一种移相器制造技术

本发明专利技术提供一种移相器，属于通信技术领域。本发明专利技术提供的一种移相器，包括第一基板，依次设置在第一基板上的信号电极和参考电极、第一绝缘层和多个相控单元。每个相控单元包括主体部和至少一个连接部；主体部在第一基板上的正投影，与信号电极在第一基板上的正投影至少部分重叠，且主体部与第一绝缘层之间具有间隙；至少一个连接部连接在主体部，与覆盖在参考电极上的第一绝缘层之间；其中，主体部包括多个第一子电极，多个第一子电极相短接，且多个第一子电极中的至少部分连接同一连接部。个第一子电极中的至少部分连接同一连接部。个第一子电极中的至少部分连接同一连接部。

【技术实现步骤摘要】
一种移相器


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种移相器。

技术介绍

[0002]随着信息时代迅速发展，具备高集成、小型化、多功能以及低成本的无线终端逐渐成为通信技术的发展趋势。在通信和雷达应用中，移相器是必不可少的关键组件。传统的移相器主要包括铁氧体移相器和半导体移相器，其中铁氧体移相器有较大的功率容量，且插入损耗比较小、但工艺复杂、制造成本昂贵、体积庞大等因素限制了其大规模应用；半导体移相器体积小，工作速度快，但功率容量比较小，功耗较大，工艺难度高。
[0003]现有技术的微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)移相器相比于传统移相器在插损、功耗、体积与成本等方面均具有明显优势，在无线电通讯和微波技术等领域应用受到了广泛关注。然而，现有MEMS移相器由于制备工艺相对复杂，器件稳定性和一致性提升成为量产化的主要问题，且需要较大的驱动电压。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器，其能够提高移相器中每个相控单元的一致性和稳定性，且能够减小相控单元所需的驱动电压。
[0005]解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种移相器，包括：
[0006]第一基板；
[0007]信号电极和位于所述信号电极的延伸方向的至少一侧的参考电极，所述信号电极和所述参考电极均设置在所述第一基板上；
[0008]第一绝缘层，设置在所述参考电极和所述信号电极背离所述第一基板一侧；
[0009]至少一个相控单元，设置在所述第一绝缘层背离所述第一基板一侧，每个所述相控单元包括主体部和至少一个连接部；所述主体部在所述第一基板上的正投影，与所述信号电极在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，且所述主体部与所述第一绝缘层之间具有间隙；至少一个所述连接部连接在所述主体部，与覆盖在所述参考电极上的所述第一绝缘层之间；其中，
[0010]所述主体部包括多个第一子电极，多个所述第一子电极相短接，且多个所述第一子电极中的至少部分连接同一所述连接部。
[0011]本专利技术提供的移相器，由于将每个相控单元的主体部的多个第一子电极短接，用连接部固定在参考电极处的第一绝缘层，因此驱动电压会由连接部输入到主体部，驱动整个主体部共同活动，而非分别驱动单个第一子电极活动，因此提高了移相器的一致性和稳定性；并且，由于将部分第一子电极，通过同一连接部固定在参考电极处的第一绝缘层，而非一个第一子电极通过一个连接部固定，因此有效减少了每个相控单元是连接部的数量，也即减少了相控单元与第一绝缘层的连接点，从而通过较小的驱动电压就能驱动主体部活动，有效减少移相器所需的驱动电压。
[0012]优选的是，每个所述相控单元的所述主体部还包括第一短接部和第二短接部，多个所述第一子电极的一端均连接所述第一短接部，另一端均连接所述第二短接部；
[0013]至少一个所述连接部与所述第一短接部与所述第二短接部中的一者连接。
[0014]优选的是，所述参考电极包括第一参考电极和第二参考电极，所述第一参考电极和所述第二参考电极分别设置在所述信号电极的延伸方向的两侧；
[0015]每个所述相控单元包括多个所述连接部，多个所述连接部均分为两组，其中一组连接在所述第一短接部，与覆盖在所述第一参考电极上的所述第一绝缘层之间，另一组连接在所述第二短接部，与覆盖在所述第二参考电极上的所述第一绝缘层之间。
[0016]优选的是，每个所述相控单元的多个第一子电极一体成型，且形成片状结构；至少一个所述连接部连接在所述片状结构，与覆盖在所述参考电极上的所述第一绝缘层之间。
[0017]优选的是，所述参考电极包括第一参考电极和第二参考电极，所述第一参考电极和所述第二参考电极分别设置在所述信号电极的延伸方向的两侧；
[0018]每个所述相控单元包括多个所述连接部，多个所述连接部均分为两组，其中一组连接在所述片状结构靠近所述第一参考电极的一侧，与覆盖在所述第一参考电极上的所述第一绝缘层之间，另一组连接在所述片状结构靠近所述第二参考电极一侧，与覆盖在所述第二参考电极上的所述第一绝缘层之间。
[0019]优选的是，每个所述相控单元的两组连接部的任一组中所述连接部的数量，为所述第一子电极的数量的二分之一。
[0020]优选的是，多个所述第一子电极中的每个的宽度相同，且任意两个相邻的所述第一子电极之间的间距相同。
[0021]优选的是，还包括：控制单元和多条信号引线；每条所述信号引线的一端连接所述控制单元，另一端连接一个所述相控单元中的任一所述连接部。
[0022]优选的是，还包括：第二基板，与所述第一基板相对设置，且设置在多个所述相控单元背离所述第一基板一侧；所述第二基板与多个所述相控单元之间具有间隙；
[0023]密封结构，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，且设置在所述第一基板的周边区域；所述密封结构在所述第一基板上的正投影，与多个所述相控单元在所述第一基板上的正投影无重叠。
[0024]优选的是，所述密封结构包括隔热材料。
[0025]优选的是，还包括：至少一个隔热层，设置在所述第一基板及所述第二基板中的至少一者背离多个所述相控单元一侧。
[0026]优选的是，所述至少一个隔热层包括第一隔热层和第二隔热层；所述第一隔热层设置在所述第一基板背离多个所述相控单元一侧；所述第二隔热层设置在所述第二基板背离多个所述相控单元一侧。
[0027]优选的是，还包括：多个隔垫物，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，且设置在所述密封结构靠近多个所述相控单元一侧。
[0028]优选的是，所述第一基板和/或所述第二基板为玻璃基板或硅基基板。
附图说明
[0029]图1为一种示例性的移相器的结构示意图；
[0030]图2为本公开实施例提供的移相器的一种实施例的结构示意图；
[0031]图3为沿图2的A
‑
B方向剖切的剖面图；
[0032]图4为图2的公开实施例提供的移相器的相控单元的一种示例性的结构示意图；
[0033]图5为本公开实施例提供的移相器的另一种实施例的结构示意图；
[0034]图6为沿图5的C
‑
D方向剖切的剖面图；
[0035]图7为图5的公开实施例提供的移相器的相控单元的另一种示例性的结构示意图；
[0036]图8为本公开实施例提供的移相器的一种实施例的结构示意图；
[0037]图9为图8的公开实施例提供的移相器的相控单元的另一种示例性的结构示意图；
[0038]图10为本公开实施例提供的移相器的一种实施例的层结构图；
[0039]图11为本公开实施例提供的移相器的一种实施例的制备方法。
具体实施方式
[0040]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于，包括：第一基板；信号电极和位于所述信号电极的延伸方向的至少一侧的参考电极，所述信号电极和所述参考电极均设置在所述第一基板上；第一绝缘层，设置在所述参考电极和所述信号电极背离所述第一基板一侧；至少一个相控单元，设置在所述第一绝缘层背离所述第一基板一侧，每个所述相控单元包括主体部和至少一个连接部；所述主体部在所述第一基板上的正投影，与所述信号电极在所述第一基板上的正投影至少部分重叠，且所述主体部与所述第一绝缘层之间具有间隙；至少一个所述连接部连接在所述主体部，与覆盖在所述参考电极上的所述第一绝缘层之间；其中，所述主体部包括多个第一子电极，多个所述第一子电极相短接，且多个所述第一子电极中的至少部分连接同一所述连接部。2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，每个所述相控单元的所述主体部还包括第一短接部和第二短接部，多个所述第一子电极的一端均连接所述第一短接部，另一端均连接所述第二短接部；至少一个所述连接部与所述第一短接部与所述第二短接部中的一者连接。3.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述参考电极包括第一参考电极和第二参考电极，所述第一参考电极和所述第二参考电极分别设置在所述信号电极的延伸方向的两侧；每个所述相控单元包括多个所述连接部，多个所述连接部均分为两组，其中一组连接在所述第一短接部，与覆盖在所述第一参考电极上的所述第一绝缘层之间，另一组连接在所述第二短接部，与覆盖在所述第二参考电极上的所述第一绝缘层之间。4.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，每个所述相控单元的多个第一子电极一体成型，且形成片状结构；至少一个所述连接部连接在所述片状结构，与覆盖在所述参考电极上的所述第一绝缘层之间。5.根据权利要求4所述的移相器，其特征在于，所述参考电极包括第一参考电极和第二参考电极，所述第一参考电极和所述第二参考电极分别设置在所述信号电极的延伸方向的两侧；每个所述相控单元包括多个所述连接部，多个所述连接部均分为两组，其中一组连接在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭景文，李春昕，吴倩红，曲峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：