【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池的制造方法
[0001]本专利技术涉及背面电极型(背接触型)的太阳能电池的制造方法。
技术介绍
[0002]在专利文献1中公开有背面电极型太阳能电池。这种背面电极型太阳能电池具备：作为光电转换层发挥功能的半导体基板；在半导体基板的背面侧的一部分按顺序层叠的第一本征半导体层、第一导电型半导体层以及第一电极层；在半导体基板的背面侧的另一部分按顺序层叠的第二本征半导体层、第二导电型半导体层以及第二电极层。另外，该太阳能电池具备在半导体基板的受光面侧按顺序层叠的第三本征半导体层以及光学调整层。
[0003]一般，在第一导电型半导体层的刻画图案(第一次刻画图案)以及第二导电型半导体层的刻画图案(第二次刻画图案)中，采用使用了光刻技术的蚀刻法。但是，在使用了光刻技术的蚀刻法中，例如需要通过旋涂法进行的光致抗蚀剂涂覆、光致抗蚀剂干燥、光致抗蚀剂曝光、光致抗蚀剂显影、使用光致抗蚀剂作为掩模的半导体层的蚀刻、以及光致抗蚀剂剥离的工艺，工艺复杂。
[0004]关于这一点，在专利文献1中记载有如下技术，即、在第二次刻画图...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池的制造方法，是背接触型太阳能电池的制造方法，所述背接触型太阳能电池具备：半导体基板；第一本征半导体层以及第一导电型半导体层，在第一区域按顺序层叠，所述第一区域是所述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分；第二本征半导体层以及第二导电型半导体层，在第二区域按顺序层叠，所述第二区域是所述半导体基板的所述另一个主面侧的另一部分；以及第三本征半导体层，在所述半导体基板的所述一个主面侧层叠，所述太阳能电池的制造方法的特征在于，依次包括：第一半导体层材料膜形成工序，在所述半导体基板的所述另一个主面侧形成所述第一本征半导体层的材料膜以及所述第一导电型半导体层的材料膜；抗蚀剂形成工序，在所述半导体基板的所述另一个主面侧的所述第一区域中的所述第一导电型半导体层的材料膜之上形成图案印刷抗蚀剂，在所述半导体基板的所述一个主面侧不形成图案印刷抗蚀剂；第一半导体层形成工序，使用所述图案印刷抗蚀剂，去除所述半导体基板的所述另一个主面侧的所述第二区域中的所述第一导电型半导体层的材料膜以及所述第一本征半导体层的材料膜，从而在所述半导体基板的所述另一个主面侧的所述第一区域形成已图案化的所述第一本征半导体层以及所述第一导电型半导体层；抗蚀剂去除工序，去除所述图案印刷抗蚀剂；以及第三半导体层形成工序，在所述半导体基板的所述一个主面侧形成所述第三本征半导体层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述抗蚀剂形成工序之前，还包括在所述半导体基板的所述一个主面侧形成临时的半导体层的临时半导体层形成工序，所述临时的半导体层在所述第一半导体层形成工序中被去除。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述抗蚀剂去除工序中，使用碱溶液将所述图案印刷抗蚀剂剥离。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第一半导体层材料膜形成工序之后还包括剥离层形成工序，在所述抗蚀剂去除工序之后还包括第二半导体层材料膜形成工序和第二半导体层形成工序，在所述剥离层形成工序中，在所述第一导...
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