版图的局部图形密度分析方法技术

本发明专利技术提供了一种版图的局部图形密度分析方法，包括：将版图中的若干个栅极根据沟道尺寸的不同分为m类；将每一类栅极划分为n个检查组，设置每个检查组的步进数和不平衡系数；根据步进数、不平衡系数和沟道尺寸设置每个检查组对应的测试区域的检查窗口的尺寸；根据步进数设置每个检查组对应的测试区域的图形密度的管控规格；对每个检查组对应的测试区域按照检查窗口的尺寸分为多个块，计算每个块的图形密度，根据管控规格判断每个块的图形密度是否合格。根据不同类栅极不同检查组得到不同的检查窗口和管控规格的方式，灵活地计算版图上不同地方的栅极的图形密度，从而得到更准确的局部图形密度。局部图形密度。局部图形密度。

Analysis method of local graphic density of layout

【技术实现步骤摘要】
版图的局部图形密度分析方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种版图的局部图形密度分析方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，版图图形密度分析已成为很多关键层次掩模版数据分析的重要步骤。图形密度分布均匀与否对蚀刻工艺及化学机械研磨工艺的影响很大，在图形密度分布不均的情况下，不仅容易加重蚀刻中的负载效应，导致部分图形的最终尺寸与目标尺寸偏离，更容易使图形在化学机械研磨工艺中发生过磨。
[0003]版图上包括栅极，以及栅极周围的图形，栅极和周围的图形可能对应，随着集成电路技术的不断发展，工艺节点的不断缩小，关键性尺寸越来越小，版图上栅极周围的图形的关键尺寸也越来越敏感和重要。因此，准确地计算版图中栅极周围的图形的局部图形密度，因此，将栅极的周围的图形作为测试区域，找到其中高风险工艺块，有利于及时了解产品高风险工艺热点具体位置及图形特性，及早地制定出相应的应对措施，顺利达成产品的流片及量产。
[0004]现有技术的图形密度分析是以固定的检查窗口尺寸和相同的管控规格，对同一层次掩膜版的版图数据进行计算。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种版图的局部图形密度分析方法，用于分析版图中若干个栅极周围的图形的图形密度，所述栅极均具有测试区域，其特征在于，包括：将版图中的若干个栅极根据沟道尺寸的不同分为m类，其中，m为正整数；将每一类所述栅极划分为n个检查组，并且设置每个所述检查组的步进数和不平衡系数，其中，n为正整数；根据所述步进数、不平衡系数和沟道尺寸设置每个所述检查组对应的测试区域的检查窗口的尺寸；根据所述步进数设置每个所述检查组对应的测试区域的图形密度的管控规格；以及对每个所述检查组对应的测试区域按照所述检查窗口的尺寸分为多个块，并计算每个所述块的图形密度，并根据所述管控规格判断每个所述块的图形密度是否合格。2.如权利要求1所述的局部图形密度分析方法，其特征在于，所述版图共包含m*n个检查组。3.如权利要求1所述的局部图形密度分析方法，其特征在于，根据沟道尺寸的不同将栅极分为m类的方法包括：将沟道长度相同的所述栅极作为同一类。4.如权利要求1所述的局部图形密度分析方法，其特征在于，对每一类所述栅极划分为n个检查组的方法包括：n
m
＝[K0/L
m
]；其中，n
m
为第m类栅极的检查组的个数，取K0/L
m
的整数；L
m
为第m类栅极的沟道尺寸；K0是设置的常数系数，取值为0～1之间。5.如权利要求4所述的局部图形密度分析方法，其特征在于，设置每个所述检查组的步进数的方法包括：t
m
＝1/n
m
；其中，t
m
是第m类栅极的步进数，n
m
为第m类栅极的检查组的个数。6.如权利要求5所述的局部图形密度分析方法，其特征在于，设置每个所述检查组的不平衡系数的方法包括：C
mi
＝K2+(1
‑
K2)/(n
m
‑
1)*(i
‑
1)；其中，C
mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：程玮，朱忠华，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：