阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底层、绝缘层、多个第一电极以及多个第二电极，多个第一电极位于多个凹槽内，多个第二电极位于多个凹槽外的绝缘层远离衬底层的一侧表面，多个第二电极与多个第一电极绝缘设置；本发明专利技术通过在多个凹槽内形成多个第一电极，在多个凹槽外的绝缘层远离衬底层的一侧表面形成多个第二电极，位于凹槽内的第一电极与相邻的位于凹槽外的第二电极在垂直于阵列基板所在平面的方向上具有一定的间距，从而在垂直于阵列基板所在平面的方向上实现第一电极与第二电极分离，从而可以减小甚至取消第一电极在衬底层上的正投影与相邻的第二电极在衬底层上的正投影之间的线距，从而可以大大提高透过率。以大大提高透过率。以大大提高透过率。

Array substrate, its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]面内转换(In
‑
Plane Switching，IPS)型阵列基板利用与基板面大致平行的电场来驱动液晶分子沿基板面内转动，由于IPS型阵列基板将像素电极和公共电极设计为一次成膜的结构，为保证不同电极之间相互绝缘，电极与电极之间需要设置线距，但这个线距对透过率没有帮助，浪费了开口空间，导致透过率下降。
[0003]故，有必要改善这一缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种阵列基板，用于解决现有技术的阵列基板的透过率低的技术问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底层、绝缘层、多个第一电极以及多个第二电极；所述绝缘层位于所述衬底层上，所述绝缘层远离所述衬底层的一侧设置有多个凹槽；多个所述第一电极位于多个所述凹槽内；多个所述第二电极位于多个所述凹槽外的所述绝缘层远离所述衬底层的一侧表面，多个所述第二电极与多个所述第一电极绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底层；绝缘层，位于所述衬底层上，所述绝缘层远离所述衬底层的一侧设置有多个凹槽；多个第一电极，位于多个所述凹槽内；多个第二电极，位于多个所述凹槽外的所述绝缘层远离所述衬底层的一侧表面，多个所述第二电极与多个所述第一电极绝缘设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一电极和多个所述第二电极由同一道金属沉积工艺形成。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极包括一个第一主干电极和多个平行设置的第一分支电极，多个所述第一分支电极与所述第一主干电极电连接；所述第二电极包括一个第二主干电极和多个平行设置的第二分支电极，多个所述第二分支电极与所述第二主干电极电连接；其中，所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与相邻的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于或等于0且小于或等于0.5微米。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于中间区域的所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第二主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于位于边缘区域的所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第二主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距；和/或位于中间区域的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第一主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于位于边缘区域的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第一主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：于靖，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：