版图构建方法技术

技术编号:34329209 阅读:20 留言:0更新日期:2022-07-31 01:44
本发明专利技术公开了一种版图构建方法,其用于模拟路标准单元库单元的使用环境,包括:确定衬底电位,标准单元库单元通过衬底连接单元,将衬底与设定的电位电源相连接;模拟有源区环境,在标准单元库单元上下左右均增加无电特性的有源区;模拟注入层环境,所示注入层宽度大于标准单元库单元自身的注入层;模拟栅极环境,在标准单元库单元有效栅极的上下左右方向布置无效栅极,模拟单元库上下左右拼接后的环境;模拟第一层金属环境,在标准单元库单元左右两边布置垂直悬空的第一层金属线模拟金属线环境;模拟第二层金属环境,在标准单元库单元左右两边放置垂直悬空的第二层金属线模拟金属线环境。本发明专利技术能提高标准单元库单元在特征化过程中的准确率。征化过程中的准确率。征化过程中的准确率。

【技术实现步骤摘要】
版图构建方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域,特别是涉及一种版图构建方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造领域中,每一种工艺都需要有一套对应的标准单元库,在进行流片之前需要采用标准单元库中的标准单元进行自动逻辑综合和版图布局布线。基于标准单元库的设计方法的优点是在某个特定类型的工艺节点下,标准单元库只需要进行一次设计并成功验证后,在往后的设计中便可以继续地重复使用,极大地提高了设计效率,分摊了设计成本。
[0003]参考图1所示,现有的特征化过程中标准单元库单元通过衬底连接单元,将衬底连出,与设定的电位电源相连接。然后通过抽取版图的寄生参数及二阶效应与电路网表结合后得到后仿真网表,再通过对后仿真网表进行仿真得到标准单元库单元的时序信息、功耗信息等一系列数据。该特征化过程中未考虑标准单元在实际工作中环境产生的二阶效应及寄生电阻电容对其的影响,最终使时序信息、功耗信息产生偏差,导致综合结果不准确,甚至功能失效。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图构建方法,其用于模拟路标准单元库单元的使用环境,其特征在于,包括以下步骤:S1)确定衬底电位,标准单元库单元通过衬底连接单元,将衬底与设定的电位电源相连接;S2)模拟有源区环境,在标准单元库单元上下左右均增加无电特性的有源区;S3)模拟注入层环境,所示注入层宽度大于标准单元库单元自身的注入层;S4)模拟栅极环境,在标准单元库单元有效栅极的上下左右方向布置无效栅极,模拟单元库上下左右拼接后的环境;S5)模拟第一层金属环境,在标准单元库单元左右两边布置垂直悬空的第一层金属线模拟金属线环境;S6)模拟第二层金属环境,在标准单元库单元左右两边放置垂直悬空的第二层金属线模拟金属线环境。2.如权利要求1所述的版图构建方法,其特征在于:所述衬底连接单元位于标准单元库单元的两边,并使其P井与N井连接。3.如权利要求1所述的版图构建方法,其特征在于:实施步骤S2)时,位于标准单元库单元左右两边无电特性的有源区距离标准单元库单元有源区的距离为流片厂家提供的最小设计规则。4.如权利要求1所述的版图构建方法,其特征在于:实施步骤S2)时,位于标准单元库单元上下两边的无电特性有源区距离标准单元库单元有源区的距离为标准单元库单元实际拼接后有源区之间的距离。5.权利要求1所述的版图构建方法,其特征在于:实施步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员:高唯欢
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司
类型:发明
国别省市:

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