钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备和镀膜前监测方法技术

本发明专利技术公开一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，包括基座、清洗风刀装置、图像采集装置和控制装置；基座的台面设有用于输送TCO基片的传输带；清洗风道装置安装于基座，并悬设于传输带上方；清洗风道装置用于清洗并吹干TCO基片；图像采集装置安装于基座，并悬设于传输带上方；图像采集装置用于采集经过清洗风刀装置清洗和吹干的TCO基片的图像；控制装置用于接收图像采集装置采集的图片，并比对预设的TCO基片模板尺寸，以监测TCO基片是否有漏刻和/或划线偏移情况。上述镀膜前监测设备能够监测TCO基片的P1划线质量，在镀膜前筛选出P1划线划线质量差的TCO基片免于进行镀膜，提高镀膜工艺的良品率。本发明专利技术还提供用于上述镀膜前监测设备的镀膜前监测方法。前监测设备的镀膜前监测方法。前监测设备的镀膜前监测方法。

【技术实现步骤摘要】
钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备和镀膜前监测方法


[0001]本专利技术涉及钙钛矿太阳能电池生产
，更具体地说，涉及一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，还涉及一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿太阳电池是近年来光伏电池领域冉冉升起的新星，该电池光电转换效率在过去十来年突飞猛进，从最初的3.8％快速增长至25.7％，超越多晶硅，逼近单晶硅，与晶硅叠层叠层电池效率更是突破了29％。钙钛矿太阳能电池具有合成简单、效率高、成本低和效益高等特点，被视为最有希望颠覆传统晶硅电池产业的新一代薄膜光伏技术。
[0003]目前，钙钛矿太阳电池技术产业化发展进程加快，小规模量产已经实现。钙钛矿太阳能电池在生产中都会采用在导电玻璃上真空镀膜的方法以保证可靠的稳定性和高的光转化效率。
[0004]钙钛矿太阳能电池在生产过程中对镀膜工艺质量有很高的要求。镀膜前需利用激光划线对TCO(Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物)基片进行P1划线，P1划线质量难以保证，常发生划线位置偏移和/或未划通的情况，而对P1划线质量差的TCO基片镀膜会造成镀膜质量差，影响钙钛矿太阳能电池产品的良品率。
[0005]另外，TCO基片的透光率、浸润性亦对钙钛矿太阳能电池产品的良品率有影响。
[0006]因此，如何避免对P1划线质量差的TCO基片进行镀膜，提高生产过程中镀膜工艺的良品率，提高钙钛矿太阳能电池产品的良品率，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0007]有鉴于此，本专利技术提供一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，能够监测经P1划线的TCO基片是否存在划线位置偏移和/或未划通，便于在镀膜前筛选出P1划线划线质量差的TCO基片以免进行后续镀膜工艺，提高生产过程中TCO基片镀膜工艺的良品率，进而提高钙钛矿太阳能电池产品的良品率。本专利技术还提供用于上述镀膜前监测设备的镀膜前监测方法，于提高钙钛矿太阳能电池产品的良品率有利。
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0009]一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，包括：
[0010]基座，所述基座的台面设有用于输送TCO基片的传输带；
[0011]清洗风刀装置，所述清洗风道装置安装于所述基座，并且悬设于所述传输带上方；所述清洗风道装置用于清洗并吹干所述TCO基片；
[0012]图像采集装置，所述图像采集装置安装于所述基座，并悬设于所述传输带上方；所述图像采集装置用于采集经过所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片的图像；
[0013]控制装置，所述控制装置用于接收所述图像采集装置采集的图片，并比对预设的TCO基片模板尺寸，以监测所述TCO基片是否有漏刻和划线偏移情况。
[0014]优选的，上述镀膜前监测设备中，还包括安装于所述基座的透过率测试装置，所述
透过率测试装置用于对经过所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片进行特定光谱测定，并将测定信号传输至所述控制装置，所述控制装置用于计算获得所述TCO基片的雾度和整体光波的透过率。
[0015]优选的，上述镀膜前监测设备中，所述透射率测试装置包括分别安装于基座的发光装置和传感器，所述发光装置用于向所述TCO基片提供特定波长的光线；所述传感器用于测定透过所述TCO基片的光线并将测定信号传输至所述控制装置。
[0016]优选的，上述镀膜前监测设备中，还包括分别安装于所述基座的等离子清洗处理装置和接触角测试装置；所述等离子清洗处理装置用于对经过用于对经所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片进行等离子处理；所述接触角测试装置对经等离子处理的所述TCO基片进行角度测量并将测量结果传输至所述控制装置，所述控制装置用于判断所述TCO基片的浸润性是否良好。
[0017]优选的，上述镀膜前监测设备中，所述接触角测试装置靠近所述传输带的尾端。
[0018]优选的，上述镀膜前监测设备中，还包括安装于所述基座的TCO废片回收箱，所述TCO废片回收箱位于所述接触角测试装置背离所述传输带的一侧。
[0019]优选的，上述镀膜前监测设备中，所述传输带为滚轴传输带。
[0020]一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测方法，用于上述技术方案中任意一项所述的镀膜前监测装置，包括：
[0021]对经过P1划线的TCO基片进行清洗并吹干；
[0022]采集经清洗吹干后所述TCO基片的图像，并比对预设的TCO基片模板尺寸，监测所述TCO基片是否有漏刻和划线偏移情况。
[0023]优选的，上述镀膜前监测方法中，还包括：
[0024]对经清洗吹干后的所述TCO基片进行特定光谱测定，监测所述TCO基片的透过率是否满足要求；
[0025]对经清洗吹干后所述TCO基片进行等离子处理，然后进行接触角测试，监测所述TCO基片的浸润性是否良好；
[0026]筛选满足预设条件的所述TCO基片进行后续镀膜工艺，将不满足所述预设条件的所述TCO基片进行回收处理。
[0027]优选的，上述镀膜前监测方法中，所述预设条件为：所述TCO基片无漏刻、划线偏移，所述TCO基片透过率满足要求，并且所述TCO基片的浸润性良好。
[0028]本专利技术提供一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，包括基座、清洗风刀装置、图像采集装置和控制装置；基座的台面设有用于输送TCO基片的传输带；清洗风道装置安装于基座，并且悬设于传输带上方；清洗风道装置用于清洗并吹干TCO基片；图像采集装置安装于基座，并悬设于传输带上方；图像采集装置用于采集经过清洗风刀装置清洗和吹干的TCO基片的图像；控制装置用于接收图像采集装置采集的图片，并比对预设的TCO基片模板尺寸，以监测TCO基片是否有漏刻和/或划线偏移情况。
[0029]本专利技术提供的镀膜前监测设备能够监测经P1划线的TCO基片是否存在划线位置偏移和/或漏刻未划通的情况，便于在镀膜前筛选出P1划线划线质量差的TCO基片以免进行后续镀膜工艺，提高生产过程中TCO基片镀膜工艺的良品率，进而提高钙钛矿太阳能电池产品的良品率。
[0030]本专利技术还提供用于上述镀膜前监测设备的镀膜前监测方法，于提高钙钛矿太阳能电池产品的良品率有利。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本专利技术实施例提供的钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备的结构示意图；
[0033]其中，图1中：
[0034]清洗风刀装置1；图像采集装置2；透过率测试装置3；控制装置4；接触角测试装置5；TCO废片回收箱6；等离子清洗处理装置7；基座8。
具体实施方式
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿太阳能电池的镀膜前监测设备，其特征在于，包括：基座，所述基座的台面设有用于输送TCO基片的传输带；清洗风刀装置，所述清洗风道装置安装于所述基座，并且悬设于所述传输带上方；所述清洗风道装置用于清洗并吹干所述TCO基片；图像采集装置，所述图像采集装置安装于所述基座，并悬设于所述传输带上方；所述图像采集装置用于采集经过所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片的图像；控制装置，所述控制装置用于接收所述图像采集装置采集的图片，并比对预设的TCO基片模板尺寸，以监测所述TCO基片是否有漏刻和划线偏移情况。2.根据权利要求1所述的镀膜前监测设备，其特征在于，还包括安装于所述基座的透过率测试装置，所述透过率测试装置用于对经过所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片进行特定光谱测定，并将测定信号传输至所述控制装置，所述控制装置用于计算获得所述TCO基片的雾度和整体光波的透过率。3.根据权利要求2所述的镀膜前检测设备，其特征在于，所述透射率测试装置包括分别安装于基座的发光装置和传感器，所述发光装置用于向所述TCO基片提供特定波长的光线；所述传感器用于测定透过所述TCO基片的光线并将测定信号传输至所述控制装置。4.根据权利要求1所述的镀膜前检测设备，其特征在于，还包括分别安装于所述基座的等离子清洗处理装置和接触角测试装置；所述等离子清洗处理装置用于对经过用于对经所述清洗风刀装置清洗和吹干的所述TCO基片进行等离子处理；所述接触角测试装置对经等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏渊，李卫东，赵志国，李新连，张赟，赵东明，秦校军，熊继光，黄斌，董超，申建汛，张杰，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：