被覆石墨系负极活性物质制造技术

技术编号:34383419 阅读:80 留言:0更新日期:2022-08-03 21:02
本发明专利技术提供一种能够使二次电池的低温电阻变小的被覆石墨系负极活性物质。在此公开的被覆石墨系负极活性物质具备:石墨、被覆上述石墨的非晶碳层、以及位于上述石墨与上述非晶碳层之间的中间层。上述中间层为掺杂有硼的碳层。上述非晶碳层实质上不包含硼。上述非晶碳层实质上不包含硼。上述非晶碳层实质上不包含硼。

【技术实现步骤摘要】
被覆石墨系负极活性物质


[0001]本专利技术涉及一种由非晶碳被覆的石墨系负极活性物质。

技术介绍

[0002]近年来,锂离子二次电池等二次电池优选用于个人计算机、移动终端等的便携式电源、电动汽车(BEV)、混合动力汽车(HEV)、插电式混合动力汽车(PHEV)等的车辆驱动用电源等。
[0003]一般,二次电池、特别是锂离子二次电池的负极使用石墨系负极活性物质。二次电池伴随着它的普及,期望进一步的高性能化。作为用于高性能化的对策之一,可举出石墨系负极活性物质的改良。作为石墨系负极活性物质的改良的例子,已知有将石墨的表面用非晶碳被覆而成的多层结构的负极活性物质(例如,参照专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本专利申请公开第2012-74297号公报

技术实现思路

[0007]然而,本专利技术人进行了深入研究,结果发现在以往技术中存在使用具有被覆的石墨系负极活性物质(即,被覆石墨系负极活性物质)的二次电池的低温下的低电阻化不充分的问题。
[本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种被覆石墨系负极活性物质,具备:石墨、被覆所述石墨的非晶碳层、以及位于所述石墨与所述非晶碳层之间的中间层,所述中间层为掺杂有硼的碳层,所述非晶碳层实质上不包含硼。2.根据权利要求1所述的被覆石墨系负极活性物质,其中,所述中间层中的硼的掺杂量为0.1原子%~5.5原子%。3.一种被覆石墨系负极活性物质的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:松原伸典
申请(专利权)人:泰星能源解决方案有限公司
类型:发明
国别省市:

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