一种MOSFET检测电路及故障诊断方法技术

本发明专利技术涉及汽车电子技术领域，具体涉及一种MOSFET检测电路及故障诊断方法，包括若干组相并联的电流导通通路，所述电流导通通路包括两组MOSFET模块，两组所述MOSFET模块之间安装有电流检测电阻，一组所述MOSFET模块包括MOSFET驱动芯片与两个MOSFET，两个所述MOSFET包括方向相反的寄生二极管，两个所述MOSFET均与所述MOSFET驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块与检测供电模块，所述检测电路还包括运算放大器与MCU，本发明专利技术提出的MOSFET检测电路及故障诊断方法，能够通过采集两路电流导通通路上的电流值，并通过分时控制MOSFET驱动芯片，以实现对于MOSFET短路和开路故障的诊断，可以提高隔离开关控制器的安全性能和故障覆盖率，进而提高隔离开关电源控制器的安全等级。源控制器的安全等级。源控制器的安全等级。

A MOSFET detection circuit and fault diagnosis method

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET检测电路及故障诊断方法


[0001]本专利技术涉及汽车电子
，尤其涉及一种MOSFET检测电路及故障诊断方法。

技术介绍

[0002]随着自动驾驶的日益精进和普及，整车为实现自动模式下的安全功能对电源网络的安全也提出了更高的要求。为了避免当电源网络故障，造成车辆制动系统无法正常工作而引发的事故，整车电源架构需要增加电源的隔离开关控制器模块。它为电源网络失效条件下能够使得自动驾驶部件、汽车安全部件仍能按照既定的设计要求完成其功能提供了必要的保障。
[0003]因隔离开关控制器的主要作用之一就是在电流超过210A时断开隔离开关控制器，而承载开关作用的关键元器件就是MOSFET，且隔离开关控制器需要符合功能安全等级ASILD，因此如何正确检测出MOSFET的开路和短路故障尤为重要。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种MOSFET检测电路及故障诊断方法，以解决MOSFET的故障检测问题。
[0005]基于上述目的，本专利技术提供了一种MOSFET检测电路，包括若干组相并联的电流导通通路，所述电流导通通路包括两组MOSFET模块，两组所述MOSFET模块之间安装有电流检测电阻，两组所述MOSFET模块与所述电流检测电阻相串联，一组所述MOSFET模块包括MOSFET驱动芯片与两个MOSFET，两个所述MOSFET包括方向相反的寄生二极管，两个所述MOSFET均与所述MOSFET驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块与检测供电模块，所述检测电路还包括运算放大器与MCU，所述运算放大器与所述电流检测电阻的两端相连接，所述运算放大器与所述MCU电连接。
[0006]可选的，所述主供电模块为DC/DC，所述检测供电模块为蓄电池。
[0007]基于上述实施方式，提出一种MOSFET检测电路的故障诊断方法，具体包括如下步骤：
[0008]主供电模块断开，检测供电模块供电，两组所述MOSFET模块的四个MOSFET驱动芯片分时进行通断，依次使一个所述MOSFET驱动芯片处于断开状态，进行第一轮短路检测；
[0009]第一轮短路检测完成后，主供电模块供电，主供电模块电压高于检测供电模块电压，检测供电模块变为负载，电流方向改变，再次依次使一个所述MOSFET驱动芯片处于断开状态，进行第二轮短路检测；
[0010]第二轮短路检测完成后，四个所述MOSFET驱动芯片全部连通，进行实时开路检测。
[0011]可选的，所述四个所述MOSFET驱动芯片全部连通，进行实时开路检测，具体步骤为：
[0012]电流检测电阻对电流导通通路的进行电流检测，并发送至MCU，当采集到的电流导通通路的电流值为0时，则可判定电流导通通路上的MOSFET发生开路故障。
[0013]本专利技术提出的MOSFET检测电路及故障诊断方法，能够通过采集两路电流导通通路上的电流值，并通过分时控制MOSFET驱动芯片，以实现对于MOSFET短路和开路故障的诊断，可以提高隔离开关控制器的安全性能和故障覆盖率，进而提高隔离开关电源控制器的安全等级。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本专利技术实施例的MOSFET检测电路的示意图；
[0016]图2为本专利技术实施例的MOSFET检测电路的故障诊断方法的流程图；
[0017]图中标记为：
[0018]左上MOSFET驱动芯片1、第一MOSFET2、第二MOSFET3、右上MOSFET驱动芯片4、第三MOSFET5、第四MOSFET6、左下MOSFET驱动芯片7、第五MOSFET8、第六MOSFET9、右下MOSFET驱动芯片10、第七MOSFET11、第八MOSFET12、主供电模块13、检测供电模块14、运算放大器15、MCU16。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本专利技术进一步详细说明。
[0020]需要说明的是，除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0021]基于上述目的，本专利技术提供了一种MOSFET检测电路，如图1所示，包括若干组相并联的电流导通通路，为方便描述，任意选取两路电流导通通路，并定义为上路电流导通通路与下路电流导通通路，上路电流导通通路与下路电流导通通路上均包括两组MOSFET模块，两组所述MOSFET模块之间安装有电流检测电阻，两组所述MOSFET模块与所述电流检测电阻相串联，每组MOSFET模块包括MOSFET驱动芯片与两个MOSFET，上路电流导通通路的MOSFET模块依次定义为左上MOSFET驱动芯片1与第一MOSFET2和第二MOSFET3，右上MOSFET驱动芯片4与第三MOSFET5和第四MOSFET6，左上MOSFET驱动芯片1控制第一MOSFET2和第二MOSFET3的通断，右上MOSFET驱动芯片4控制第三MOSFET5和第四MOSFET6的通断；下路电流导通通路的MOSFET模块依次定义为左下MOSFET驱动芯片7与第五MOSFET8和第六MOSFET9，右下MOSFET驱动芯片10与第七MOSFET11和第八MOSFET12，左下MOSFET驱动芯片7控制第五
MOSFET8和第六MOSFET9的通断，右下MOSFET驱动芯片10控制第七MOSFET11和第八MOSFET12的通断；位于同一组的两个MOSFET包括方向相反的寄生二极管，且均与所述MOSFET驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块13与检测供电模块14，所述检测电路还包括运算放大器15与MCU16，所述运算放大器15与所述电流检测电阻的两端相连接，所述运算放大器15与所述MCU16电连接。
[0022]所述主供电模块13为DC/DC，所述检测供电模块14为蓄电池。
[0023]基于上述实施方式，如图2所示，提出一种MOSFET检测电路的故障诊断方法，具体包括如下步骤：
[0024]主供电模块13断开，检测供电模块14供电，两组所述MOSFET模块的四个MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET检测电路，包括若干组相并联的电流导通通路，其特征在于，所述电流导通通路包括两组MOSFET模块，两组所述MOSFET模块之间安装有电流检测电阻，两组所述MOSFET模块与所述电流检测电阻相串联，一组所述MOSFET模块包括MOSFET驱动芯片与两个MOSFET，两个所述MOSFET包括方向相反的寄生二极管，两个所述MOSFET均与所述MOSFET驱动芯片相连接，所述电流导通通路的两端分别连通有主供电模块与检测供电模块，所述检测电路还包括运算放大器与MCU，所述运算放大器与所述电流检测电阻的两端相连接，所述运算放大器与所述MCU电连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET检测电路，其特征在于，所述主供电模块为DC/DC，所述检测供电模块为蓄电池。3.根据权利要求1或2任一所述的MOSFET检测电路的故障诊断方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑嘉伟，雷元，钱涵，刘海翔，葛莹，陈至清，汤代胜，田丽伟，韩乐园，刘晓虎，
申请(专利权)人：立讯精密工业芜湖有限公司，
类型：发明
国别省市：