本发明专利技术公开了一种基于混沌信号宽带特性的超宽带（ＵＷＢ：Ｕｌｔｒａ－ｗｉｄｅ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）信号发生方法和电路。将混沌电路应用于超宽带信号发生，关键在于提高混沌电路的主导工作频率以提高其输出信号带宽。使用微波Ｃｏｌｐｉｔｔｓ混沌电路，可以产生从直流到微波频段的连续频谱，与传统的超宽带信号发生方法相比，具有电路结构简单、性能稳定、价格便宜的优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超宽带(UWB)信号的产生方法和电路，尤其是涉及一种基于混沌信号宽带特性的超宽带信号发生方法和电路。
技术介绍
随着无线通信技术的飞速发展，可利用的频谱资源日趋饱和。然而，人们对无线通信系统的要求仍在不断提高，希望其提供更高的数据速率，成本更低，功耗更小。在这样的背景下，超宽带技术已逐渐成为无线通信研究领域的一个热点，其中作为载波的超宽带信号的产生方法更是一个热点和难点。当前产生超宽带信号有两种方法脉冲方式(Impulse Radio)和多带方案(MultibandApproach)，这两种方法所需要的电路结构均较为复杂。与之相比，混沌信号具有天然的宽带特性，可以用高频混沌电路产生超宽带信号。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于混沌信号宽带特性的超宽带信号发生方法和电路。混沌信号具有天然的宽带特性，同时混沌电路又具有结构简单、价格便宜、性能稳定等多方面的优点，因而使用高频混沌电路产生超宽带信号，具有很好的技术优势。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一.基于混沌信号宽带特性的超宽带信号发生方法1)利用混沌信号的宽带特性来进行超宽带信号发生，即通过提高混沌电路的主导工作频率，提高其所输出混沌信号的带宽；2)采用考毕兹(Colpitts)振荡电路，Colpitts电路可以工作在混沌振荡状态，此时其输出信号的频谱分布在从直流到一个上限频率fU之间，对于一个给定的上限频率fU，为产生混沌振荡，Colpitts电路的主要电路参数需满足以下条件C1=(1-k)1.1I0Q2πVTg*fU-Cc-Cre----(1)]]>C2=0.6kI0QπVTg*fU-Ce-Cre----(2)]]>L=1.1VTg*2πk2I0QfU----(3)]]> R=VTg*k2I0Q2----(4)]]>式中g*为振荡器开环增益，k为调节C1、C2两个电容取值的缩放因子，Q是混沌振荡器空载时候的品质因素。二.基于混沌信号宽带特性的超宽带信号发生电路V+、V-是正电源和负电源，分别连接到两个容量相同的电感L0的一端，微波三极管Q1基极接地，发射极接电阻Re后再连接到与V-电源相连的电感L0的另一端，集电极通过电感L接电阻R后再连接到与V+电源相连的电感L0的另一端，电容C1跨接在微波三极管Q1的集电极与发射极间，电容C2接在微波三极管Q1的发射极和地之间；在于电路中再加入了一级由三极管Q2、电阻R1、R2、R3和电容C3、C4构成的射极跟随器；电阻R1一端接在三极管Q2的基极，另一端与V+电源相连的电感L0的另一端连接；电阻R2一端接在三极管Q2的基极，另一端接地；电阻R3一端接三极管Q2的发射极和电容C4，另一端接地，电容C3接在微波三极管Q1发射极与三极管Q2基极之间，使得Colpitts电路产生的振荡信号经电容C3耦合三极管Q2，然后经过电容C4耦合输出到Vout。本专利技术具有的有益的效果是使用微波Colpitts混沌电路，可以产生从直流到微波频段的连续频谱，与传统的超宽带信号发生方法相比，具有电路结构简单、性能稳定、价格便宜的优点。附图说明图1是Colpitts电路原理图；图2是本专利技术实现的电路原理图；图3是微波三极管Q1采用BFG520XR时输出混沌信号的时域波形图；图4是微波三极管Q1采用BFG520XR时的输出频谱；图5是微波三极管Q1采用BFG425W时的输出频谱。具体实施例方式如图1所示，即考毕兹(Colpitts)振荡电路。Colpitts电路可以处于混沌状态，此时其输出信号的频谱分布在从直流到一个上限频率fU之间。对于一个给定的上限频率fU，为产生混沌振荡，Colpitts电路的主要电路参数需满足以下条件C1=(1-k)1.1I0Q2πVTg*fU-Cc-Cre----(1)]]> C2=0.6kI0QπVTg*fU-Ce-Cre----(2)]]>L=1.1VTg*2πk2I0QfU----(3)]]>R=VTg*k2I0Q2----(4)]]>式中g*为振荡器开环增益，k为调节两个电容取值的放缩因子，Q是混沌振荡器空载时候的品质因素。如图2所示是上述原理电路的实际实现电路，图中，V+、V-是正电源和负电源，与V+、V-相连的两个容量相同的电感L0的作用在于隔离电路的直流电源部分和交流振荡部分。微波三极管Q1的型号是BFG520XR，其基极接地，发射极接电阻Re，集电极通过电感L接电阻R。电容C1跨接在微波三极管Q1的集电极与发射极间，电容C2接在微波三极管Q1的发射极和地之间。图2和图1相比，最大的不同点在于实现电路中加入了一级由三极管Q2、电阻R1、R2、R3和电容C3、C4构成的射极跟随器。该级电路的加入用以避免负载电路以及其它外界电路对Colpitts电路的混沌振荡状态的影响。电阻R1、R2为三极管Q2的偏置电阻。电容C3接在微波三极管Q1发射极与三极管Q2基极之间，使得Colpitts电路产生的振荡信号经电容C3耦合三极管Q2的基极，电阻R3将由三极管Q2基极输入产生的发射极电流信号转化为电压信号，通过电容C4耦合输出到Vout。电路上电后，通过调节正负电源电压V+、V-，使Colpitts电路工作在混沌振荡状态，将电容C2上输出的混沌信号通过射级跟随器从Vout输出。在图2中各电路元件根据其取值方法的不同可以分为三组。第一组元件的取值是确定的，主要包括隔离电感，耦合电容和射级跟随器的偏置电路元件，它们的取值分别为L0＝10μH，Re＝R3＝196Ω，C3＝1pF，R1＝5KΩ，R2＝3KΩ，C4＝200pF.第二组元件是正负电压源，从电路模型的分析可知，正电压源只需使电路偏置合适即可，负电压源需要根据Re的取值和I0的取值进行估算。在实现电路中，正负电源的取值在预先估算的取值范围内可以连续调节，以补偿电路中寄生参数等非理想情况的影响。第三组元件是Colpitts电路的主要元件，它们的取值决定了Colpitts电路能否工作在混沌振荡状态以及输出混沌信号的上限频率fU，这些元件的取值由公式(1-4)决定。在本电路中，取g*＝16.53，k＝0.5，Q＝1.786，I0＝20mA，计算得出的主要元件取值列于表1中。因为实际元件的标称值不可能与计算值完全相等，所以电路中使用跟计算值尽量接近的元件。表1.电路主要元件取值 实验中使用的三极管是Philips公司的宽带三极管BFG520XR和BFG425W，其截止频率为9GHz和25GHz。实验中主要通过调节正负电压源的取值(其中正电压源的调节为微调)来调整电路振荡状态。对于上述已确定的电路参数，将正电源电压固定在3.5V，调整负电压源取值从-3至-14变化时，可以观察到电路经历平衡状态，周期振荡，倍周期分叉至混沌振荡的过程。在负电源电压取13.7V时，可以观察到稳定的混沌振荡。当使用BFG520XR时，使用Tektronix公司的示波器TDS7104，观测到的输出混沌振荡信号时域波形及频谱分布如图3、图4所示。从图4所示频谱图可以看出，其主要的频谱分量集中在从直流到1GHz之间。当本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于混沌信号宽带特性的超宽带信号发生方法，其特征在于：１）利用混沌信号的宽带特性来进行超宽带信号发生，即通过提高混沌电路的主导工作频率，提高其所输出混沌信号的带宽；２）采用考毕兹（Ｃｏｌｐｉｔｔｓ）振荡电路，Ｃｏｌｐｉｔ ｔｓ电路工作于混沌振荡状态，此时其输出信号的频谱分布在从直流到一个上限频率ｆ↓［Ｕ］之间，对于一个给定的上限频率ｆ↓［Ｕ］，为产生混沌振荡，Ｃｏｌｐｉｔｔｓ电路的主要电路参数需满足以下条件：＊＊＊（１）Ｃ↓［２］＝０．６ ｋＩ↓［０］Ｑ／πＶ↓［Ｔ］ｇ↑［＊］ｆ↓［Ｕ］－Ｃ↓［ｅ］－Ｃ↓［ｒｅ］（２）Ｌ＝１．１Ｖ↓［Ｔ］ｇ↑［＊］／２πｋ↑［２］Ｉ↓［０］Ｑｆ↓［Ｕ］（３）Ｌ↓［０］Ｒ＝Ｖ↓［Ｔ］ｇ↑［＊］／ｋ↑［２］Ｉ↓［０］Ｑ↑［ ２］（４）式中：ｇ↑［＊］为振荡器开环增益，ｋ为调节Ｃ１、Ｃ２两个电容取值的缩放因子，Ｑ是混沌振荡器空载时候的品质因素。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冉立新，史治国，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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