一种GaAs芯片的功分器结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaAs芯片的功分器结构，涉及GaAs芯片功分器结构技术领域，包括输入端、第一输出端和第二输出端，所述输入端分别与所述第一输出端和所述第二输出端连接，所述输入端与所述第一输出端和所述第二输出端之间连接有若干不同线宽的1/4波长阻抗变换的微带线，所述第一输出端和所述第二输出端还设有并联的隔离电阻。本实用新型专利技术实现了基于GaAs芯片的超宽带功分器结构。GaAs芯片的超宽带功分器结构。GaAs芯片的超宽带功分器结构。

A power divider structure of GaAs chip

【技术实现步骤摘要】
一种GaAs芯片的功分器结构


[0001]本技术涉及GaAs芯片功分器结构
，特别涉及一种GaAs芯片的功分器结构。

技术介绍

[0002]砷化镓(GaAs)可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，其作为第三代半导体材料，由于其很好的频率特性，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件
──
体效应器件。GaAs是半导体材料中，兼具多方面优点的材料，但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。
[0003]功分器是一种用于将某一路信号输入功率按一定比例分配到各分支电路中的设备，一般具有一个输入端口和两个以上输出端口，广泛应用于无线通信系统中的射频模块，现如今在电子对抗和宽带测量领域中，超宽带的功分器应用热度持续较高，目前，功分器分为基于印刷线路板或分离器件或厚膜电路制备的微带功分器，以及基于集成无线器件制备的IPD功分器。
[0004]然而现有的功分结构大多在常规的高阻材料制成的芯片中，基于GaAs的高频特性，现有的功分器结构基于材料所支持的功分频率较低。

技术实现思路

[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种GaAs芯片的功分器结构，通过在输入端口和输出端口之间分别串接若干1/4波长阻抗变换，根据所需功分频率设计不同的特性阻抗值，并在并列且相邻的1/4波长阻抗变换之间设置隔离电阻，根据不同的特性阻抗设置不同的电阻值的隔离电阻，构成多级的功分器拓扑结构，进而实现拓宽带宽的目的，使得功分器能够支持高频输入。
[0006]本技术采用的一个技术方案是：提供了一种GaAs芯片的功分器结构，包括输入端、第一输出端和第二输出端，所述输入端分别与所述第一输出端和所述第二输出端连接，所述输入端与所述第一输出端和所述第二输出端之间连接有若干不同线宽的1/4波长阻抗变换的微带线，所述第一输出端和所述第二输出端还设有并联的隔离电阻。
[0007]通过在第一输出端、第二输出端与输入端之间设置不同线宽的1/4波长阻抗变换的微带线，构成多级拓扑结构，并在各级为电线之间连接若干电阻值逐级增大的隔离电阻，进而实现拓宽带宽的目的。
[0008]进一步的，设在所述输入端与所述第一输出端之间，以及所述输入端与所述第二输出端之间的所述1/4波长阻抗变换的微带线数量相同。
[0009]进一步的，所述输入端与所述第一输出端和所述第二输出端之间，所述1/4波长阻
抗变换的微带线等间隔分布设置。
[0010]进一步的，在所述输入端与所述第一输出端，以及所述输入端与所述第二输出端之间，所述1/4波长阻抗变换的微带线的分布间隔相同。
[0011]进一步的，所述输入端和所述第一输出端之间的所述1/4波长阻抗变换的微带线与所述输入端和所述第二输出端之间的所述1/4波长阻抗变换的微带线相对设置，且相对的所述1/4波长阻抗变换的微带线结构参数相同。
[0012]进一步的，所述隔离电阻分别连接在相对设置的所述1/4波长阻抗变换的微带线靠近输出端的一侧，形成级联结构，相邻隔离电阻间的间隔相同。
[0013]将1/4波长阻抗变换在两输出端口与输入端口之间，相对输入端口呈对称设置，且相邻各级的1/4波长阻抗变换的微带线和隔离电阻之间的间隔相同，使计算得到的各器件参数，在实际使用时，降低器件间连接介质所造成的带宽误差。
[0014]进一步的，所述1/4波长阻抗变换的微带线设有十六个，所述隔离电阻设有八个。
[0015]本技术的有益效果是：
[0016]本技术通过在输入端和第一输出端、以及输入端和第二输出端之间设置连接多个不同结构参数的1/4波长阻抗变换的微带线，1/4波长阻抗变换的微带线在输入和两个输出之间相对设置，且相对设置的1/4波长阻抗变换的微带线结构参数一致，整体构成对称结构，输入端到第一输出端与输入端到第二输出端的1/4波长阻抗变换节数相同，保证输出的两路信号相同；
[0017]同时在相对设置的1/4波长阻抗变换的微带线之间设置不同电阻值的隔离电阻，隔离电阻的电阻值逐级增大，整体构成级联结构的功分器，根据实际调整1/4波长阻抗变换的微带线和隔离电阻的参数值，使所有的端口的阻抗匹配到标称值，实现基于GaAs芯片的适用于高频的功分器。
附图说明
[0018]图1是本技术功分器电路结构原理示意图。
[0019]图2是本技术功分器驻波仿真结果示意图。
[0020]图3是本技术功分器隔离度仿真结果示意图。
[0021]图4是本技术功分器第一输出口插入损耗仿真结果示意图。
[0022]图5是本技术功分器第二输出口插入损耗仿真结果示意图。
[0023]图6是本技术实施例1流片完成后在片驻波测试结果示意图。
[0024]图7是本技术实施例1流片完成后在片损耗测试结果示意图。
[0025]图8是本技术实施例1流片完成后在片损耗测试结果示意图。
[0026]图9是本技术实施例1流片完成后在片隔离度测试结果示意图。
[0027]附图标记说明：1
‑
输入端、2
‑
第一输出端、3
‑
第二输出端、4
‑
1/4波长阻抗变换的微带线、5
‑
隔离电阻。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的
实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]实施例1
[0030]本技术的实施例1提供了，如图1所示，包括输入端1、第一输出端2和第二输出端3，所述输入端1分别与所述第一输出端2和所述第二输出端3连接，所述输入端1与所述第一输出端2和所述第二输出端3之间连接有若干1/4波长阻抗变换的微带线4，所述第一输出端2和所述第二输出端3还设有并联的隔离电阻5。
[0031]在每节1/4波长阻抗变换的微带线的两个输出端之间设置隔离电阻，实现多端口网络的所有端口匹配，增加输出端口间的隔离度。
[0032]信号传输1/4个波长对应传输线物理长度尺寸，通过设置多节1/4波长阻抗变换和隔离电阻，将所有端口的阻抗匹配到标称值。
[0033]设在所述输入端1与所述第一输出端2之间，以及所述输入端1与所述第二输出端3之间的所述1/4波长阻抗变换的微带线4数量相同，本实施例中，所述1/4波长阻抗变换的微带线设有十六个，在所述输入端1和所述第一输出端2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaAs芯片的功分器结构，其特征在于，包括输入端、第一输出端和第二输出端，所述输入端分别与所述第一输出端和所述第二输出端连接，所述输入端与所述第一输出端和所述第二输出端之间连接有若干不同线宽的1/4波长阻抗变换的微带线，所述第一输出端和所述第二输出端还设有并联的隔离电阻。2.根据权利要求1所述的GaAs芯片的功分器结构，其特征在于，设在所述输入端与所述第一输出端之间，以及所述输入端与所述第二输出端之间的所述1/4波长阻抗变换的微带线数量相同。3.根据权利要求2所述的GaAs芯片的功分器结构，其特征在于，所述输入端与所述第一输出端和所述第二输出端之间，所述1/4波长阻抗变换的微带线等间隔分布设置。4.根据权利要求3所述的GaAs芯片的功分器结构，其特征在于，在所述输入端与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴伟，
申请(专利权)人：成都众志天成科技有限公司，
类型：新型
国别省市：