功率放大电路、高频电路、以及通信装置制造方法及图纸

技术编号:34318688 阅读:24 留言:0更新日期:2022-07-30 23:42
实现功率附加效率的提高。第二晶体管(Q2)的第二基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接。第三晶体管(Q3)的第三基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接,第三集电极与第二晶体管(Q2)的第二集电极连接。第二偏置电路(5)包含与第二晶体管(Q2)的第二基极连接的第五晶体管(50)。第三偏置电路(6)包含与第三晶体管(Q3)的第三基极连接的第六晶体管(60)。第一电流限制电路(7)具有第七晶体管(70)、第一集电极电阻(Rc1)、以及第一基极电阻(Rb1)。第二电流限制电路(8)具有第八晶体管(80)、第二集电极电阻(Rc2)、以及第二基极电阻(Rb2)。以及第二基极电阻(Rb2)。以及第二基极电阻(Rb2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率放大电路、高频电路、以及通信装置


[0001]本专利技术一般而言涉及功率放大电路、高频电路、以及通信装置,更详细而言,涉及对高频信号进行功率放大的功率放大电路、具备该功率放大电路的高频电路、以及具备该高频电路的通信装置。

技术介绍

[0002]以往,已知有具备第一放大晶体管、第二放大晶体管、第一可变电压电源、第二可变电压电源、第一偏置电路、第二偏置电路、以及电流限制电路的功率放大电路(例如,参照专利文献1)。
[0003]第一放大晶体管是具有基极端子、集电极端子以及发射极端子,对从基极端子输入的高频信号进行功率放大,并从集电极端子输出该进行了功率放大的高频信号的前级(驱动级)的放大晶体管。第二放大晶体管是具有基极端子、集电极端子以及发射极端子,对从基极端子输入的高频信号进行功率放大,并从集电极端子输出该进行了功率放大的高频信号的后级(功率级)的放大晶体管。第一可变电压电源向第一放大晶体管的集电极端子供给第一可变电压。第二可变电压电源向第二放大晶体管的集电极端子供给第二可变电压。第一偏置电路向第一放大晶体管的基极端子输出直流偏置电流。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种功率放大电路,是对高频信号进行功率放大的功率放大电路,其中,具备:第一晶体管,具有第一基极、第一集电极以及第一发射极;第二晶体管,具有第二基极、第二集电极以及第二发射极,上述第二基极与上述第一集电极连接;第三晶体管,具有第三基极、第三集电极以及第三发射极,上述第三基极与上述第一集电极连接,上述第三集电极与上述第二集电极连接;第一偏置电路,包含与上述第一基极连接的第四晶体管;第二偏置电路,包含与上述第二基极连接的第五晶体管;第三偏置电路,包含与上述第三基极连接的第六晶体管;第一电流限制电路;以及第二电流限制电路,上述第四晶体管具有第四基极、第四集电极以及第四发射极,上述第五晶体管具有第五基极、第五集电极以及第五发射极,上述第六晶体管具有第六基极、第六集电极以及第六发射极,上述第一电流限制电路包含:第七晶体管,具有第七基极、第七集电极以及第七发射极,上述第七发射极与上述第五发射极连接;第一集电极电阻,具有一端以及另一端,上述一端与上述第七集电极连接,上述另一端与上述第一集电极连接;以及第一基极电阻,具有一端以及另一端,上述一端与上述第七基极连接,上述另一端与上述第五基极连接,上述第二电流限制电路包含:第八晶体管,具有第八基极、第八集电极以及第八发射极,上述第八发射极与上述第六发射极连接;第二集电极电阻,具有一端以及另一端,上述一端与上述第八集电极连接,上述另一端与上述第一集电极连接;以及第二基极电阻,具有一端以及另一端,上述一端与上述第八基极连接,上述另一端与上述第六基极连接,上述功率放大电路满足第一条件和第二条件中至少一方,上述第一条件是上述第一基极电阻的电阻值与上述第二基极电阻的电阻值不同这样的条件,上述第二条件是上述第一集电极电阻的电阻值与上述第二集电极电阻的电阻值不同这样的条件。2.根据权利要求1所述的功率放大电路,其中,在上述第一偏置电路中,上述第四发射极与上述第一基极连接,在上述第二偏置电路中,上述第五发射极与上述第二基极连接,在上述第三偏置电路中,上述第六发射极与上述第三基极连接。3.根据权利要求1或者2所述的功率放大电路,其中,上述功率放大电路满足上述第一条件与上述第二条件双方。...

【专利技术属性】
技术研发人员:田原健二嶋本健一田中佑介
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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