本实用新型专利技术涉及发光芯片领域，公开一种发光装置，包括基座、透光结构、LED芯片以及能够在LED芯片的刺激下发出近红外光的发光材料涂覆层，基座设置有凹陷部，透光结构罩设于凹陷部顶端、以封闭凹陷部，LED芯片和发光材料涂覆层均设置于凹陷部内，且透光结构、发光材料涂覆层以及LED芯片三者位置相对、并由上至下依次设置。LED芯片和发光材料涂覆层的成本远小于近红外芯片的成本，与现有近红外发光装置相比，本实用新型专利技术提供的发光装置成本大大降低。本实用新型专利技术提供的发光装置成本大大降低。本实用新型专利技术提供的发光装置成本大大降低。
【技术实现步骤摘要】
一种发光装置
[0001]本技术涉及发光芯片领域，特别是涉及一种发光装置。
技术介绍
[0002]近红外光可以广泛的应用在安防监控、食品检测、生物识别等领域，随着电子产品小型化、手持化发展，体积紧凑的近红外发光装置备受关注。但现有的近红外发光装置大多采用近红外芯片，近红外芯片成本高，无法满足目前近红外相关应用的要求。
[0003]因此，如何降低近红外发光装置的成本成为本领域技术人员目前所亟待解决的问题。
技术实现思路
[0004]为解决以上技术问题，本技术提供一种成本低的发光装置。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0006]本技术提供一种发光装置，包括基座、透光结构、LED芯片以及能够在LED芯片的刺激下发出近红外光的发光材料涂覆层，所述基座设置有凹陷部，所述透光结构罩设于所述凹陷部顶端、以封闭所述凹陷部，所述LED芯片和所述发光材料涂覆层均设置于所述凹陷部内，且所述透光结构、所述发光材料涂覆层以及所述LED芯片三者位置相对、并由上至下依次设置。
[0007]优选地，所述基座采用散热材料制成。
[0008]优选地，所述透光结构为凸透镜。
[0009]优选地，在所述LED芯片的刺激下，所述发光材料涂覆层还能够发出可见光。
[0010]优选地，所述发光材料涂覆层至少由近红外发光材料和可见光发光材料混合而成。
[0011]优选地，所述近红外发光材料的发射波长范围在700nm
‑
1500nm，且所述近红外发光材料的化学组成为A
y
Q
a
M
b
O
q
:zD，其中，A元素为Li、Na、Be、Ca、Zn中的一种或两种；Q元素为Y、La、Lu、Gd、Sc中的一种或两种；M元素为B、Ga、In、Al、Si中的一种或两种，其中必含B；D元素为Cr、Yb、Er、Nd、Pr、Sm、Bi、Ce中的一种或两种，其中必含Cr；参数y、a、b、q和z满足条件：1≤y≤3，0≤a≤1，1≤b≤3，5≤q≤9，0≤z≤9。
[0012]优选地，所述可见光发光材料的发射波长范围在580nm
‑
700nm，且可见光发光材料的化学组成为K2Ti1‑
a
F6:aMn
4+
、(Lu，Y，Gd)3‑
b
(Al，Ga)5O
12
:bCe
3+
中的一种或两种，其中0.001≤b≤0.15，0.001≤b≤0.15。
[0013]优选地，所述近红外发光材料的边界粒径(X
10
，X
90
)为(3，30)，且D
90
/D
10
‑
1＜0.01。
[0014]优选地，所述LED芯片的发射波长范围在300nm
‑
500nm。
[0015]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0016]本技术提供的发光装置，包括基座、透光结构、LED芯片以及能够在LED芯片的刺激下发出近红外光的发光材料涂覆层，基座设置有凹陷部，透光结构罩设于凹陷部顶端、
以封闭凹陷部，LED芯片和发光材料涂覆层均设置于凹陷部内，且透光结构、发光材料涂覆层以及LED芯片三者位置相对、并由上至下依次设置。LED芯片和发光材料涂覆层的成本远小于近红外芯片的成本，通过采用LED芯片和发光材料涂覆层替代近红外芯片，与现有近红外发光装置相比，本技术提供的发光装置成本大大降低。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例中提供的发光装置的结构示意图。
[0019]附图标记说明：100、发光装置；1、基座；2、透光结构；3、LED芯片；4、发光材料涂覆层。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]本技术的目的是提供一种成本低的发光装置。
[0022]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0023]参考图1所示，本实施例提供的发光装置100，包括基座1、透光结构2、LED芯片3以及能够在LED芯片3的刺激下发出近红外光的发光材料涂覆层4，基座1顶端设置有凹陷部，本实施例中具体地，凹陷部由基座1顶端部分凹陷而成，透光结构2罩设于凹陷部顶端、以封闭凹陷部，LED芯片3和发光材料涂覆层4均设置于凹陷部内，且透光结构2、发光材料涂覆层4以及LED芯片3三者位置相对、并由上至下依次设置。LED芯片3和发光材料涂覆层4的成本远小于近红外芯片的成本，通过采用LED芯片3和发光材料涂覆层4替代近红外芯片，与现有近红外发光装置100相比，本技术提供的发光装置100成本大大降低。
[0024]在LED芯片3工作时会产生热量，这部分热量会降低发光材料涂覆层4的发光强度同时加速发光材料涂覆层4的老化，为了避免该情况发生，本实施例中，基座1采用散热材料制成。通过基座1将LED芯片3工作时会产生热量散发出去。
[0025]进一步地，基座1的热导率在200W/(mK)
‑
650W/(mK)之间。
[0026]进一步地，发光材料涂覆层4的有效吸收范围在350nm
‑
808nm之间，在LED芯片3的激发下发射出波段在580nm
‑
1500nm的光。
[0027]由于光通过凸透镜的发射面更广，本实施例中，透光结构2选用凸透镜。
[0028]于本实施例中，在LED芯片3的刺激下，发光材料涂覆层4还能够发出可见光。
[0029]进一步地，发光材料涂覆层4至少由近红外发光材料和可见光发光材料混合而成。通过改变发光材料涂覆层4的组成，能够调节发光装置100的光谱。需要说明的是由近红外
发光材料和可见光发光材料混合形成，发光材料涂覆层4属于现有技术。
[0030]进一步地，近红外发光材料的发射波长范围在700nm
‑
1500nm，且近红外发光材料的化学组成为A
y
Q
a
M
b
O
q
:zD，其中，A元素为Li、Na、Be、Ca、Zn中的一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括基座、透光结构、LED芯片以及能够在LED芯片的刺激下发出近红外光的发光材料涂覆层，所述基座设置有凹陷部，所述透光结构罩设于所述凹陷部顶端、以封闭所述凹陷部，所述LED芯片和所述发光材料涂覆层均设置于所述凹陷部内，且所述透光结构、所述发光材料涂覆层以及所述LED芯片三者位置相对、并由上至下依次设置。2.根据权利要求1所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲频，潘锡翔，周强，罗莉，温禄，
申请(专利权)人：江西离子型稀土工程技术研究有限公司，
类型：新型
国别省市：
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