一种全彩LED器件控制方法技术

本发明专利技术公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明专利技术在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明专利技术只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明专利技术LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。性和有毒等问题。性和有毒等问题。

A control method of full-color LED device

【技术实现步骤摘要】
一种全彩LED器件控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种全彩LED器件控制方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术作为一种独特的显示器，可以应用于智能眼镜、智能手机、VR/AR、头戴式显示器、抬头显示器等，受到业界内的广泛关注。与传统LCD和OLED相比，Micro LED具有自发光、低功耗、高分辨率、高亮度和使用寿命长等优点，被认为是将颠覆传统的新一代显示技术，已成为 LED 产业领域新的增长和爆发点。
[0003]目前Micro LED显示技术主要有三种，第一种是目前研究最广泛的芯片巨量转移技术，先将第一种颜色的芯片转移到集成基板，然后将第二种颜色的芯片再转移到此集成基板上，最后再转移最后一种颜色到同基板，三种颜色混合实现全彩显示，此方法中第二次、第三次芯片转移过程易对已转移的芯片产生影响，且多次转移易损坏集成基板和各种元器件，目前还未实现大批量生产。第二种方法是一次性批量转移短波长单色LED芯片到集成基板上，然后在各芯片上涂覆红、绿色量子点转换材料，利用短波长单色LED芯片辐射的高能光子激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩LED器件控制方法，该LED器件由多个像素点构成，每个像素点均由单颗无颜色转换材料芯片构成，该LED单芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色，其特征在于：将外延片按照显示要求制备出相应尺寸的LED芯片，通过脉冲宽度调制驱动方法调控驱动电流大小实现单芯片显示不同颜色，调控单位时间内的占空比来实现单芯片显示不同的亮度，利用人眼对单位时间内不同组合图像分辨来实现单芯片全彩LED显示。2.根据权利要求1所述的全彩LED器件控制方法，其特征在于：具体步骤如下：步骤一：在衬底上生长外延片；步骤二：将步骤一的外延片采用LED芯片制备工艺，进行激活、光刻、刻蚀、蒸镀金属、基板转移、粗化、钝化、电极制作步骤步骤，制备得到LED芯片，在不同电流密度下，LED芯片的发光波长从440nm变到620nm；步骤三：将步骤二得到的LED芯片与驱动电路板焊接，采用脉冲宽度调制注入电流的大小和占空比来实现亮度均衡的彩色发光；具体调节方法为：A、定义ILED为通入LED芯片的电流，单位为毫安，ILED=R，ILED=G，ILED=B，ILED=0；其中R＜G＜B，R红光对应电流，G为绿光对应电流，B为蓝光对应电流，0为不通电流；B、定义delay函数，delay（t）表示保持前一条语句的时间，单位为微秒；C 、发光控制命令...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建立，杨小霞，王小兰，高江东，李丹，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：