【技术实现步骤摘要】
一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产系统
[0001]本技术涉及多晶硅生产
，尤其涉及一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产系统。
技术介绍
[0002]高纯多晶硅和硅衍生物是光纤和半导体制造中的关键原材料，全球95％以上的半导体芯片和器件是用硅作为基底功能材料生产出来的。区熔级多晶硅是整个半导体产业链的关键基础材料。光伏级多晶硅已经进入拼资源和成本的寡头竞争，但是高纯区熔级多晶硅制备仍是重点攻关方向。
[0003]高纯多晶硅的制备主要受原料三氯氢硅和氢气品质、还原炉结构和工艺以及控制系统、系统的洁净程度等多个方面的影响。
[0004]高纯多晶硅制备多通过对还原炉结构或工艺进行优化的方式实现质量提升。但现有技术中往往未充分考虑在不同规格炉型的适应性，应用受限，同时，也未考虑还原炉内热场的优化措施，不利于设备内部热场分离和能力的回收利用。
[0005]三氯氢硅：
[0006]纯化主要通过精馏、吸附、络合等方式，精馏多采用串联多次提纯方法对原料进行纯化，三氯氢硅精馏提纯优点是能够实现工业化生产，为降低提纯...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超高纯多晶硅及硅衍生物生产系统，其特征在于，包括混合器、还原炉、尾气回收装置、氢气纯化装置、间壁精馏塔、氢化流化床、吸附反应器、歧化反应器、三氯氢硅提纯装置、四氯化硅分离塔、四氯化硅精馏装置、正硅酸乙酯反应装置、六氯乙硅烷提纯装置、二氯二氢硅分离塔和二氯二氢硅提纯装置；所述混合器的出口连接还原炉的入口，还原炉的出口连接尾气回收装置，尾气回收装置分别连接间壁精馏塔的入口和氢气纯化装置的入口，间壁精馏塔的塔顶连接混合器的入口，间壁精馏塔的塔中依次连接吸附反应器和三氯氢硅提纯装置，间壁精馏塔的塔釜连接四氯化硅分离塔；氢气纯化装置分别连接混合器的入口和氢化流化床的入口，氢化流化床的出口连接间壁精馏塔的入口；四氯化硅分离塔的塔顶连接氢化流化床的入口和四氯化硅精馏装置的入口，四氯化硅分离塔的塔釜连接六氯乙硅烷提纯装置；四氯化硅精馏装置的出口连接正硅酸乙酯反应装置；三氯氢硅提纯装置的出口依次连接歧化反应器和二氯二氢硅分离塔，二氯二氢硅分离塔的塔顶连接二氯二氢硅提纯装置，二氯二氢硅分离塔的塔釜连接二氯二氢硅回收塔的入口，二氯二氢硅回收塔的塔顶连接歧化反应器的入口，二氯二氢硅回收塔的塔釜连接四氯化硅精馏装置的入口。2.根据权利要求1所述的超高纯多晶硅及硅衍生物生产系统，其特征在于，所述氢气纯化装置包括依次连接的活性炭吸附器、一级纯化器和二级纯化器，尾气回收装置的出口连接活性炭吸附器的入口，活性炭吸附器的出口分别连接一级纯化器和氢化流化床，二级纯化器的出口连接混合器的入口。3.根据权利要求2所述的超高纯多晶硅及硅衍生物生产系统，其特征在于，所述尾气回收装置包括依次连接的鼓泡淋洗塔、尾气压缩机、第一梯级深冷换热系统和深冷回收装置，其中，还原炉的出口连接鼓泡淋洗塔的入口，鼓泡淋洗塔的出口同时连接间壁精馏塔的入口，第一梯级深冷换热系统的出口同时连接活性炭吸附器的入口，深冷回收装置的出口连接间壁精馏塔的入口。4....
【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，刘见华，严大洲，赵宇，陈辉，郭树虎，赵雄，常欣，张园园，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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