掩模版清洗设备和掩模版清洗方法技术

本申请提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法；该掩模版清洗设备通过设置温控单元，且在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度，则可以通过温控单元对有机物进行分解，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。提高掩模版清洁的效率。提高掩模版清洁的效率。

【技术实现步骤摘要】
掩模版清洗设备和掩模版清洗方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其是涉及一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件由于自发光、广视角、对比度高、响应速度快、轻薄、可实现柔性等优点被广泛应用。现有OLED显示器件会采用蒸镀的方式形成有机层，为了保证产品品质，在采用掩模版蒸镀有机层厚，需要将掩模版下机后进行清洗。具体的，现有掩模版的清洗过程会采用NMP(N
‑
甲基吡咯烷酮溶液)对掩模版进行清洗，通过NMP与掩模版上的有机物反应清洁有机物，然后通过水置换NMP、使用氢氧化钾电解去除异物、采用水置换电解液、采用异丙醇置换水，得到清洁后的掩模版。但由于NMP溶液有毒且易燃易爆、需要设置独立空间和安全措施，导致设备体积较大，占地面积较大，成本较大，掩模版的清洁过程需要将掩模版转移至独立空间并配备安全措施后清洁，导致效率较低。
[0003]所以，现有掩模版的清洁过程存在NMP溶液危险性较高导致清洁过程效率较低的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法，用以缓解现有掩模版的清洁过程存在NMP溶液危险性较高导致清洁过程效率较低的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种掩模版清洗设备，该掩模版清洗设备包括：
[0006]第一气氛控制单元，用于切换掩模版的气氛；所述掩模版上粘附有有机物；
[0007]温控单元，所述温控单元与所述第一气氛控制单元连接；
[0008]清洁单元，与所述温控单元连接，用于清洁所述掩模版上的残留物；
[0009]干燥单元，与所述清洁单元连接，用于干燥所述掩模版；
[0010]其中，在所述掩模版设置于所述温控单元内时，所述温控单元的温度大于所述有机物的分解温度。
[0011]在一些实施例中，所述第一气氛控制单元包括第一抽气单元和第一预抽真空室，所述第一抽气单元设置于所述第一预抽真空室上，用于在所述掩模版设置在所述第一预抽真空室时，对所述第一预抽真空室抽气。
[0012]在一些实施例中，所述第一气氛控制单元还包括第一通气单元，所述第一通气单元包括气室和输气单元，所述气室内设有氧气，所述输气单元与所述气室连接，用于在第一预抽真空室抽真空后，将所述气室内的氧气输入至第一预抽真空室。
[0013]在一些实施例中，所述温控单元包括温控室、温控组件和气体组件，所述温控组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室的温度，所述气体组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室内的气氛。
[0014]在一些实施例中，所述气体组件包括第二抽气单元和第二通气单元，所述第二抽
气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为真空时，对所述温控室抽真空，所述第二通气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为氧气时，向所述温控室内通入氧气。
[0015]在一些实施例中，所述掩模版清洗设备还包括第二气氛控制单元，所述第二气氛控制单元一端与所述温控单元连接，所述第二气氛控制单元另一端与所述清洁单元连接，所述第二气氛控制单元用于控制从所述温控单元输出的掩模版的气氛。
[0016]在一些实施例中，所述第二气氛控制单元包括第三抽气单元、第二预抽真空室和第三通气单元，所述第三抽气单元设置于所述第二预抽真空室上，所述第三通气单元与所述第二预抽真空室连接，所述第三抽气单元用于在所述掩模版设置在所述第二预抽真空室时，对所述第二预抽真空室抽气，所述第三通气单元用于在所述第二预抽真空室抽气后，向所述第二预抽真空室输入空气。
[0017]在一些实施例中，所述清洁单元包括清洁腔和储液室，所述储液室与所述清洁腔连接，所述储液室用于在所述掩模版设置在所述清洁腔时，输出液体清洁所述掩模版。
[0018]在一些实施例中，所述干燥单元包括干燥腔和第四通气单元，所述第四通气单元与所述干燥腔连接，所述第四通气单元用于在所述掩模版设置在所述干燥腔时，向所述干燥腔通入空气。
[0019]同时，本申请实施例提供一种掩模版清洗方法，该掩模版清洗方法使用上述实施例任一所述的掩模版清洗设备，所述掩模版清洗方法包括：
[0020]将掩模版传送至第一气氛控制单元，并切换第一气氛控制单元内的气氛；
[0021]在第一气氛控制单元内的气氛切换后，将掩模版从第一气氛控制单元传送至温控单元，并控制温控单元内的温度大于有机物的分解温度；
[0022]在有机物分解完成后，将掩模版从温控单元传送至清洁单元，并使用清洁单元对掩模版上的残留物进行清洁；
[0023]在对残留物清洁完成后，将所述掩模版从所述清洁单元传送至干燥单元，并使用干燥单元对掩模版进行干燥。
[0024]有益效果：本申请提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法；该掩模版清洗设备包括第一气氛控制单元、温控单元、清洁单元和干燥单元；第一气氛控制单元用于切换掩模版的气氛，掩模版上粘附有有机物，温控单元与第一气氛控制单元连接，清洁单元与温控单元连接，用于清洁掩模版上的残留物，干燥单元与清洁单元连接，用于干燥掩模版，其中，在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度。本申请通过设置温控单元，且在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度，则可以通过温控单元对有机物进行分解，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。
附图说明
[0025]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0026]图1为本申请实施例提供的掩模版清洗设备的示意图。
[0027]图2为本申请实施例提供的掩模版清洗方法的流程图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0029]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版清洗设备，其特征在于，包括：第一气氛控制单元，用于切换掩模版的气氛；所述掩模版上粘附有有机物；温控单元，所述温控单元与所述第一气氛控制单元连接；清洁单元，与所述温控单元连接，用于清洁所述掩模版上的残留物；干燥单元，与所述清洁单元连接，用于干燥所述掩模版；其中，在所述掩模版设置于所述温控单元内时，所述温控单元的温度大于所述有机物的分解温度。2.如权利要求1所述的掩模版清洗设备，其特征在于，所述第一气氛控制单元包括第一抽气单元和第一预抽真空室，所述第一抽气单元设置于所述第一预抽真空室上，用于在所述掩模版设置在所述第一预抽真空室时，对所述第一预抽真空室抽气。3.如权利要求2所述的掩模版清洗设备，其特征在于，所述第一气氛控制单元还包括第一通气单元，所述第一通气单元包括气室和输气单元，所述气室内设有氧气，所述输气单元与所述气室连接，用于在第一预抽真空室抽真空后，将所述气室内的氧气输入至第一预抽真空室。4.如权利要求1所述的掩模版清洗设备，其特征在于，所述温控单元包括温控室、温控组件和气体组件，所述温控组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室的温度，所述气体组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室内的气氛。5.如权利要求4所述的掩模版清洗设备，其特征在于，所述气体组件包括第二抽气单元和第二通气单元，所述第二抽气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为真空时，对所述温控室抽真空，所述第二通气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为氧气时，向所述温控室内通入氧气。6.如权利要求1所述的掩模版清洗设备，其特征在于，所述掩模版清洗设备还包括第二气氛控制单元，所述第二气氛控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕龙，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：