一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法技术

本发明专利技术涉及一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法。首先，将双平面的电流密度划分为多个阵列子区域，根据毕奥萨法尔定律确定了空气内平面电流密度子区域在目标区域产生的总磁场表达式；然后，引入镜像法，推导了考虑双平面阵列线圈与磁屏蔽房高磁导率材料耦合后产生的总磁场表达式；其次，设定目标区域的场点、磁场值和罚函数等，求解出线圈的未知电流密度系数；最后，采用流函数法给出双平面阵列线圈的绕组。本发明专利技术可满足依据磁屏蔽房内实际磁场分布反推线圈绕组产生所需磁场的需求，实现工作区域内剩磁的精准补偿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁屏蔽，尤其是涉及一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法。

技术介绍

1、脑功能成像技术可实现对大脑时空特性的动态监测，为重大脑部疾病诊断的人民生命科学及神经科学脑科学领域研究提供了重要工具。其中，脑磁图兼具高时间分辨率和空间分辨率，是当前脑功能成像领域最尖端的功能成像技术之一。但脑磁图成像是一项极其复杂的技术，脑磁场在头皮外的强度介于10-100ft量级，约为地磁场的亿分之一。为了提高脑磁图的成像质量，必须为其提供高稳定低噪声的近零磁环境。为了构建所需磁场环境，传统的方法是通过磁屏蔽房屏蔽外界环境磁场干扰。但是，现有的磁屏蔽房受漏磁和外界干扰源影响，导致有效工作区域内的剩磁分布不均匀，仅采用传统的匀场和梯度线圈无法对剩磁进行精准补偿；且被动磁屏蔽的铁磁边界也会扭曲线圈磁场的空间分布，改变线圈磁场系数，致使剩磁补偿精度降低，因此如何依据磁屏蔽房内实际磁场分布设计高精准磁补偿线圈是一项亟需解决的难题。

技术实现思路

1、本专利技术所解决的技术问题：克服现有技术的不足，提供一种用于磁屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：所述的磁屏蔽房由高磁导率材料和高电导率材料制成，所述双平面阵列线圈分别安装于所述磁屏蔽房内壁的任意两个平面上，所述双平面阵列线圈在目标区域内产生所需磁场；该方法包括下列步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：在步骤S1中，所述的根据毕奥萨法尔定律得到空气内所有的所述阵列子区域在目标区域产生的总磁场的具体过程包括下列步骤：

3.根据权利要求2所述的一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：在步骤S2中，所述的双平面阵列线圈...

【技术特征摘要】

1.一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：所述的磁屏蔽房由高磁导率材料和高电导率材料制成，所述双平面阵列线圈分别安装于所述磁屏蔽房内壁的任意两个平面上，所述双平面阵列线圈在目标区域内产生所需磁场；该方法包括下列步骤：

2.根据权利要求1所述的一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：在步骤s1中，所述的根据毕奥萨法尔定律得到空气内所有的所述阵列子区域在目标区域产生的总磁场的具体过程包括下列步骤：

3.根据权利要求2所述的一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法，其特征在于：在步骤s2中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵风文，刘习凯，王亚翔，赵修琪，
申请(专利权)人：北京航空航天大学宁波创新研究院，
类型：发明
国别省市：