传感器、电子设备和检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种传感器、电子设备和检测装置，其中，所述传感器包括传感单元和调节单元，所述传感单元包括多个磁阻模块，其中至少两个所述磁阻模块连接形成半桥电路，各所述磁阻模块的磁化方向平行于各所述磁阻模块所在的平面，所述调节单元产生调节磁场，至少两个所述磁阻模块的其中之一处于所述调节磁场，本发明专利技术提供的技术方案中，通过将需要调节的磁阻模块处设置与该磁阻模块的钉扎层的磁化方向反向的调节磁场，以使得处于所述调节磁场的所述磁阻模块的工作点处于零点。阻模块的工作点处于零点。阻模块的工作点处于零点。

【技术实现步骤摘要】
传感器、电子设备和检测装置


[0001]本专利技术涉及电子领域，尤其涉及传感器、电子设备和检测装置。

技术介绍

[0002]传感器被广泛的应用于现代系统来测量或检测物理参数，如位置、运动、力、加速度、温度、压力等。而各种不同类型的传感器用于测量这些参数和其它参数时，它们都受到各种限制。为了解决因位置、运动、力、加速度、温度、压力带来问题，MTJ传感器和GMR传感器已应用于惠斯登(Wheatstone) 桥结构，以提高灵敏度，消除温度相关的电阻变化。
[0003]GMR/TMR全桥传感器因为薄膜本身的磁性属性，并不能保证传感器一定工作于线性区，通常与线性区的零点会有一定的偏置磁场，这就导致传感器的输出特性为非线性的；同时，通常传感器工作在主磁滞回线上，输出特性的磁滞现象相对就大的多，将对传感器的输出电压带来较大的影响，无论是正向还是负向磁场使传感器饱和后，其输出特性将沿主磁滞回线中的内侧曲线返回零磁场点。当负向饱和磁场作用于传感器后，当小的正向磁场作用于传感器，传感器将输出一个负电压，然而对正向饱和后的传感器，同样的小负向磁场作用，则输出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括：传感单元，包括多个磁阻模块，其中至少两个所述磁阻模块连接形成半桥电路，各所述磁阻模块的磁化方向平行于各所述磁阻模块所在的平面；以及，调节单元，所述调节单元产生调节磁场，至少两个所述磁阻模块的其中之一处于所述调节磁场，所述调节磁场的磁场方向与所处对应的所述磁阻模块的钉扎层的磁化方向反向设置，以使得处于所述调节磁场的所述磁阻模块的工作点处于零点。2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述调节单元设有两个，两个所述调节单元产生的两个所述调节磁场的方向反向设置，两个所述磁阻模块一一对应的处于两个所述调节磁场中。3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，多个磁阻模块中的至少四个所述磁阻模块连接形成全桥电路；所述调节单元至少设有两个，两个所述磁阻模块一一对应的处于两个所述调节磁场中。4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，所述调节单元设有四个，四个所述调节单元中每相邻的两个所述调节单元产生的两个所述调节磁场的方向反向设置；多个磁阻模块中的至少四个所述磁阻模块连接形成全桥电路，四个所述磁阻模...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵海轮，冷群文，丁凯文，邹泉波，周汪洋，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：