发光装置和包括其的电子设备制造方法及图纸

本申请提供了用于电子设备的发光装置和包括其的电子设备。用于电子设备的发光装置包括：第一电极，面向第一电极的第二电极，和夹层，其包括在第一电极和第二电极之间的发射层，在第一电极和发射层之间的空穴传输层，以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中第一电极和空穴传输层直接接触，第一电极具有多层结构，其中第一层至第m层(m为3或更大的整数)依次堆叠，第m层由第一无机材料组成，第一无机材料包括：选自GeO2、MoO3和WO

【技术实现步骤摘要】
发光装置和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求在韩国知识产权局于2021年1月26日提交的韩国专利申请第10
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2021
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0010800号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置为自发射装置，其可以具有宽视角、高对比度和/或短响应时间，并且可在亮度、驱动电压和/或响应速度方面显示卓越的或适合的特性。
[0005]在示例发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过空穴传输区(例如，在发射层内部产生的激子中对光发射没有贡献的非发光激子传输区)移动到发射层，并且从第二电极注入的电子穿过电子传输区到发射层。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。

技术实现思路

[0006]本公开的实施方式的一个或多个方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：第一电极，面向所述第一电极的第二电极，以及夹层，所述夹层包括：在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层，以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，其中：所述第一电极和所述空穴传输层直接接触，所述第一电极具有多层结构，其中第一层至第m层依次堆叠，其中m为3或更大的整数，所述第m层由第一无机材料组成，所述第一无机材料包括：选自GeO2、MoO3和WO
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中的单一材料，其中2.1≦x≦2.99；或选自In2O3、GeO2、SnO2、MoO3和WO
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中的两种或更多种的任意组合的混合材料，其中2.1≦x≦2.99；或所述第一无机材料的功函的绝对值大于或等于所述空穴传输层的HOMO能级的绝对值，并且所述空穴传输层不包括p
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掺杂剂。2.如权利要求1所述的发光装置，其中：i)m为3，所述第一层包括ITO，所述第二层包括Ag，并且所述第三层由所述第一无机材料组成，ii)m为3，所述第一层和所述第三层各自由所述第一无机材料组成，并且所述第二层包括Ag，或iii)m为4，所述第一层和所述第三层各自包括ITO，所述第二层包括Ag，并且所述第四层由所述第一无机材料组成。3.如权利要求1所述的发光装置，其中：所述第一无机材料的所述功函的所述绝对值为5.20eV或更大。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一无机材料包括：WO
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，其中2.1≦x≦2.99；包括In2O3、GeO2和SnO2的混合材料；或其中In2O3以5wt％或更低的浓度掺杂到选自SnO2、MoO3和WO
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中的至少一种中的混合材料，其中2.1≦x≦2.99；或其任意组合。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第m层和所述空穴传输层进行欧姆接触。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层的所述HOMO能级的所述绝对值为5.15eV或更小。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层包括金属氧化物。8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述金属氧化物为WO3、MoO3、ZnO、Cu2O、CuO、...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹锡奎，金敬植，金成昱，李在庸，赵根昱，金炯弼，柳在镇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：