暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。暗电流分析方法包括：获取器件的电流特性以及电压特性；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型；其中，暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；基于暗电流的类型抑制暗电流。本发明专利技术的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成，进一步基于暗电流的类型，有效的抑制暗电流，进而降低器件的噪声，提高器件的灵敏度。敏度。敏度。

【技术实现步骤摘要】
暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术传感器
，特别是涉及一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]对于光电二极管而言，暗电流始终是其最受关注的参数之一。尤其在二极管型光电探测器中，暗电流的大小往往直接影响着器件的探测能力，具有更小暗电流的光电探测器通常具有更低的噪声和更高的探测灵敏度。而在光伏器件中，暗电流往往作为衡量器件缺陷复合水平的指标，具有重要的参考意义。
[0003]但是，在实际器件中，暗电流的类型构成十分复杂，不能有效的区分暗电流的构成，进而难以有效抑制。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种暗电流分析方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。该方法能够降低器件的噪声，提高器件的灵敏度。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供的第一个技术方案为：提供一种暗电流分析方法，包括：获取器件的电流特性以及电压特性；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型；其中，暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；基于暗电流的类型抑制暗电流。
[0006]其中，器件包括主二极管以及副二极管；二极管结电流包括主二极管结电流、副二极管结电流；漏电流包括：欧姆漏电流、非欧姆漏电流。
[0007]其中，基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型的步骤，包括：基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小。
[0008]其中，暗电流的类型包括主二极管结电流；拟合参数包括主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于主二极管的电流特性、电压特性、主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度确定主二极管结电流的大小；或者拟合参数包括主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于主二极管的电流特性、电压特性、主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值确定主二极管结电流的大小。
[0009]其中，暗电流的类型包括副二极管结电流；拟合参数包括副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于副二极管的电流特性、
电压特性、副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度确定副二极管结电流的大小；或者拟合参数包括副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于副二极管的电流特性、电压特性、副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值确定副二极管结电流的大小。
[0010]其中，暗电流的类型包括欧姆漏电流；拟合参数包括：第二电阻值；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于电压特性以及第二电阻值确定欧姆漏电流的大小；或者拟合参数包括：第一电阻值、暗电流以及第二电阻值；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于电压特性、第一电阻值、暗电流以及第二电阻值确定欧姆漏电流的大小。
[0011]其中，暗电流的类型包括非欧姆漏电流；拟合参数包括功率因子、非欧姆漏电流系数；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于电压特性以及功率因子、非欧姆漏电流系数确定非欧姆漏电流的大小；或者拟合参数包括功率因子、非欧姆漏电流系数、暗电流以及第一电阻；基于电流特性、电压特性以及拟合参数中至少一种确定器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于电压特性以及功率因子、非欧姆漏电流系数、暗电流以及第一电阻确定非欧姆漏电流的大小。
[0012]为解决上述技术问题，本专利技术提供的第二个技术方案为：提供一种暗电流分析装置，包括：获取模块，用于获取器件的电流特性以及电压特性；分析模块，用于基于电流特性、电压特性以及拟合参数确定器件的暗电流的类型；其中，暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；抑制模块，用于基于暗电流的类型抑制暗电流。
[0013]为解决上述技术问题，本专利技术提供的第三个技术方案为：提供一种电子设备，包括相互藕接的处理器以及存储器，其中，存储器用于存储实现上述任一项的方法的程序指令；处理器用于执行存储器存储的程序指令。
[0014]为解决上述技术问题，本专利技术提供的第三个技术方案为：提供一种计算机可读存储介质，存储有程序文件，程序文件能够被执行以实现上述任一项的方法。
[0015]本专利技术的有益效果，区别于现有技术，本专利技术的暗电流分析方法能够快速分析出暗电流的类型以及其构成，进一步基于暗电流的类型，有效的抑制暗电流，进而降低器件的噪声，提高器件的灵敏度。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
[0017]图1为本专利技术暗电流分析方法的一实施例的流程示意图；
[0018]图2为并联电阻、串联电阻、非欧姆漏电、主二极管以及副二极管的等效电路示意
图；
[0019]图3为拟合程序的操作界面示意图；
[0020]图4为本专利技术暗电流分析装置的一实施例的结构示意图；
[0021]图5为本专利技术电子设备的一实施例的结构示意图；
[0022]图6为本专利技术计算机可读存储介质的一实施例的结构示意图。
[0023]具体实施方法
[0024]本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种暗电流分析方法，其特征在于，包括：获取器件的电流特性以及电压特性；基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型；其中，所述暗电流的类型包括二极管结电流和漏电流中至少一种或任意组合；基于所述暗电流的类型抑制所述暗电流。2.根据权利要求1所述的暗电流分析方法，其特征在于，所述器件包括主二极管以及副二极管；所述二极管结电流包括主二极管结电流、副二极管结电流；漏电流包括：欧姆漏电流、非欧姆漏电流。3.根据权利要求2所述的暗电流分析方法，其特征在于，所述基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型，的步骤，包括：基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型以及每一类型的大小。4.根据权利要求3所述的暗电流分析方法，其特征在于，所述暗电流的类型包括主二极管结电流；所述拟合参数包括所述主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度；所述基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于所述主二极管的电流特性、所述电压特性、所述主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度确定所述主二极管结电流的大小；或者所述拟合参数包括所述主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值；所述基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于所述主二极管的电流特性、所述电压特性、所述主二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值确定所述主二极管结电流的大小。5.根据权利要求3所述的暗电流分析方法，其特征在于，所述暗电流的类型包括副二极管结电流；所述拟合参数包括所述副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度；所述基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参数中至少一种确定所述器件的暗电流的类型以及每一类型的大小的步骤，包括：基于所述副二极管的电流特性、所述电压特性、所述副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度确定所述副二极管结电流的大小；或者所述拟合参数包括所述副二极管的品质因子、元电荷的电荷量、玻尔兹曼常数、预设温度、暗电流以及第一电阻值；所述基于所述电流特性、所述电压特性以及拟合参...

【专利技术属性】
技术研发人员：高亮，鲁帅成，杨骏睿，唐江，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：