薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开一种薄膜晶体管及其制备方法。薄膜晶体管包括：基底；第一金属层，设置在基底上；第一绝缘层，覆盖第一金属层；半导体层，设置在第一绝缘层上且设置有凹槽；透明导电层，设置在半导体层上，且包括位于凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极；第二金属层，设置在透明导电层上，且包括与第一透明电极和第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极；第二绝缘层，设置在第二金属层上，并填充凹槽，第二绝缘层设置有贯穿孔；像素电极，设置在第二绝缘层上，并通过贯穿孔连接第二金属层；第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离。本发明专利技术公开的薄膜晶体管可以提高充电效率。可以提高充电效率。可以提高充电效率。

Thin film transistor and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜晶体管以及一种薄膜晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]随着液晶显示器的分辨率和刷新频率不断提高，像素负载(loading)也相应增大，液晶显示器会出现充电不足的问题。举例而言，液晶显示器的分辨率达到7680RGB*4320，刷新频率达到120HZ时，液晶显示器充电时间就只有1.93us，存在充电不足的问题，最终导致液晶显示器的画面显示异常。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例公开一种薄膜晶体管以及一种薄膜晶体管的制备方法，可以提高充电效率，避免现有的液晶显示器存在充电不足，导致画面显示异常的问题。
[0004]具体地，第一方面，本专利技术实施例公开一种薄膜晶体管，包括：基底；第一金属层，设置在所述基底上，且包括栅电极；第一绝缘层，设置在所述基底上，且覆盖所述第一金属层；半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，且设置有凹槽；透明导电层，设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，且包括位于所述凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极；第二金属层，设置在所述透明导电层远离所述半导体层的一侧，且包括：与所述第一透明电极和所述第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极；第二绝缘层，设置在所述第二金属层远离所述透明导电层的一侧，并填充所述凹槽，其中所述第二绝缘层设置有贯穿孔；以及像素电极，设置在所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧，并通过所述贯穿孔连接所述第二金属层；其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。
[0005]在本专利技术的一个实施例中，所述第一金属电极完全覆盖所述第一透明电极，所述第二金属电极完全覆盖所述第二透明电极。
[0006]在本专利技术的一个实施例中，所述半导体层包括：第一半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧；第二半导体层，设置在所述第一半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；其中，所述凹槽贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层。
[0007]在本专利技术的一个实施例中，所述漏电极包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；所述源电极包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。。
[0008]在本专利技术的一个实施例中，所述透明导电层和所述第二金属层经由同一掩膜版进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。
[0009]第二方面，本专利技术实施例公开的一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括栅电极；在所述基底上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成透明导电层；在所述透明导电层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极；对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极；对所述半导体层进行图案化处理形成位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的凹槽；在所述第二金属层上形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层填充所述凹槽；图案化所述第二绝缘层形成贯穿所述第二绝缘层的贯穿孔；以及在所述第二金属层上形成像素电极，其中所述像素电极伸入所述贯穿孔连接所述第二金属层；其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。
[0010]在本专利技术的一个实施例中，所述在所述半导体层上依序叠加形成透明导电层和第二金属层，包括：在所述半导体层上形成所述透明导电层；在所述透明导电层上形成所述第二金属层，且所述第二金属层完全覆盖所述透明导电层；所述对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极，包括：对所述透明导电层进行图案化处理形成被所述第一金属电极完全覆盖的第一透明电极、以及被所述第二金属电极完全覆盖的第二透明电极。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述在所述第一绝缘层上形成半导体层，包括：在所述第一绝缘层上形成所述第一半导体层；在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层；所述对所述半导体层进行图案化处理形成位于所述第一透明电极和所述第二透明电极之间的凹槽，包括：对所述第一半导体层和所述第二半导体层进行所述图案化处理以形成贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层的所述凹槽。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极，以及对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述第一金属电极和所述第二金属电极的第一透明电极和第二透明电极，包括：使用同一个掩膜版对所述第二金属层和所述透明导电层分别进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，所述漏电极包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；所述源电极包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。
[0014]本专利技术上述技术方案可以有如下的一个或者多个有益效果：一方面，通过在半导体层和第二金属层之间设置透明导电层，从而使得透明导电层的第一透明电极和第二金属层的第一金属电极组成源电极，透明导电层的第二透明电极和第二金属层的第二金属电极组成漏电极，且将第一透明电极和第二透明电极沿沟道方向的距离设置为小于第一金属电极和第二金属电极沿沟道方向的距离，可以减小薄膜晶体管的沟道长度，从而提高充电速度，可以有效地避免现有的液晶显示器充电不足，导致画面显示异常的问题；另一方面，通过将源极延伸部设置在第一漏极延伸部和第二漏极延伸部之间，即将薄膜晶体管自身电容
较小的一极作为源电极连接数据线，减小了源电极的面积，降低了源电极的电容，从而减小了像素负载，进一步提高了充电效率。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1a为本专利技术第一实施例公开的薄膜晶体管的部分结构示意图。
[0017]图1b为本专利技术第一实施例公开的薄膜晶体管的结构示意图。
[0018]图2为本专利技术第一实施例公开的薄膜晶体管的另一种部分结构示意图。
[0019]图3为本专利技术第一实施例公开的薄膜晶体管中源电极和漏电极的部分结构示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底；第一金属层，设置在所述基底上，且包括栅电极；第一绝缘层，设置在所述基底上，且覆盖所述第一金属层；半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧，且设置有凹槽；透明导电层，设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧，且包括位于所述凹槽两侧的第一透明电极和第二透明电极；第二金属层，设置在所述透明导电层远离所述半导体层的一侧，且包括：与所述第一透明电极和所述第二透明电极分别对应的第一金属电极和第二金属电极；第二绝缘层，设置在所述第二金属层远离所述透明导电层的一侧，并填充所述凹槽，其中所述第二绝缘层设置有贯穿孔；以及像素电极，设置在所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧，并通过所述贯穿孔连接所述第二金属层；其中，所述第一透明电极和所述第一金属电极组成源电极，所述第二透明电极和所述第二金属电极组成漏电极，且所述第一透明电极和所述第二透明电极沿沟道方向的距离小于所述第一金属电极和所述第二金属电极沿所述沟道方向的距离。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属电极完全覆盖所述第一透明电极，所述第二金属电极完全覆盖所述第二透明电极。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层包括：第一半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述第一金属层的一侧；第二半导体层，设置在所述第一半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；其中，所述凹槽贯穿所述第二半导体层伸入所述第一半导体层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏电极包括：漏极主体部和自所述漏极主体部侧向延伸形成的第一漏极延伸部和第二漏极延伸部；所述源电极包括：源极主体部和自所述源极主体部侧向延伸形成的源极延伸部，其中所述源极延伸部位于所述第一漏极延伸部和所述第二漏极延伸部之间。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明导电层和所述第二金属层经由同一掩膜版进行蚀刻形成所述源电极和所述漏电极。6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一金属层，其中所述第一金属层包括栅电极；在所述基底上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述第一绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上依序叠加形成透明导电层和第二金属层；对所述第二金属层进行图案化处理形成第一金属电极和第二金属电极；对所述透明导电层进行图案化处理形成分别对应所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：任佳，吴永良，黄小骅，
申请(专利权)人：咸阳彩虹光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：