一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法技术方案

本发明专利技术涉及一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法，所述的磁屏蔽室消磁线圈系统包括系统本体，系统本体包括布置在磁屏蔽室上的四组消磁线圈，所述磁屏蔽室为立方体结构，每组消磁线圈均采用一根消磁电缆制成，所述消磁电缆穿过磁屏蔽室并进入到磁屏蔽室内壁面上形成内部走线，所述消磁电缆形成内部走线后穿出磁屏蔽室并位于磁屏蔽室外壁面上形成外部走线，所述内部走线沿着磁屏蔽室的棱边布置，所述外部走线沿着磁屏蔽室的棱边布置且与内部走线对应，该消磁线圈系统的消磁效率高，并且用到的消磁线圈数量少，且本发明专利技术提出的该消磁线圈系统的结构比分布式消磁线圈系统的结构简单，复杂度降低，消磁线圈在安装的过程中简单方便，高效便捷。高效便捷。高效便捷。

A degaussing coil system of magnetic shielding room and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法


[0001]本专利技术涉及消磁
，尤其是涉及一种磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法。

技术介绍

[0002]磁屏蔽室采用高磁导率和高电导率材料，利用磁通分流以及涡流效应实现对磁场信号的屏蔽，是获取零磁空间、开展极弱磁科学以及零磁医学研究的重要装备。
[0003]高磁导率材料在加工处理工程中会存在一定的应力，导致材料内部存在剩余磁场，严重限制磁屏蔽室的磁场屏蔽性能。而解决这一问题的方法是对安装在磁屏蔽室中的高磁导率材料进行消磁，消除材料内部剩余磁场。当前的磁屏蔽室消磁是通过在高磁导率材料内外布置一定形状的消磁线圈，在消磁线圈中通入幅值逐渐衰减的消磁电流，实现材料的消磁。常用的消磁线圈结构有I型、L型以及分布式等。I型和L型具有较少的消磁线圈数量，线圈安装与绕制简便，但消磁效率较低；分布式消磁采用更多的消磁线圈均布在磁屏蔽室的各个面，可获得更高的消磁效率，但线圈结构复杂，安装更为困难。如何利用更少数量的消磁线圈，提高消磁效率、降低绕制和安装难度，成为研制磁屏蔽室消磁系统的主要技术难题之一。
[0004]本专利技术的技术方案是利用比分布式更少的消磁线圈，按Z字形布置连接成磁通连续的消磁系统，降低消磁线圈绕制和安装复杂度的同时获取与分布式消磁系统相当的消磁效率。本专利技术方法将大幅简化磁屏蔽室消磁线圈系统的设计与制作流程。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种消磁线圈使用数量少、消磁效率高、线圈绕制结构简单，并且安装简便的磁屏蔽室消磁线圈系统及其制备方法。
[0006]本专利技术所采用的技术方案是，一种磁屏蔽室消磁线圈系统，包括系统本体，所述系统本体包括布置在磁屏蔽室上的四组消磁线圈，所述磁屏蔽室为立方体结构，每组消磁线圈均采用一根消磁电缆制成，所述消磁电缆穿过磁屏蔽室并进入到磁屏蔽室内壁面上形成内部走线，所述消磁电缆形成内部走线后穿出磁屏蔽室并位于磁屏蔽室外壁面上形成外部走线，所述内部走线沿着磁屏蔽室的棱边布置，所述外部走线沿着磁屏蔽室的棱边布置且与内部走线对应，所述内部走线包括两两之间相互垂直的初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线以及第三过渡走线，所述外部走线包括两两之间相互垂直的第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线，所述第一过渡走线的一端与初始走线的一端连接，所述第一过渡走线的另一端与第二过渡走线的一端连接，所述第三过渡走线的一端与第二走线的另一端连接，所述第三过渡走线的另一端穿过磁屏蔽室与第四过渡走线的一端连接，所述第五走线的一端与第四过渡走线的另一端连接，所述第五走线的另一端与第六走线的一端连接，所述第六走线的另一端与终止走线的一端连接，所述四组消磁线圈的初始走线分别沿着磁屏蔽室内部的同一个壁面的四条棱边布置。
[0007]本专利技术的有益效果是：采用上述结构的磁屏蔽室消磁线圈系统，该消磁线圈系统的消磁效率高于现有技术中的I型消磁线圈系统以及L型消磁线圈系统，并且该消磁线圈系统仅用了四组消磁线圈就能与分布式消磁线圈系统的消磁效率相当，消磁线圈数量少，且本专利技术提出的该消磁线圈系统的结构比分布式消磁线圈系统的结构简单，复杂度降低，消磁线圈在安装的过程中简单方便，高效便捷。
[0008]作为优选，所述的初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线、第三过渡走线、第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线为一体成型结构，采用该结构，即通过一条线缆来绕制一组消磁线圈，消磁线圈系统总共包括了四组消磁线圈，那么就使用到四条线缆绕制得到该消磁线圈系统，该结构简单，所用到的线缆数量少，绕制简便。
[0009]作为优选，所述的每组消磁线圈均包括第一走线孔和第二走线孔，所述第一走线孔和第二走线孔分别位于磁屏蔽室的两个棱角附近，所述第一走线孔供消磁电缆穿过磁屏蔽室并进入到磁屏蔽室的内壁面上形成所述的内部走线，所述第二走线孔供形成内部走线的消磁电缆穿过磁屏蔽室并位于磁屏蔽室的外壁面上形成所述的外部走线，采用该结构，取一根消磁电缆，从第一走线孔进入到磁屏蔽室的内部，形成初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线以及第三过渡走线，再通过第二走线孔穿出磁屏蔽室形成第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线，该结构简单，绕制简便，高效便捷。
[0010]一种磁屏蔽室消磁线圈系统的制备方法，该方法包括下列步骤：
[0011](1)、取一根消磁电缆作为第一根消磁电缆，采用第一根消磁电缆来制作第一组消磁线圈，第一根消磁电缆从磁屏蔽室的第一个棱角附近处的第一走线孔穿过磁屏蔽室进入到磁屏蔽室的内壁面上，并沿着磁屏蔽室相互垂直的棱边形成第一根消磁电缆的初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线以及第三过渡走线，形成第三过渡走线后，消磁电缆穿过对应的第二走线孔显露于磁屏蔽室的外壁面上，并沿着磁屏蔽室相互垂直的棱边形成第一根消磁电缆的第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线，所述的第一根消磁电缆的第三过渡走线与第四过渡走线对应、第五过渡走线与第二过渡走线对应、第六过渡走线与第一过渡走线对应以及初始走线与终止走线对应；
[0012](2)、再取一根消磁电缆作为第二根消磁电缆，采用第二根消磁电缆来制作第二组消磁线圈，第二根消磁电缆从磁屏蔽室的第二个棱角附近处的第一走线孔穿过磁屏蔽室进入到磁屏蔽室的内壁面上，所述的第二个棱角附近处的第一走线孔与步骤(1)中所述的第一个棱角附近处的第一走线孔位于同一平面上，第二根消磁电缆沿着磁屏蔽室相互垂直的棱边形成第二根消磁电缆的初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线以及第三过渡走线，形成第三过渡走线后，第二根消磁电缆穿过对应的第二走线孔显露于磁屏蔽室的外壁面上，并沿着磁屏蔽室相互垂直的棱边形成第二根消磁电缆的第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线，所述的第二根消磁电缆的第三过渡走线与第四过渡走线对应、第五过渡走线与第二过渡走线对应、第六过渡走线与第一过渡走线对应以及初始走线与终止走线对应；
[0013](3)、再取一根消磁电缆作为第三根消磁电缆，采用第三根消磁电缆来制作第三组消磁线圈，第三根消磁电缆从磁屏蔽室的第三个棱角附近处的第一走线孔穿过磁屏蔽室进入到磁屏蔽室的内壁面上，所述的第三个棱角附近处的第一走线孔与步骤(2)中所述的第二个棱角附近处的第一走线孔位于同一平面上，第三根消磁电缆沿着磁屏蔽室相互垂直的
棱边形成第三根消磁电缆的初始走线、第一过渡走线、第二过渡走线以及第三过渡走线，形成第三过渡走线后，第三根消磁电缆穿过对应的第二走线孔显露于磁屏蔽室的外壁面上，并沿着磁屏蔽室相互垂直的棱边形成第三根消磁电缆的第四过渡走线、第五过渡走线、第六过渡走线以及终止走线，所述的第三根消磁电缆的第三过渡走线与第四过渡走线对应、第五过渡走线与第二过渡走线对应、第六过渡走线与第一过渡走线对应以及初始走线与终止走线对应；
[0014](4)、再取一根消磁电缆作为第四根消磁电缆，采用第四根消磁电缆来制作第四组消磁线圈，第四根消磁电缆从磁屏蔽室的第四个棱角附近处的第一走线孔穿过磁屏蔽室进入到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁屏蔽室消磁线圈系统，包括系统本体，其特征在于：所述系统本体包括布置在磁屏蔽室(1)上的四组消磁线圈，所述磁屏蔽室(1)为立方体结构或长方体结构，每组消磁线圈均采用一根消磁电缆制成，所述消磁电缆穿过磁屏蔽室(1)并进入到磁屏蔽室(1)内壁面上形成内部走线，所述消磁电缆形成内部走线后穿出磁屏蔽室(1)并位于磁屏蔽室(1)外壁面上形成外部走线，所述内部走线沿着磁屏蔽室(1)的棱边布置，所述外部走线沿着磁屏蔽室(1)的棱边布置且与内部走线对应，所述内部走线包括两两之间相互垂直的初始走线(2)、第一过渡走线(3)、第二过渡走线(4)以及第三过渡走线(5)，所述外部走线包括两两之间相互垂直的第四过渡走线(6)、第五过渡走线(7)、第六过渡走线(8)以及终止走线(9)，所述第一过渡走线(3)的一端与初始走线(2)的一端连接，所述第一过渡走线(3)的另一端与第二过渡走线(4)的一端连接，所述第三过渡走线(5)的一端与第二走线的另一端连接，所述第三过渡走线(5)的另一端穿过磁屏蔽室(1)与第四过渡走线(6)的一端连接，所述第五走线的一端与第四过渡走线(6)的另一端连接，所述第五走线的另一端与第六走线的一端连接，所述第六走线的另一端与终止走线(9)的一端连接，所述四组消磁线圈的初始走线(2)分别沿着磁屏蔽室(1)内部的同一个壁面的四条棱边布置。2.根据权利要求1所述的一种磁屏蔽室消磁线圈系统，其特征在于：所述的初始走线(2)、第一过渡走线(3)、第二过渡走线(4)、第三过渡走线(5)、第四过渡走线(6)、第五过渡走线(7)、第六过渡走线(8)以及终止走线(9)为一体成型结构。3.根据权利要求2所述的一种磁屏蔽室消磁线圈系统，其特征在于：所述的每组消磁线圈均包括第一走线孔(10)和第二走线孔(11)，所述第一走线孔(10)和第二走线孔(11)分别位于磁屏蔽室(1)的两个棱角附近，所述第一走线孔(10)供消磁电缆穿过磁屏蔽室(1)并进入到磁屏蔽室(1)的内壁面上形成所述的内部走线，所述第二走线孔(11)供形成内部走线的消磁电缆穿过磁屏蔽室(1)并位于磁屏蔽室(1)的外壁面上形成所述的外部走线。4.用于制作上述权利要求1至权利要求3中任意一项所述的一种磁屏蔽室消磁线圈系统的制备方法，该方法包括下列步骤：(1)、取一根消磁电缆作为第一根消磁电缆，采用第一根消磁电缆来制作第一组消磁线圈(12)，所述的第一根消磁电缆从磁屏蔽室(1)的第一个棱角附近处的第一走线孔(10)穿过磁屏蔽室(1)进入到磁屏蔽室(1)的内壁面上，并沿着磁屏蔽室(1)相互垂直的棱边形成第所述的第一根消磁电缆的初始走线(2)、第一过渡走线(3)、第二过渡走线(4)以及第三过渡走线(5)，形成第三过渡走线(5)后，所述的第一根消磁电缆穿过对应的第二走线孔(11)显露于磁屏蔽室(1)的外壁面上，并沿着磁屏蔽室(1)相互垂直的棱边形成所述的第一根消磁电缆的第四过渡走线(6)、第五过渡走线(7)、第六过渡走线(8)以及终止走线(9)，所述的第一根消磁电缆的第三过渡走线(5)与第四过渡走线(6)对应、第五过渡走线(7)与第二过渡走线(4)对应、第六过渡走线(8)与第一过渡走线(3)对应以及初始走线(2)与终止走线(9)对应；(2)、再取...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘习凯，张露，窦帅，匡奇，文通，郑世强，
申请(专利权)人：北京航空航天大学宁波创新研究院，
类型：发明
国别省市：