【技术实现步骤摘要】
一种高功率固态功率源合成电路
[0001]本专利技术涉及电源
,尤指一种高功率固态功率源合成电路。
技术介绍
[0002]目前高功率固态功率源功率合成常用是基于1/4波长阻抗变换的多级同向合成网络,虽然材料、工艺和设计水平不断发展,单个固态功率放大器输出功率越来越大,但输出功率依然有限,如图1所示,由于结构限制,端口之间无隔离电阻导致隔离度较差,随着固态功率源输出功率等级的不断提升,现有技术暴露出许多不足。此模式下固态功率源功放模块的抗失配能力较差,当输入端口是一致性较差时,特别是出现某路故障时,功放模块易因反射功率过大损毁,目前普遍采用功放模块加环形器及吸收负载的方式,并通过功率合成后的输出端加大功率环形器及大功率吸收负载的方法解决抗适配能力差的问题。但因尺寸和成本等限制,固态功率源功放模块环形器与负载承受不了极限情况下的反射功率。另外,在固态功率源合成后的输出端使用大功率环形器进行隔离,会造成成本大幅增加、同时系统复杂度和联锁保护系统的监测点也大幅增加,导致系统故障率相应的提升。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:所述的合成电路通过改变合成方式和传输相移来抑制各端口间反射功率同相叠加,降低模块的极限反射功率。2.根据权利要求1所述的一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:所述合成电路的高功率的固态功率源是由多个基本功放单元经过功率合成网络功率矢量相加而成。3.根据权利要求1所述的一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:所述的合成电路包括至少2
3n
路合成器电路,其中n为自然数,且n≥1。4.根据权利要求3所述的一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:所述的合成电路包括8路合成器电路,合成电路的合成方式有8*1、4*2、2*4、2*2*2等多种合成方式。5.根据权利要求4所述的一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:在8路合成器电路中通过选择2*2*2的方案进行计算分析,可以得出其S参数如下:出其S参数如下:其中θ1和θ2分别为合成器一二级和二三级之间的传输相移。6.根据权利要求5所述的一种高功率固态功率源合成电路,其特征在于:通过S参数可以计算合成器端口1的反射电...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈胜义,李晓,朱俊裕,张春林,刘盛画,陆志军,
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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