陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置制造方法及图纸

本申请提供一种陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置。该陶瓷基体的材质包括碳化硅、氧化铝及二氧化硅；其中，碳化硅的重量百分数为25

【技术实现步骤摘要】
陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置


[0001]本专利技术涉及陶瓷生产
，尤其涉及一种陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置。

技术介绍

[0002]雾化器是一种将气溶胶生成基质雾化成气溶胶的装置，其被广泛应用于医疗设备和电子雾化装置。
[0003]目前，雾化器一般采用棉芯、纤维绳或陶瓷发热体对气溶胶生成基质进行雾化；其中，陶瓷发热体主要可分为两大类：第一类是管式的陶瓷发热体，其具体是将发热丝缠绕在多孔陶瓷基体的内壁，然后在一起烧结；第二类是片式的陶瓷发热体，其具体是将发热膜通过丝网印刷的工艺印在多孔陶瓷基体表面，然后进行烧结。
[0004]然而，现有陶瓷基体的热导率较低，使得高粘度的气溶胶生成基质，比如大麻二酚或四氢大麻酚，在陶瓷发热体中的导油速率较慢，进而使得抽吸时供液不足，导致口感不一致。

技术实现思路

[0005]本申请提供的陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置，该陶瓷基体能够解决现有陶瓷基体的热导率较低的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的材质包括碳化硅、氧化铝及二氧化硅；其中，所述碳化硅的重量百分数的范围为25
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75％；所述氧化铝的重量百分数的范围为10
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55％；所述二氧化硅的重量百分数的范围为7
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30％。2.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述碳化硅的重量百分数的范围为30％
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45％；所述氧化铝的重量百分数的范围为40％
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55％；所述二氧化硅的重量百分数的范围为10％
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20％。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的材质还包括添加剂，所述添加剂的重量百分数的范围为0
‑
10％。4.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的热导率的范围为1
‑
2.5W/mk。5.根据权利要求4所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的厚度范围为1.5
‑
2.5mm。6.根据权利要求4所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的孔隙率范围为45％
‑
65％，平均孔径范围10
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35μm。7.根据权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体由所述碳化硅、所述氧化铝及所述二氧化硅组成。8.一种陶瓷发热体，其特征在于，所述陶瓷发热体用于在通电时加热并雾化高粘度的气溶胶生成基质，所述陶瓷发热体包括：陶瓷基体，为如权利要求1
‑
7任一项所述的陶瓷基体；发热体，设置在所述陶瓷基体上，用于在通电时产生热量，所述陶瓷基体对所述发热体产生的热量进行导热。9.根据权利要求8所述的陶瓷发热体，其特征在于，所述陶瓷基体包括相对的吸液面和雾化面，所述发热体设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋玥，陈智超，黎海华，向绍斌，
申请(专利权)人：深圳麦克韦尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：