【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热负荷装置
[0001]本专利技术涉及一种用于对外壳或冷却体施加热负荷的装置。
技术介绍
[0002]电子壳体,例如Phoenix Contact的电子壳体,通常用损耗功率的特性值P损耗[W],也就是用以瓦特为单位的值来表示,这个特性值给定作为外壳的示例的壳体能够承受的热负荷。这表示电子损耗功率所产生的热量可能会耗散。
[0003]例如可以分别根据安装情况和环境温度来给定不同形状、尺寸和材料的电子壳体的允许耗散功率。例如,宽度为35mm的安装导轨壳体在串接的安装情况下可以承受7.9W的损耗功率作为允许耗散功率,而同一壳体在横向距离或自由空间为至少20mm的情况下可以承受16.3W的损耗功率。
[0004]测定允许损耗功率的传统方式是,将热源(例如电阻器)作为原本用于壳体的电子设备的替代在待检查的壳体中运行。但壳体温度的测量作为损耗功率与环境温度的函数与大量不确定的测量参数相关。这些不确定的测量参数包括热源的尺寸、几何形状、位置和电气器件特性。因此,此测量系统是不明确的。特别是不同测量设备或不同壳体上的测量结果 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于对外壳(200)和/或冷却体(300)施加热负荷的装置(100),所述装置包括:至少一个布置或可布置在所述外壳(200)中或所述冷却体(300)上的线路板(102),所述线路板分别包括至少一个导电通路(104),且所述线路板分别包括至少两个场(106),所述至少一个导电通路(104)各有一个连续导电的导电通路区段(108)在所述场内延伸,其中所述导电通路区段(108)在所述至少两个场(106)中的每个的内部的程长均大于所述相应场(106)的一个或每个边长,或者大于所述相应场(106)的一个或每个对角线,或者大于所述相应场(106)的周长,且其中所述导电通路区段(108)适于,根据对所述相应导电通路(104)的电流馈电来对所述外壳(200)和/或所述冷却体(300)施加热负荷。2.根据权利要求1所述的装置(100),其中每个导电通路区段(108)均为欧姆导体。3.根据权利要求1或2所述的装置(100),其中所述至少一个线路板(102)的所述至少两个场(106)中的每个的导电通路区段(108)均与同一线路板(102)的至少一个邻接所述相应场的场的导电通路区段(108)在所述线路板(102)内部导电连接(110)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置(100),其中属于所述至少一个导电通路(104)的同一导电通路(104)的导电通路区段(108)和/或在所述线路板(102)内部导电相连的导电通路区段(108)相互串联以及/或者形成所述相应的导电通路(104)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置(100),其中所述至少一个线路板(102)包括多个导电通路(104)。6.根据权利要求5所述的装置(100),其中所述场(106)以排(112)和列(114)布置在所述相应的线路板(102)上,且每排或每列均包括所述导电通路(104)中的一个。7.根据权利要求5或6所述的装置(100),还包括:在同一线路板(102),优选相邻导电通路(104)的同一线路板(102)上的不同导电通路(104)的末端(118)之间的至少一个导电连接(116),优选接线或桥接。8.根据权利要求7所述的装置(100),其中同一线路板(102)的不同导电通路(104)通过所述导电连接(116)优选在一个电路网络(130)中串联和/或并联。9.根据权利要求8所述的装置(100),其中所述电路网络(130)确定所述各导电通路区段(108)的不相等的电流馈电(132,134),优选确定通过所述相应导电通路区段(108)的不同电流强度的比例,和/或不同导电通路区段(108)的不均匀的损耗功率或功率密度。10.根据权利要求7至9中任一项所述的装置(100),其中所述至少一个导电连接将所述导电通路区段(108)或所述导电通路(104)的在所述线路板(102)内部不相连的两个末端连接在一起。11.根据权利要求1至10中任一项所述的装置(100),其中所述场(106):在周围被限定;以及/或者为多边形,优选规则的多边形、六边形、矩形、正方形或三角形;以及/或者为所述线路板(102)上的周期晶格的单位晶胞;以及/或者具有相互平行的边沿。12.根据权利要求1至11中任一项所述的装置(100),其中所述场(106)为所述线路板(102)的第一侧的瓷砖式铺嵌块,所述铺嵌优选为柏拉图式铺嵌或半规则铺嵌或阿基米德式铺嵌。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的装置(100),其中不同场(106)的平行边沿的边长是可约分的。14.根据权利要求1至13中任一项所述的装置(100),其中所述场(106)为矩形区域,不同场(106)的...
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