发光二极管芯片、显示装置及制备方法制造方法及图纸

本公开提供了一种发光二极管芯片，包括：基底；多个外延结构，位于基底一侧，任意相邻的两个外延结构之间具有间隙，外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层；至少一个第一电极，位于第一半导体层远离基底的一侧且与第一半导体层电连接；多个第二电极，位于第二半导体图案远离基底的一侧，每个第二电极与至少一个外延结构的第二半导体图案电连接；像素界定层，位于基底远离外延结构的一侧，像素界定层上设置有与外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分像素开口内设置有色转换图案，色转换图案配置为将发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光。为第二颜色光。为第二颜色光。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片、显示装置及制备方法


[0001]本公开涉及显示领域，特别涉及一种发光二极管芯片、显示装置及制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)因具有高效率、高亮度、高可靠度、节能及反应速度快等诸多优点，且LED显示装置相比于液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示装置，在画质、刷新频率、功耗和亮度上有较为明显的优势，使得LED被较为广泛的应用至传统显示、近眼显示、3D(3Dimension)显示以及透明显示等领域中。

技术实现思路

[0003]本公开提出了一种发光二极管芯片及其制备方法、显示装置及其制备方法。
[0004]第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片，包括：
[0005]基底；
[0006]多个外延结构，位于所述基底一侧，任意相邻的两个所述外延结构之间具有间隙，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个所述外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层；
[0007]至少一个第一电极，位于所述第一半导体层远离所述基底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接；
[0008]多个第二电极，位于所述第二半导体图案远离所述基底的一侧，每个所述第二电极与至少一个所述外延结构的第二半导体图案电连接；
[0009]像素界定层，位于所述基底远离所述外延结构的一侧，所述像素界定层上设置有与所述外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分所述像素开口内设置有色转换图案，所述色转换图案配置为将所述发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光。
[0010]在一些实施例中，发光二极管芯片还包括：
[0011]第一遮光层，位于所述像素界定层与所述基底之间，所述第一遮光层配置为遮挡由所述外延结构所发出且在所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面发生折射后传播方向未指向该外延结构所对应像素开口的光线。
[0012]在一些实施例中，所述第一遮光层包括至少一个遮光图案，在预设方向上相邻的两个所述外延结构对应一个遮光图案，所述遮光图案在所述预设方向上的最小宽度W满足：
[0013]W≥2*H*tanθ
‑
D
[0014]H为所述外延结构内所述发光图案远离所述基底的一侧表面与所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面之间的距离，θ为所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面的全反射临界角，D为在预设方向上相邻的两个所述外延结构之间的间隙在所述预设方向上的最小距离。
[0015]在一些实施例中，所述像素界定层的材料包括：遮光材料或光反射材料。
[0016]在一些实施例中，所述发光二极管芯片还包括：
[0017]彩膜层，位于所述像素界定层远离所述基底的一侧，所述彩膜层包括与所述色转换图案一一对应的多个第一彩色滤光图案，所述第一彩色滤光图案配置为阻挡除所述彩色滤光图案所对应色转换图案转换出的第二颜色光之外的其他颜色光。
[0018]在一些实施例中，所述像素开口在所述基底上的正投影完全覆盖该像素开口所对应的外延结构内所述发光图案在所述基底上的正投影。
[0019]在一些实施例中，一部分像素开口内设置有所述色转换图案，另一部分像素开口内设置有透光图案，所述第一透光图案配置为使得所述第一颜色光通过。
[0020]在一些实施例中，所述透光图案包括光场调制图案，所述光场调制图案配置为调整所处像素开口处所述第一颜色光的出光角谱分布。
[0021]在一些实施例中，像素界定层远离所述基底的一侧设置有与所述光场调制图案一一对应的多个第二彩色滤光图案，所述第二彩色滤光图案配置为阻挡除所述第一颜色光之外的其他颜色光。
[0022]在一些实施例中，设置有所述透光图案的像素开口在所述基底上的正投影面积小于或等于设置有所述色转换图案在所述基底上的正投影面积。
[0023]在一些实施例中，所述第一颜色光包括：蓝色光；
[0024]所述第二颜色光包括：红色光、绿色光、青色光、品红色光和黄色光中至少之一。
[0025]在一些实施例中，所述制备方法用于制备上述权利要求1
‑
11中任一所述发光二极管芯片，所述制备方法包括：
[0026]提供一基底；
[0027]在所述基底的一侧形成多个外延结构，任意相邻的两个所述外延结构之间具有间隙，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个所述外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层；
[0028]在所述第一半导体层远离所述基底的一侧形成至少一个第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接；
[0029]在所述第二半导体图案远离所述基底的一侧形成多个第二电极，每个所述第二电极与至少一个所述外延结构的第二半导体图案电连接；
[0030]在所述基底远离所述外延结构的一侧形成像素界定层，所述像素界定层上设置有与所述外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分所述像素开口内设置有色转换图案，所述色转换图案配置为将所述发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光。
[0031]在一些实施例中，所述发光二极管芯片为权利要求2或3中所述发光二极管芯片，在所述基底远离所述外延结构的一侧形成像素界定层的步骤之前，还包括：
[0032]在所述基底远离所述外延结构的一侧形成所述第一遮光层。
[0033]第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：
[0034]驱动背板，包括多个连接焊盘，所述多个连接焊盘包括多个第一焊盘和多个第二焊盘；
[0035]多个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片采用上述权利要求1
‑
11中任一所述发光二极管芯片，所述发光二极管芯片中的每个第一电极与一个第一焊盘电连接，所述发光二极管芯片中的每个第二电极与一个第二焊盘电连接。
[0036]在一些实施例中，显示装置还包括：
[0037]第二遮光层，所述第二遮光层位于任意相邻的两个所述发光二极管芯片之间；
[0038]封装层，位于所述第二遮光层和所述发光二极管芯片远离所述基底的一侧。
[0039]第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置的制备方法，包括：
[0040]基于第一方面提供的制备方法制备出发光二极管芯片；
[0041]提供一驱动基板，所述驱动背板包括多个连接焊盘，所述多个连接焊盘包括多个第一焊盘和多个第二焊盘；
[0042]将所述发光二极管芯片中的每个第一电极与一个第一焊盘电连接以及将所述发光二极管芯片中的每个第二电极与一个第二焊盘电连接。
[0043]在一些实施例中，将所述发光二极管芯片中的每个第一电极与一个第一焊盘电连接以及将所述发光二极管芯片中的每个第二电极与一个第二焊盘电连接的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：基底；多个外延结构，位于所述基底一侧，任意相邻的两个所述外延结构之间具有间隙，所述外延结构包括依次层叠设置的第一半导体图案、发光图案和第二半导体图案，至少两个所述外延结构的第一半导体图案相互连通构成第一半导体层；至少一个第一电极，位于所述第一半导体层远离所述基底的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接；多个第二电极，位于所述第二半导体图案远离所述基底的一侧，每个所述第二电极与至少一个所述外延结构的第二半导体图案电连接；像素界定层，位于所述基底远离所述外延结构的一侧，所述像素界定层上设置有与所述外延结构一一对应的多个像素开口，至少部分所述像素开口内设置有色转换图案，所述色转换图案配置为将所述发光图案所发出第一颜色光转换为第二颜色光。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：第一遮光层，位于所述像素界定层与所述基底之间，所述第一遮光层配置为遮挡由所述外延结构所发出且在所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面发生折射后传播方向未指向该外延结构所对应像素开口的光线。3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一遮光层包括至少一个遮光图案，在预设方向上相邻的两个所述外延结构对应一个遮光图案，所述遮光图案在所述预设方向上的最小宽度W满足：W≥2*H*tanθ
‑
DH为所述外延结构内所述发光图案远离所述基底的一侧表面与所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面之间的距离，θ为所述基底靠近所述像素界定层的一侧表面的全反射临界角，D为在预设方向上相邻的两个所述外延结构之间的间隙在所述预设方向上的最小距离。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述像素界定层的材料包括：遮光材料或光反射材料。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：彩膜层，位于所述像素界定层远离所述基底的一侧，所述彩膜层包括与所述色转换图案一一对应的多个第一彩色滤光图案，所述第一彩色滤光图案配置为阻挡除所述彩色滤光图案所对应色转换图案转换出的第二颜色光之外的其他颜色光。6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述像素开口在所述基底上的正投影完全覆盖该像素开口所对应的外延结构内所述发光图案在所述基底上的正投影。7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，一部分像素开口内设置有所述色转换图案，另一部分像素开口内设置有透光图案，所述第一透光图案配置为使得所述第一颜色光通过。8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述透光图案包括光场调制图案，所述光场调制图案配置为调整所处像素开口处所述第一颜色光的出光角谱分布。9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，像素界定层远离所述基底的一侧设置有与所述光场调制图案一一对应的多个第二彩色滤光图案，所述第二彩色滤光图案
配置为阻挡除所述第一颜色光之外的其他颜色光。10.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，设置有所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：董学，袁广才，姚琪，曹占锋，舒适，王明星，李翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：