一种负温电流产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种负温电流产生电路，包括基准电流支路、负温电流产生支路和负温电流输出支路，负温电流产生支路中设置有第一NMOS管和电压转电流模块，基准电流支路中设置有第二NMOS管和用于产生负温电压的负温电压产生模块，第一NMOS管和第二NMOS管连接并将所述负温电压转移到电压转电流模块上，电压转电流模块将所述负温电压转换为负温电流输出，因为基准电流支路和输出支路均与负温电流支路构成电流镜，所以基准电流支路和输出支路的电流也是负温电流，这样整个电路结构简单，面积非常小，而且由于第一NMOS管和第二NMOS管为相同尺寸的不同类型的NMOS管，且第一NMOS管的阈值电压大于第二NMOS管的阈值电压，可以增加整个电路的负温电流的温度系数。个电路的负温电流的温度系数。个电路的负温电流的温度系数。

A negative temperature current generating circuit

【技术实现步骤摘要】
一种负温电流产生电路


[0001]本技术涉及电流产生电路，尤其涉及一种负温电流产生电路。

技术介绍

[0002]现在的电流产生电路包括与温度成正比的正温度电流产生电路和与温度成反比的负温度电流源。传统负温电流产生电路有的比较复杂，面积比较大。而有的虽然结构相对简单，面积相对较小，但是产生的负温电流的温度系数受到限制，这使得其难以满足一些需要具有更大的负温系数的电流的电路，因此有必要设计一种占面积小且可以获得温度系数更大的负温电流的电路。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述传统负温电流产生电路的负温度系数不够的缺陷，提供一种负温电流产生电路。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种负温电流产生电路，包括基准电流支路、负温电流产生支路和负温电流输出支路，所述基准电流支路和负温电流输出支路均与所述负温电流产生支路构成电流镜；
[0005]所述负温电流产生支路中设置有第一NMOS管和电压转电流模块，所述基准电流支路中设置有第二NMOS管和用于产生负温电压的负温电压产生模块，所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极共接至所述第二NMOS管的漏极以并将所述负温电压转移到所述电压转电流模块上，所述电压转电流模块用于将所述负温电压转换为负温电流输出，所述第一NMOS管和第二NMOS管为相同尺寸的不同类型的NMOS管，且第一NMOS管的阈值电压大于所述第二NMOS管的阈值电压。
[0006]优选地，所述负温电压产生模块包括PNP型的三极管，或者，所述负温电压产生模块通过二极管接法的第三NMOS管实现负温电压。
[0007]优选地，所述电压转电流模块包括具有正温度系数的电阻。
[0008]优选地，所述负温电流产生支路包括第一PMOS管，所述基准电流支路包括第二PMOS管，所述负温电流输出支路包括第三PMOS管，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极共接至供电电压，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的栅极共接至所述第一PMOS管的漏极；
[0009]所述第一PMOS管的漏极经由所述第一NMOS管和电压转电流模块接地，所述第二PMOS管的漏极经由所述第二NMOS管和负温电压产生模块接地，第三PMOS管的漏极用于连接需要恒定的负温电流的电路。
[0010]优选地，所述第一NMOS管的漏接连接所述第一PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的漏接连接所述第二PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极经由电压转电流模块接地，所述第二NMOS管的源极经由所述负温电压产生模块接地。
[0011]优选地，所述负温电压产生模块包括PNP型的三极管，所述三极管的发射极连接所
述第二NMOS管的源极，所述三极管的基极与集电极共接至地。
[0012]优选地，所述负温电压产生模块包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极和漏极共接至所述第二NMOS管的源极，所述第三NMOS管的源极接地。
[0013]优选地，所述第一PMOS管、第二PMOS管为相同尺寸且相同类型的PMOS管。
[0014]本技术的负温电流产生电路，具有以下有益效果：本技术中在基准电流支路中设置负温电压产生模块，而且第一NMOS管和第二NMOS管连接并将所述负温电压转移到电压转电流模块上，电压转电流模块将所述负温电压转换为负温电流输出，因为基准电流支路和输出支路均与所述负温电流支路构成电流镜，所以基准电流支路和输出支路的电流也是负温电流，这样整个电路结构简单，面积非常小，而且由于第一NMOS管和第二NMOS管为相同尺寸的不同类型的NMOS管，且第一NMOS管的阈值电压大于所述第二NMOS管的阈值电压，可以增加整个电路的负温电流的温度系数；进一步地，电压转电流模块还可以包括具有正温度系数的电阻，可以进一步提高整个电路的负温电流的温度系数。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图：
[0016]图1是本技术负温电流产生电路的实施例一的电路图；
[0017]图2是本技术负温电流产生电路的实施例二的电路图。
具体实施方式
[0018]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的典型实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。应当理解本技术实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本技术实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0019]需要说明的是，所述“相连”或“连接”，不仅仅包括将两个实体直接相连，也包括通过具有有益改善效果的其他实体间接相连。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
[0020]本说明书中使用的“第一”、“第二”等包含序数的术语可用于说明各种构成要素，但是这些构成要素不受这些术语的限定。使用这些术语的目的仅在于将一个构成要素区别于其他构成要素。例如，在不脱离本专利技术的权利范围的前提下，第一构成要素可被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。
[0021]实施例一
[0022]如图1，本实施例的负温电流产生电路包括基准电流支路102、负温电流产生支路
101和负温电流输出支路103，所述基准电流支路102和负温电流输出支路103均与所述负温电流产生支路101构成电流镜。
[0023]具体元器件组成上，所述负温电流产生支路101中包括第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1和电压转电流模块101a，所述电压转电流模块101a包括具有正温度系数的电阻R。所述基准电流支路102包括第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2和用于产生负温电压的负温电压产生模块102a，所述负温电压产生模块102a包括PNP型的三极管Q。所述负温电流输出支路103包括第三PMOS管MP3。
[0024]其中，第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2为相同尺寸且相同类型的PMOS管，即他们的阈值电压相同。而所述第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2为相同尺寸的不同类型的NMOS管，且第一NMOS管MN1的阈值电压VT1大于所述第二NMOS管MN2的阈值电压VT2。
[0025]具体连接关系上，所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第三本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负温电流产生电路，其特征在于，包括基准电流支路(102)、负温电流产生支路(101)和负温电流输出支路(103)，所述基准电流支路(102)和负温电流输出支路(103)均与所述负温电流产生支路(101)构成电流镜；所述负温电流产生支路(101)中设置有第一NMOS管(MN1)和电压转电流模块(101a)，所述基准电流支路(102)中设置有第二NMOS管(MN2)和用于产生负温电压的负温电压产生模块(102a)，所述第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的栅极共接至所述第二NMOS管(MN2)的漏极以并将所述负温电压转移到所述电压转电流模块(101a)上，所述电压转电流模块(101a)用于将所述负温电压转换为负温电流输出，所述第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)为相同尺寸的不同类型的NMOS管，且第一NMOS管(MN1)的阈值电压大于所述第二NMOS管(MN2)的阈值电压。2.根据权利要求1所述的负温电流产生电路，其特征在于，所述负温电压产生模块(102a)包括PNP型的三极管(Q)，或者，所述负温电压产生模块(102a)通过二极管接法的第三NMOS管(MN3)实现负温电压。3.根据权利要求1所述的负温电流产生电路，其特征在于，所述电压转电流模块(101a)包括具有正温度系数的电阻(R)。4.根据权利要求1所述的负温电流产生电路，其特征在于，所述负温电流产生支路(101)包括第一PMOS管(MP1)，所述基准电流支路(102)包括第二PMOS管(MP2)，所述负温电流输出支路(103)包括第三PMOS管(MP3)，所述第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(M...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂云，
申请(专利权)人：辉芒微电子深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：