半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括中央区域以及环绕中央区域的晶边区域，基底上形成有抗反射涂层；在中央区域形成覆盖基底的保护层，保护层露出晶边区域的抗反射涂层；去除保护层露出的抗反射涂层；去除保护层露出的抗反射涂层后，去除保护层以及中央区域的剩余抗反射涂层。在基底上形成抗反射涂层的过程中，容易出现位于晶边区域的抗反射涂层厚度大于位于中央区域的抗反射涂层厚度的问题，去除晶边区域的抗反射涂层的难度较大，因此，在基底上形成保护层，保护层覆盖基底，有利于在将晶边区域的抗反射涂层去除的同时，保护基底，减少中央区域的基底受到损伤的概率，进而有利于提高半导体结构的工作性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业的快速增长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。
[0003]随着特征尺寸的不断减小，光刻作为一个重要的工艺，将掩模板中的图形转移到光刻胶层中的困难度不断增加，在光刻胶层中定义图形时，由于光刻胶下方的半导体基底(包括金属层和介质层)具有较高的反射系数，使得曝光光源容易在半导体基底表面发生反射，造成光刻胶图形的变形或尺寸偏差，导致掩模板图形的不正确转移，为了消除光源的反射现象，通常在半导体基底上形成光刻胶之前，会先形成一层抗反射涂层(anti
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括中央区域以及环绕所述中央区域的晶边区域，所述基底上形成有抗反射涂层；在所述中央区域形成覆盖所述基底的保护层，所述保护层露出所述晶边区域的抗反射涂层；去除所述保护层露出的所述抗反射涂层；去除所述保护层露出的所述抗反射涂层后，去除所述保护层以及所述中央区域的剩余抗反射涂层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成保护层的步骤包括：形成覆盖所述基底和抗反射涂层的保护材料层；去除位于所述晶边区域的保护材料层，露出所述抗反射涂层，剩余的所述保护材料层作为保护层。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述抗反射涂层和所述基底之间还形成有平坦化层；去除所述保护层的步骤中，同时还去除所述平坦化层。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述中央区域形成覆盖所述基底的保护层的步骤中，所述保护层和平坦化层的材料相同。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括涂布工艺。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述保护层露出的所述抗反射涂层。7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用洗边工艺去除位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余桥，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：