电池片和具有其的光伏组件制造技术

本发明专利技术公开了一种电池片和具有其的光伏组件，电池片包括：电池片本体；多个主栅线包括多个正面主栅线和多个背面主栅线，正面主栅线和背面主栅线的数量均为12；多个正面副栅线，多个正面副栅线沿正面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在电池片本体的正面，每个正面副栅线的宽度为W1，每个正面副栅线的高度为H1，其中，W1、H1分别满足：25μm≤W1≤50μm，8μm≤H1≤20μm；多个背面副栅线沿背面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在电池片本体的背面。根据本发明专利技术的电池片，可以降低电阻，提高光伏组件的输出功率。的输出功率。的输出功率。

【技术实现步骤摘要】
电池片和具有其的光伏组件


[0001]本专利技术涉及光伏
，尤其是涉及一种电池片和具有其的光伏组件。

技术介绍

[0002]随着光伏产业的发展和市场的进一步需求，能够增效降成本的多主栅线电池片技术备受关注。相关技术中，电池片的主栅线数目通常为四根或五根，然而，当主栅线的数量较少时，电池片的电阻较大，会增加电池片的功率消耗，降低电池片的输出功率。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种电池片，可以在提高光伏组件的输出功率的同时，降低成本。
[0004]本专利技术的另一个目的在于提出一种具有上述电池片的光伏组件。
[0005]根据本专利技术第一方面实施例的电池片，包括：电池片本体；多个主栅线，多个所述主栅线包括多个正面主栅线和多个背面主栅线，多个所述正面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的正面，多个所述背面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的背面，所述正面主栅线和所述背面主栅线的数量均为12；多个正面副栅线，多个所述正面副栅线沿所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池片，其特征在于，包括：电池片本体；多个主栅线，多个所述主栅线包括多个正面主栅线和多个背面主栅线，多个所述正面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的正面，多个所述背面主栅线彼此间隔开地设在所述电池片本体的背面，所述正面主栅线和所述背面主栅线的数量均为12；多个正面副栅线，多个所述正面副栅线沿所述正面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在所述电池片本体的正面，每个所述正面副栅线的宽度为W1，每个所述正面副栅线的高度为H1，其中，所述W1、H1分别满足：25μm≤W1≤50μm，8μm≤H1≤20μm；多个背面副栅线，多个所述背面副栅线沿所述背面主栅线的延伸方向彼此间隔开地设在所述电池片本体的背面。2.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，每个所述背面副栅线的宽度为W2，每个所述背面副栅线的高度为H2，其中，所述W2、H2分别满足：40μm≤W2≤60μm，8μm≤H2≤20μm。3.根据权利要求2所述的电池片，其特征在于，所述W1、W2进一步满足：W1＜W2。4.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述电池片为异质结电池片。5.根据权利要求4所述的电池片，其特征在于，所述电池片本体包括n型单晶衬底，所述n型单晶衬底的厚度为D1，其中，所述D1满足：90μm≤D1≤160μm。6.根据权利要求5所述的电池片，其特征在于，所述n型单晶衬底的正面沿朝向远离所述n型单晶衬底中心的方向依次设有第一a
‑
Si:H层、n+掺杂a
‑
Si:H层和第一TCO层，所述n型单晶衬底的背面沿朝向远离所述n型单晶衬底中心的方向依次设有第二a
‑
Si:H层、p+掺杂a
‑
Si:H层和第二TCO层。7.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述第一a
‑
Si:H层的厚度为D2，所述第二a
‑
Si:H层的厚度为D3，其中，所述D2、D3分别满足：4nm≤D2≤5nm，4nm≤D3≤5nm。8.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述n+掺杂a
‑
Si:H层的厚度为D4，所述p+掺杂a
‑
Si:H层的厚度为D5，其中，所述D4、D5分别满足：4nm≤D4≤5nm，5nm≤D5≤6nm。9.根据权利要求6所述的电池片，其特征在于，所述第一TCO层的厚度为D6，所述第二TCO层的厚度为D7，其中，所述D6、D7分别满足：65nm≤D6≤75nm，65nm≤D7≤75nm。10.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述背面主栅线的电阻率大于等于所述正面主栅线的电阻率，所述背面副栅线的电阻率大于等于所述正面副栅线的电阻率。11.根据权利要求10所述的电池片，其特征在于，所述正面主栅线的电阻率为ρ1，所述背面主栅线的电阻率为ρ2，所述正面副栅线的电阻率为ρ3，所述背面副栅线的电阻率为ρ4，其中，所述ρ1、ρ2、ρ3、ρ4分别满足：3.5Ω
·
cm≤ρ1≤6.0Ω
·
cm，3.5Ω
·
cm≤ρ
@
≤6.0Ω
·
cm，3.5Ω
·
cm≤ρ
#
≤6.0Ω
·
cm,3.5Ω
·
cm≤ρ4≤6.0Ω
·
cm。12.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述电池片的正面的方阻为R1，所述电池片的背面的方阻为R2，其中，所述R1、R2分别满足：80Ω/sq≤R1≤100Ω/sq，70Ω/sq≤R2≤90Ω/sq。13.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所有的所述背面副栅线遮挡所述电池片的背面的遮挡面积之和大于等于所有的所述正面副栅线遮挡所述电池片的正面的遮挡面积之和。14.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，所述背面副栅线的数量大于等于所述
正面副栅线的数量。15.根据权利要求1所述的电池片，其特征在于，当所述电池片为完整电池片时，所述正面副栅线的数量为N1，所述背面副栅线的数量为N2，其中，所述N1、N2分别满足：60≤N1≤120，120≤N2≤240。16.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓士锋，夏正月，许涛，张光春，
申请(专利权)人：常熟阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：