上形成第五无机层;
[0017]其中,所述第四无机层与所述第五无机层之间的接触面为锯齿状表面。
[0018]可选的,形成所述第四无机层的过程中通入第四反应气体,形成所述第五无机层的过程中通入第五反应气体;
[0019]其中,所述第三反应气体中氢气的含量低于所述第四反应气体中氢气的含量,所述第四反应气体中氢气的含量低于所述第五反应气体中氢气的含量。
[0020]可选的,所述第四反应气体中氢气的含量与所述第三反应气体中氢气的含量之差为预设值;所述第五反应气体中氢气的含量与所述第四反应气体中氢气的含量之差为所述预设值。
[0021]可选的,所述第四无机层与所述第五无机层之间的接触面为矩形锯齿状表面。
[0022]另一方面,本申请实施例还提供了一种显示面板,所述显示面板采用上述任一所述的方法制得。
[0023]另一方面,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括控制器以及上述任一所述的显示面板;控制器连接显示面板。
[0024]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果:
[0025]本申请提供一种基板的封装方法、显示面板及显示设备,先在显示基板上形成第一无机层,然后在所述第一无机层上形成第二无机层,最后在所述第二无机层上形成第三无机层;其中所述第二无机层与所述第三无机层之间的接触面为锯齿状表面。由于第二无机层与第三无机层之间的接触面为锯齿状表面,则第三无机层中的应力不会全部竖直向下作用在第二无机层上,因此通过第二无机层、第一无机层传导至显示基板上的应力更小,从而减轻对显示面板造成损伤。
附图说明
[0026]图1为本申请实施例提供的基板的封装方法的步骤流程图。
[0027]图2为本申请实施例提供中步骤S11执行后基板及标记芯片的结构示意图。
[0028]图3为本申请实施例提供中步骤S12执行后基板及标记芯片的结构示意图。
[0029]图4为本申请实施例提供中步骤S13执行后基板及标记芯片的结构示意图。
[0030]图5为图4中A处的局部放大图。
[0031]图6为本申请实施例提供的另一基板的封装方法的步骤流程图。
[0032]图7为本申请实施例提供中步骤S14执行后基板及标记芯片的结构示意图。
[0033]图8为本申请实施例提供中步骤S15执行后基板及标记芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0034]为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0035]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于
描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0037]随着显示面板行业的不断发展,具有自发光、低能耗、宽视角、响应速度快及可弯曲等优点的有机发光二极体面板(OLED)越来越受到广泛的关注,OLED封装效果是影响器件性能和器件寿命的重要因素,器件对水汽和氧气是非常敏感的,因此开发并研究出高效的封装方法不仅能延长器件寿命还能推动整个行业的进步。薄膜封装是近年比较热门的封装方法,即在已完成显示层的基板表面形成结构致密的薄膜,由于该薄膜的致密性及无间隙性,它能对封装区域的器件进行物理保护,来达到阻隔水汽和氧气的效果。采用化学气相沉积(CVD)得到的氮化硅(SiNx)薄膜是最常见的一种薄膜,制备该薄膜的过程中增加反应气体中氢气的含量有利于提高氮化硅薄膜的致密性,但提高氢气含量本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板的封装方法,其特征在于,所述基板的封装方法包括:在显示基板上形成第一无机层;在所述第一无机层上形成第二无机层;在所述第二无机层上形成第三无机层;其中,所述第二无机层与所述第三无机层之间的接触面为锯齿状表面。2.根据权利要求1所述的基板的封装方法,其特征在于,形成所述第一无机层的过程中通入第一反应气体,形成所述第二无机层的过程中通入第二反应气体,形成所述第三无机层的过程中通入第三反应气体;其中,所述第一反应气体中氢气的含量低于所述第二反应气体中氢气的含量,所述第二反应气体中氢气的含量低于所述第三反应气体中氢气的含量。3.根据权利要求2所述的基板的封装方法,其特征在于,所述第二反应气体中氢气的含量与所述第一反应气体中氢气的含量之差为预设值;所述第三反应气体中氢气的含量与所述第二反应气体中氢气的含量之差为所述预设值。4.根据权利要求3所述的基板的封装方法,其特征在于,所述第二无机层与第三无机层之间的接触面为矩形锯齿状表面。5.根据权利要求2至4任一项所述的基板的封装方法,其特征在于,所述基板的封装方...

【专利技术属性】
技术研发人员:高淑婷
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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