一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统技术方案

本发明专利技术公开了一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，用来调节电压控制型半导体开关的导通速度，包括驱动电压可调的驱动电路，用来提供幅值不同的驱动电压信号；双极型晶体管，串联在驱动电路的输出端，调节驱动电流的大小；齐纳二极管和电阻，串联在晶体管的基极，与驱动电路构成一个闭合回路，控制晶体管的基极电流；二极管和电阻，并联在晶体管的集电极与发射极两端，用以实现半导体开关的快速关断；以及选择性的阻容支路，用以扩大米勒平台的调节范围和抑制米勒震荡。本发明专利技术通过调节驱动电压的幅值和晶体管来控制驱动电流的大小，从而调控米勒平台时间，进而控制电压控制型半导体开关的导通速度，实现了对于半导体开关的导通速度调节。开关的导通速度调节。开关的导通速度调节。

A driving circuit system for regulating the conduction speed of semiconductor switches

【技术实现步骤摘要】
一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统


[0001]本专利技术属于脉冲功率和电力电子
，具体涉及调节电压控制型半导体开关的导通速度，该技术可用在固态高压脉冲电源中以调节脉冲的边沿。

技术介绍

[0002]在近年来的研究中，高压脉冲电源越来越多地应用于生物，食品杀菌，化工，医疗等领域，尤其是等离子体放电的重要激励源。研究表明，高压脉冲的边沿速度会显著影响介质阻挡放电中低温等离子体的电子温度、浓度等。而在工业中应用广泛的磁控管和螺旋管中，需要某些特定边沿速度的脉冲作为激励源，因此，研究一种在一定范围内任意调节半导体开关的导通速度的驱动电路，并将之用于调节脉冲边沿的高压脉冲电源具有十分重要的意义。
[0003]目前对于半导体开关的驱动电路设计中，通常为了减小开关损耗而尽可能加快开关的导通速度，通常采用改变门极电阻或者加大驱动电流来实现半导体开关的快速导通。导通速度调节的电路很少，通常通过采用改变门极电阻来实现，但是该技术需要手动更换或者调节电阻值的大小，无法实现快速的自动控制和调节效果，且调节范围小、调节精度差。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，其特征在于：所述驱动电路系统用于控制电压控制型半导体开关的导通速度，包括：驱动电路，用以产生驱动电压幅值Vcc可调节的驱动电压信号；PNP双极型晶体管，其发射极与驱动电路的正极性输出端P+相连，其集电极与被驱动的半导体开关的门极或栅极相连，用来提供适当的驱动电流；基极电阻，与PNP双极型晶体管的基极串联，用来产生适当的基极电流；齐纳二极管，其阴极与基极电阻串联，其阳极与驱动电路的负极性输出端P
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相连，用来产生适当的驱动电压阈值；二极管和电阻串联支路，与PNP双极型晶体管的集电极与发射极反并联，且二极管的阴极与PNP双极型晶体管的发射极相连；所述的驱动电路、PNP双极型晶体管的发射极与基极、基极电阻和齐纳二极管构成一个串联回路，当驱动电压幅值改变时，驱动电流也随之改变；所述的驱动电路、PNP双极型晶体管的发射极与集电极与被驱动的半导体开关的控制引脚构成串联回路，产生上升沿可调的驱动电压。2.根据权利要求1所述的一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，其特征在于：所述基极电阻与齐纳二极管只要满足串联关系即可，它们的位置能够对调。3.根据权利要求1所述的一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，其特征在于：并联在PNP双极型晶体管的集电极与发射极之间的二极管和电阻只要满足串联关系即可，它们的位置能够对调。4.根据权利要求1
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3任意一项所述的一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，其特征在于：所述驱动电路输出的驱动电压幅值可调，通过直接提供可调节的供电电压给驱动芯片，或通过直接产生幅值不同的驱动电压信号，用以实现对驱动电流和半导体开关导通速度的调节。5.根据权利要求1
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3任意一项所述的一种调节半导体开关导通速度的驱动电路系统，其特征在于：被驱动的半导体开关的栅极与漏极或者门极与集电极之间连接有电阻电容串联支路。6.一种调节半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶俊峰，张睿，董山林，
申请(专利权)人：南通峰脉电源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：