一种N型背面结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种N型背面结太阳能电池，包括N型单晶硅片，设置于所述N型单晶硅片正面的金属栅线正电极、重掺杂层、正面钝化减反射膜、正面磷扩散层以及设置于所述N型单晶硅片背面的背电极、铝膜层、P型掺杂层和背面钝化层；所述的重掺杂层位于所述金属栅线正电极的下方。本实用新型专利技术的N型背面结太阳能电池，其结构简单且可以在现有的P型太阳能电池产线基础上完成生产加工，不需要对现有的生产线进行改造，可以直接使用现有生产线，其成本低。本实用新型专利技术设计的N型背面结太阳能电池，具备光电转换效率高以及制备成本低等优点，对于推进低成本、高性能的太阳电池大规模生产具有十分重要的意义。要的意义。要的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种N型背面结太阳能电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种N型背面结太阳能电池。

技术介绍

[0002]化石能源短缺及由化石能源消费引起的环境问题是促使人们发展清洁的可再生能源的主要动因。在可再生能源形式中，太阳能发电一直占据着非常重要位置。
[0003]目前，晶硅太阳能电池占据整个光伏市场份额90％以上，而其中的绝大部分是P型单晶硅太阳能电池。另一方面，由于物理性质上的差异，在掺杂合适的情况下，N型硅片比P型硅片更适合制造太阳能电池；因为N型太阳能电池具有P型太阳能电池所不具备的抗衰减性能，在P太阳能型电池向更高效的N型电池发展过程中，该制备方法成为降低成本的另一条道路。典型的N型太阳能电池采用表面硼扩散的方法来制造P
‑
N结，但是随之而来的问题是这种方法需要更高的扩散温度和时间，使得本来被大量采用的P型电池生产线需要更新设备，实质上增加了制造成本。而如果不使用硼扩散，改用背面铝掺杂就无需对现有生产线进行改造，可以直接使用现有生产线，降低成本。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于针对
技术介绍
中存在的不足，提供一种N型背面结太阳能电池，且该太阳能电池可以直接利用现有的生产线进行制造，无需更新设备，成本低。
[0005]本技术是通过如下技术方案实现的：
[0006]一种N型背面结太阳能电池，其特征在于，所述的太阳能电池包括N型单晶硅片，设置于所述N型单晶硅片正面的金属栅线正电极、重掺杂层、正面钝化减反射膜、正面磷扩散层以及设置于所述N型单晶硅片背面的背电极、铝膜层、P型掺杂层和背面钝化层；所述的重掺杂层位于所述金属栅线正电极的下方。
[0007]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：在所述N型单晶硅片背面与所述铝膜层之间通过烧结形成所述P型掺杂层。
[0008]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：在所述N型单晶硅片背面与所述铝膜层之间设有局部开孔的所述背面钝化层。
[0009]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的背面钝化层为氮化硅多层钝化层或氮化硅与氮氧化硅组成的复合钝化层；所述背面钝化层的厚度为30
‑
200nm。
[0010]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的铝膜层为整面的或局部镂空结构。
[0011]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的铝膜层中含有铝或铝和硼混合的受主杂质。
[0012]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的背电极为银电极或银铝电极。
[0013]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的重掺杂层通过激光掺杂形成。具体的，是通过激光在N型单晶硅片表面的磷硅玻璃(正面磷扩散层)上进行选择性掺杂而形成。
[0014]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述的正面钝化减反射膜为氮化硅多层复
合膜，且接近所述正面磷扩散层的里层折射率高于表层折射率。
[0015]进一步的，一种N型背面结太阳能电池：所述正面钝化减反射膜的厚度为50
‑
200nm。
[0016]本使用新型的N型背面结太阳能电池的制造，不需要对现有的生产线进行改造，可以直接使用现有的生产线进行加工，其制造过程包括：对N型硅片进行制绒清洗；磷扩散形成N+层；激光对N+层上的磷硅玻璃层进行选择性掺杂；对掺杂后的硅片进行氧化处理；去除硅片背面的磷硅玻璃层；背面进行碱抛光处理；在硅片背面和正面依次沉积钝化膜；用激光打开背面钝化膜；硅片背面依次印刷银浆、铝浆，在正面印刷银浆；高温共烧形成背面结和正、背面金属电极。
[0017]本技术的有益效果：
[0018](1)本技术提供的N型背面结太阳能电池，其结构简单且可以在现有的P型太阳能电池产线基础上完成生产加工，不需要对现有的生产线进行改造，可以直接使用现有生产线，其成本低。
[0019](2)本技术设计的N型背面结太阳能电池可以在现有P型太阳能电池产线上制造完成，其制造过程具有工艺兼容性好的有点；本技术设计的N型背面结太阳能电池，还具备光电转换效率高以及制备成本低等优点，对于推进低成本、高性能的太阳电池大规模生产具有十分重要的意义。
[0020](3)本技术的N型背面结太阳能电池将重掺杂层设置在N型单晶硅片的正面(金属栅线正电极的下方)，相对于其他的设置方式可以更有利于该电池效率的提升。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0022]图1为本技术提供的N型背面结太阳能电池的结构示意图。
[0023]图中标记：1N型单晶硅片、2金属栅线正电极、3重掺杂层、4正面钝化减反射膜、5正面磷扩散层、6背电极、7铝膜层、8P型掺杂层、9背面钝化层。
具体实施方式
[0024]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对
重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
[0026]实施例1
[0027]如图1所示，一种N型背面结太阳能电池，所述的太阳能电池包括N型单晶硅片1，设置于所述N型单晶硅片1正面的金属栅线正电极2、重掺杂层3、正面钝化减反射膜4、正面磷扩散层5以及设置于所述N型单晶硅片1背面的背电极6、背面的铝膜层7、背面的P型掺杂层8和背面钝化层9；所述的重掺杂层3与所述金属栅线正电极2接触且位于其下方；其中：所述的重掺杂层3通过激光在N型单晶硅片1表面的磷硅玻璃(正面磷扩散层5)上掺杂形成；其中：所述的正面钝化减反射膜4为厚度80nm的氮化硅多层复合膜，且接近所述正面磷扩散层5的里层折射率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种N型背面结太阳能电池，其特征在于，所述的太阳能电池包括N型单晶硅片(1)，设置于所述N型单晶硅片(1)正面的金属栅线正电极(2)、重掺杂层(3)、正面钝化减反射膜(4)、正面磷扩散层(5)以及设置于所述N型单晶硅片(1)背面的背电极(6)、铝膜层(7)、P型掺杂层(8)和背面钝化层(9)；所述的重掺杂层(3)与所述金属栅线正电极(2)接触且位于其下方。2.根据权利要求1所述的一种N型背面结太阳能电池，其特征在于，在所述N型单晶硅片(1)背面与所述铝膜层(7)之间通过烧结形成所述P型掺杂层(8)。3.根据权利要求1所述的一种N型背面结太阳能电池，其特征在于，在所述N型单晶硅片(1)背面与所述铝膜层(7)之间设有局部开孔的所述背面钝化层(9)。4.根据权利要求3所述的一种N型背面结太阳能电池，其特征在于，所述的背面钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈如龙，乐雄英，施忠林，杨阳，陶龙忠，
申请(专利权)人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：