一种双通道频率信号产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双通道频率信号产生电路，包括单片机、频率合成器，单片机与频率合成器电连接，用于对频率合成器设置参数；频率合成器的射频输入端输入参考频率信号，频率合成器的射频正输出端电连接第一通道电路后输出一路目标频率信号，频率合成器的射频负输出端电连接第二通道电路后输出另一路目标频率信号。本实用新型专利技术通过频率合成器的射频输入端输入参考频率信号后，在单片机的控制下，其射频正输出端和射频负输出端分别输出一路目标频率信号。当目标频率信号达到稳定程度后，外部锁相端对频率合成器进行锁相，保持目标频率信号稳定。率信号稳定。率信号稳定。

A dual channel frequency signal generation circuit

【技术实现步骤摘要】
一种双通道频率信号产生电路


[0001]本技术属于通信领域，特别是涉及一种双通道频率信号产生电路。

技术介绍

[0002]在卫星通信领域中，需要根据参考信号生成特定频率的目标频率信号，因此在设计电路时考虑到如何通过一种小型化、低功耗的电路保证同时产生两路稳定的目标频率信号，满足使用要求。

技术实现思路

[0003]本技术主要解决的技术问题是提供一种双通道频率信号产生电路，解决现有技术中如何通过一种小型化、低功耗的电路保证同时产生两路稳定的目标频率信号的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是提供一种双通道频率信号产生电路，包括单片机、频率合成器HMC832LP6GE，所述单片机与所述频率合成器HMC832LP6GE电连接，用于对所述频率合成器HMC832LP6GE设置参数；所述频率合成器HMC832LP6GE的射频输入端输入参考频率信号，所述频率合成器HMC832LP6GE的射频正输出端电连接第一通道电路后输出一路目标频率信号，所述频率合成器HMC832LP6GE的射频负输出端电连接第二通道电路后输出另一路目标频率信号。
[0005]优选的，所述第一通道电路和所述第二通道电路组成相同，其中，所述第一通道电路包括依次串联的阻抗匹配电路、放大电路和滤波网络。
[0006]优选的，所述阻抗匹配电路包括第一匹配电阻、第二匹配电阻和第三匹配电阻，所述第一匹配电阻的第一端电连接所述第一耦合电容后接入所述频率合成器HMC832LP6GE的射频正输出端，所述第一匹配电阻的第二端电连接第二耦合电容后接入所述放大电路；所述第一匹配电阻的第一端还电连接所述第二匹配电阻后接地，所述第一匹配电阻的第二端还电连接所述第三匹配电阻后接地。
[0007]优选的，所述放大电路包括放大器GVA
‑
63，所述放大器GVA
‑
63的输入端电连接所述第二耦合电容，所述放大器GVA
‑
63的输出端电连接第三耦合电容接入所述滤波网络。
[0008]优选的，所述滤波网络包括第一滤波电感、第二滤波电感、第一滤波电容至第五滤波电容；所述第一滤波电感的第一端电连接所述第三耦合电容，所述第一滤波电感的第二端与所述第二滤波电感的第一端电连接，所述第二滤波电感的第二端电连接第四耦合电容后输出目标频率信号；所述第一滤波电容并联在所述第一滤波电感的两端，所述第二滤波电容并联在所述第二滤波电感的两端，所述第一滤波电感的第一端电连接第三滤波电容后接地，所述第一滤波电感的第二端电连接第四滤波电容后接地，所述第二滤波电感的第二端电连接第五滤波电容后接地。
[0009]优选的，所述放大器GVA
‑
63的输出端还连接有供电电路，所述供电电路包括第一电源输入电感，所述第一电源输入电感的第一端电连接所述放大器GVA
‑
63的输出端，所述
第一电源输入电感的第二端电连接第一电源输入电阻后接入+5V电源，所述第一电源输入电阻的两端还并联有第二电源输入电阻。
[0010]优选的，还包括电源转换电路，所述电源转换电路包括芯片HMC1060LP3E，所述芯片HMC1060LP3E的输入端电连接+5V电源，输出端输出向所述单片机和所述频率合成器HMC832LP6GE供电的+3.3V电源。
[0011]优选的，还包括加电控制电路，所述加电控制电路包括加电控制三极管和加电场效应管，所述加电控制三极管的基极电连接加电控制电阻后接入外部加电控制端，所述加电控制三极管的发射极接地，集电极电连接第一分压电阻后接入所述加电场效应管的栅极，所述加电场效应管的栅极还电连接第二分压电阻后接入+5V电源，所述加电场效应管的源极电连接+5V电源，漏极作为所述芯片HMC1060LP3E的上电端。
[0012]本技术的有益效果是：本技术公开了一种双通道频率信号产生电路，包括单片机、频率合成器，单片机与频率合成器电连接，用于对频率合成器设置参数；频率合成器的射频输入端输入参考频率信号，频率合成器的射频正输出端电连接第一通道电路后输出一路目标频率信号，频率合成器的射频负输出端电连接第二通道电路后输出另一路目标频率信号。本技术通过频率合成器的射频输入端输入参考频率信号后，在单片机的控制下，其射频正输出端和射频负输出端分别输出一路目标频率信号。当目标频率信号达到稳定程度后，外部锁相端对频率合成器进行锁相，保持目标频率信号稳定。
附图说明
[0013]图1是本技术一种双通道频率信号产生电路中的单片机；
[0014]图2是本技术一种双通道频率信号产生电路中的频率合成器HMC832LP6GE；
[0015]图3是本技术一种双通道频率信号产生电路中的第一通道电路；
[0016]图4是本技术一种双通道频率信号产生电路中的电源转换电路；
[0017]图5是本技术一种双通道频率信号产生电路中的加电控制电路。
具体实施方式
[0018]为了便于理解本技术，下面结合附图和具体实施例，对本技术进行更详细的说明。附图中给出了本技术的较佳的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0019]需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本技术。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0020]如图1至图5所示，双通道频率信号产生电路包括单片机、频率合成器HMC832LP6GE，单片机与频率合成器HMC832LP6GE电连接，用于对频率合成器HMC832LP6GE设置参数；具体的，在图1，中单片机为芯片ATTINY9，芯片ATTINY9的数据端PBO_DAT电连接图2中频率合成器HMC832LP6GE的数据端SDI，芯片ATTINY9的时钟端PB1_CLK电连接频率合成器HMC832LP6GE的时钟端SCK，芯片ATTINY9的使能端PB2_LE电连接频率合成器HMC832LP6GE的
使能端SEN。
[0021]频率合成器HMC832LP6GE的射频输入端XREFP输入参考频率信号REF_HMC832，频率合成器HMC832LP6GE的射频正输出端RF_P电连接第一通道电路后输出一路目标频率信号，频率合成器HMC832LP6GE的射频负输出端RF_N电连接第二通道电路后输出另一路目标频率信号。
[0022]可以看出，频率合成器HMC832LP6GE的射频输入端XREFP输入参考频率信号REF_HMC832后，在单片机的控制下，其射频正输出端RF_P和射频负输出端RF_N分别输出一路目标频率信号。当目标频率信号达到稳定程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双通道频率信号产生电路，其特征在于：包括单片机、频率合成器HMC832LP6GE，所述单片机与所述频率合成器HMC832LP6GE电连接，用于对所述频率合成器HMC832LP6GE设置参数；所述频率合成器HMC832LP6GE的射频输入端输入参考频率信号，所述频率合成器HMC832LP6GE的射频正输出端电连接第一通道电路后输出一路目标频率信号，所述频率合成器HMC832LP6GE的射频负输出端电连接第二通道电路后输出另一路目标频率信号。2.根据权利要求1所述的双通道频率信号产生电路，其特征在于：所述第一通道电路和所述第二通道电路组成相同，其中，所述第一通道电路包括依次串联的阻抗匹配电路、放大电路和滤波网络。3.根据权利要求2所述的双通道频率信号产生电路，其特征在于：所述阻抗匹配电路包括第一匹配电阻、第二匹配电阻和第三匹配电阻，所述第一匹配电阻的第一端电连接第一耦合电容后接入所述频率合成器HMC832LP6GE的射频正输出端，所述第一匹配电阻的第二端电连接第二耦合电容后接入所述放大电路；所述第一匹配电阻的第一端还电连接所述第二匹配电阻后接地，所述第一匹配电阻的第二端还电连接所述第三匹配电阻后接地。4.根据权利要求3所述的双通道频率信号产生电路，其特征在于：所述放大电路包括放大器GVA
‑
63，所述放大器GVA
‑
63的输入端电连接所述第二耦合电容，所述放大器GVA
‑
63的输出端电连接第三耦合电容接入所述滤波网络。5.根据权利要求4所述的双通道频率信号产生电路，其特征在于：所述滤波网络包括第一滤波电感、第二滤波电感、第一滤波电容至第五滤波电容；所述第一滤波电感的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：江苏屹信航天科技有限公司，
类型：新型
国别省市：