【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于电子产品领域,具体涉及一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]目前,微电子工业技术发展迅速,电子器件、电子设备向着高度集成化、小型化发展,对陶瓷基板的性能要求也越来越高。由于氧化铝陶瓷基板具有优良的绝缘性能、较好的热导率及较强的机械强度等显著特点,在电子工业领域被广泛应用。目前市场上的氧化铝陶瓷基板大多是以96氧化铝陶瓷基板为主,其主要应用于厚膜集成电路、LED封装等领域,但对于高频器件用输入输出基板、光通信器件用基板、继电器用基板等需要采用高纯度(纯度大于99%以上)的氧化铝基板,以实现低损耗时,96氧化铝陶瓷基板将不再适用。
[0003]然而高纯度的氧化铝陶瓷基板的烧结温度较高,采用微米级、亚微米级的氧化铝粉作为原料时,在1700℃以上的高温下烧结才能形成致密结构,而一般的连续式电窑的最高温度不超过1650℃,因此,需要采用惰性气体保护的石墨发热炉或热压炉等间歇式的高温炉中进行烧结,而这些烧结设备较为昂贵,生产效率低,产量少,综 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氧化铝陶瓷基板,其特征在于:包括以下质量百分比的组分:氧化铝99~99.5%,MgO
‑
CaO
‑
SiO
2 0.1~0.6%,变价氧化物0.3~0.5%,稀土氧化物0.1~0.5%。2.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板,其特征在于:所述变价氧化物包括TiO2、TiO2‑
MnO2、MnO2中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的氧化铝陶瓷基板,其特征在于:所述稀土氧化物包括La2O3、Y2O3、La2O3‑
Y2O3中的至少一种。4.根据权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板,其特征在于:所述变价氧化物为TiO2‑
MnO2;所述TiO2‑
MnO2中,TiO2和MnO2的质量比为(1.5~2.5):1;所述稀土氧化物为La2O3‑
Y2O3;所述La2O3‑
Y2O3中,La2O3和Y2O3的质量比为1:(0.8~1.2);所述MgO
‑
CaO
‑
SiO2中,MgO、CaO和SiO2的质量比为1:(0.8~1.2):...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙健,王高强,江楠,
申请(专利权)人:南充三环电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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