一种同质多晶材料及其制备方法和应用技术

技术编号:34337617 阅读:78 留言:0更新日期:2022-07-31 03:17
本发明专利技术公开了一种同质多晶材料及其制备方法和应用,其中同质多晶材料为[(1,2

【技术实现步骤摘要】
一种同质多晶材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于无机

有机杂化材料
,确切地说是一种同质多晶材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]随着时代的进步,自然科学技术的飞速发展,新材料的开发和应用成为科学研究和工业化生产面临的重大问题,并有着极其重要的意义。近年来,配位聚合物和金属有机框架材料获得了迅猛的发展。配位聚合物是由金属盐和相应有机配体在适当反应条件下进行组装而构筑成的具有有序结构的晶态无机

有机杂化化合物。配位聚合物材料在光、电、磁、能源、环境、催化、吸附与分离等众多领域具有广泛的应用价值,因此这类具有特殊结构和功能的晶态物质备受科学家们的关注。通过金属离子与有机配体自组装可以形成拓扑结构多样的配位聚合物。配位聚合物具有合成方式简单、结构丰富多样和稳定性高等诸多优点。通过配位键使烯烃配体中的C=C双键固定,并控制它们之间的距离,因此配位聚合物可以作为研究[2+2] 环加成光反应的载体。
[0003]近几年来,随着结构表征技术的发展,国内外学者对配位聚合物中进行固相[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同质多晶材料,其特征在于:所述同质多晶材料为[(1,2

二(3

吡啶基)

乙烯)(5

甲基

1,3

苯二甲酸根)镉]
n
,n为重复单元数,是任意正整数;所述同质多晶材料有两种晶型结构,分别为α型和β型,它们互为同质多晶体。2.根据权利要求1所述的同质多晶材料,其特征在于:所述α型晶体属于单斜晶系,空间群为C2/c,晶胞参数为晶胞参数为α=90
°
,β=135.806(16)
°
,γ=90
°
;所述β型晶体属于单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为晶胞参数为α=90
°
,β=131.099(18)
°
,γ=90
°
。3.一种权利要求1或2所述的同质多晶材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:α型配合物的合成将1,2

二(3

吡啶基)

乙烯、5

甲基

1,3

苯二甲酸、四水合硝酸镉和去离子水置于反应釜中,恒温反应,反应结束后缓慢冷却至室温,过滤、洗涤、收集晶态化合物,可得α型配合物;步骤2:β型配合物的合成将α型配合物晶体置于高温下加热反应,α型配合物即可完全转化成β型配合物。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤1中,1,2

二(3

吡啶基)

乙烯、5

甲基

1,3

苯二甲酸、四水合硝酸镉的摩尔比为1~2:1~2:1~2。5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤1中,反应温度为162

176℃,反应时间为36

48小时。6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤2中,反应温度为280

300℃,反应时间为30

40分钟。7.一种权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘东李妮娅姚涵章赵薇刘波
申请(专利权)人:淮阴师范学院
类型:发明
国别省市:

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